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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Umg8ntr | 0.4300 |  | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMG8 | 150MW | UMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
 | 2SD2227STPW | - | | 8425 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 V | 150 Ma | 300NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 1200 @ 1 Mapa, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||
 | Dtc123ju3hzgt106 | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||
| 2SA1576AT106Q | 0.3300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||
 | R5011anx | - | | 5279 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R5011 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 11a (TA) | 10V | 500mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||
 | QS6U22TR | 0.2390 | | 7730 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QS6U22 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 215mohm @ 1.5a, 4.5V | 2v @ 1 mapa | 3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 270 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||
 | RHK005N03T146 | 0.1282 | | 2284 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | RHK005 | Mosfet (Óxido de metal) | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 500 mA (TA) | 4V, 10V | 550mohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 45 pf @ 10 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||
 | Umb11nfhatn | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMB11 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
| RDX060N60FU6 | - | | 1754 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RDX060 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 6a (TA) | 10V | 1.2ohm @ 3a, 10v | 4V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 950 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | Rue002n02tl | 0.4600 | | 30 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Rue002 | Mosfet (Óxido de metal) | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.2V, 2.5V | 1.2ohm @ 200 MMA, 2.5V | 1V @ 1MA | ± 8V | 25 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||
 | Rs3l110attb1 | 2.4800 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Rs3l | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RS3L110ATTB1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 12.8mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 1MA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 6300 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
 | 2SB1188T100Q | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SB1188 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 800mv @ 200MA, 2A | 120 @ 500 Ma, 3V | 100MHz | |||||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | 0.7500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR542 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 500mA, 2V | 250MHz | |||||||||||||||||
| 2SC5053T100Q | 0.1856 | | 1605 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SC5053 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 500 Ma, 3V | 150MHz | |||||||||||||||||
 | R6046FNZC8 | - | | 8207 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6046 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 46a (TA) | 10V | 93mohm @ 23a, 10v | 5V @ 1MA | 150 NC @ 10 V | ± 30V | 6100 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||
| Sp8m3tb | 0.5072 | | 2540 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 5a, 4.5a | 51mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.9nc @ 5V | 230pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
 | Dtc124eubhzgtl | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | DTC124 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 mA | - | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||
| Um6k1ntn | 0.4000 | | 255 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K1 | Mosfet (Óxido de metal) | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 100mA | 8ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100 µA | - | 13PF @ 5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
| 2SA1797T100Q | 0.6100 | | 927 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SA1797 | 2 W | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 350mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 500mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||
| QS6U24TR | 0.6100 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QS6U24 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1a (TA) | 4V, 10V | 400mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | 1.7 NC @ 5 V | ± 20V | 90 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||
| RSS095N05FU6TB | 0.9270 | | 2362 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS095 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 45 V | 9.5a (TA) | 4V, 10V | 16mohm @ 9.5a, 10v | - | 26.5 NC @ 5 V | 20V | 1830 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
| ZDX080N50 | 1.6500 | | 414 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | ZDX080 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 4V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30V | 1120 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | Dta024eBtl | 0.0351 | | 2774 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta024e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dta024 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5 mm, 10v | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||
 | Rsr025p03tl | 0.6400 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RSR025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 98mohm @ 2.5a, 10V | - | 5.4 NC @ 5 V | ± 20V | 460 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | Us5u3tr | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Plano Plano | US5U3 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 240mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2 NC @ 4.5 V | 12V | 80 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1W (TA) | |||||||||||||
 | Rq3l050gntb | 0.8300 | | 23 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3L050 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 61mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 25 µA | 2.8 NC @ 4.5 V | ± 20V | 300 pf @ 30 V | - | 14.8W (TC) | |||||||||||||
| 2SA1576AT106S | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||
 | 2SC5880TV2Q | - | | 7994 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||
 | Dtc123ecat116 | 0.3900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||
| Dta123Jetl | 0.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms |
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