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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sh8k2tb1 | 0.5586 |  | 6554 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Sh8k2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP (5.0x6.0) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | RGTV00TS65DGC11 | 7.2700 | | 7101 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGTV00 | Estándar | 276 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 102 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 200 A | 1.9V @ 15V, 50A | 1.17MJ (Encendido), 940 µJ (apagado) | 104 NC | 41NS/142NS | |||||||||||||||||||||||||
 | Dtc114eu3hzgt106 | 0.3800 | | 301 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM180C12P2E202 | 720.0000 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM180 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | N-canal | 1200 V | 204A (TC) | - | - | 4V @ 35.2MA | +22V, -6V | 20000 pf @ 10 V | - | 1360W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | US6X7TR | 0.5800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6X7 | 400MW | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 1.5a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR542F3TR | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 2SCR542 | 1 W | Huml2020l3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 3 A | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV @ 50 mm, 1a | 200 @ 500mA, 2V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | EML22T2R | 0.3900 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 50V | Propósito general | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EML22 | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 8,000 | 150 Ma | Npn + zener | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCRC41CT116S | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2SCRC41 | 200 MW | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR372P5T100R | 0.6300 | | 975 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar372 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 V | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 360mv @ 50 mm, 500 mA | 120 @ 100 mapa, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SCRC41CHZGT116S | 0.5300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SCRC41 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 V | 50 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 180 @ 2mA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc113zmt2l | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTC113 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta123yebtl | 0.2600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | DTA123 | 150 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Umh11nfhatn | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Umh11 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Umh2nfhatn | 0.4800 | | 780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | UMH2 | 150MW | UMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-umh2nfhatntr | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250MHz | 47 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| EMD3FHAT2R | 0.3600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMD3FHAT2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BSM300D12P3E005 | 1.0000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM300 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1260W (TC) | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BSM300D12P3E005 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 300A (TC) | - | 5.6V @ 91MA | - | 14000PF @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rvq040n05hzgtr | 0.9600 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RVQ040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 4A (TA) | 4V, 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.8 NC @ 5 V | ± 21V | 530 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | Bc858bhzgt116 | 0.3700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC858 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 210 @ 2mA, 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2sar574d3fratl | 1.7200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2Sar574 | 10 W | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-2SAR574D3FRATLTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 80 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | 400mv @ 50 mm, 1a | 180 @ 100 mm, 3V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123JCAHZGT116 | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA123 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| Dtc114tmfhat2l | 0.0668 | | 7465 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | Sot-723 | Dtc114 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
| DTC115GU3HZGT106 | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC115 | 200 MW | UMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Sct3120aw7tl | 11.0300 | | 848 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | SCT3120 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 21a (TC) | 156mohm @ 6.7a, 18V | 5.6V @ 3.33MA | 38 NC @ 18 V | +22V, -4V | 460 pf @ 500 V | - | 100W | ||||||||||||||||||||||||||
 | R6530KNZC17 | 6.5000 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6530KNZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 960 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| R6535ENZC17 | 7.8500 | | 300 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6535 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6535ENZC17 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 115mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1.21MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 25 V | - | 102W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| R6020ENZM12C8 | - | | 1099 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6020ENZM12C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| R6035ENZM12C8 | - | | 1010 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6035 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6035ENZM12C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2720 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | R6021ZC8 | - | | 5420 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6021ZC8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| R6025AZFU7C8 | - | | 5024 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6025 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6025AZFU7C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 150mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 3250 pf @ 10 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| R6015ENZM12C8 | - | | 7074 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | R6015 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 846-R6015ENZM12C8 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 290mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 910 pf @ 25 V | - | 120W (TC) |
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