SIC
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Transistores (3592)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
RHK005N03FRAT146 Rohm Semiconductor RHK005N03FRAT146 0.4800
RFQ
 ECAD 382 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RHK005 Mosfet (Óxido de metal) Smt3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 500 mA (TA) 4V, 10V 550mohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 45 pf @ 10 V - 200MW (TA)
RHU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor RHU002N06FRAT106 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RHU002 Mosfet (Óxido de metal) UMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4V, 10V 2.4ohm @ 200 MMA, 10V 2.5V @ 1MA 4.4 NC @ 10 V ± 20V 15 pf @ 10 V - 200MW (TA)
RGS50TSX2DHRC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2DHRC11 10.6100
RFQ
 ECAD 406 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGS50 Estándar 395 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS50TSX2DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 182 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A 1.4mj (Encendido), 1.65mj (apaguado) 67 NC 37ns/140ns
RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65HRC11 7.5200
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Rgs00 Estándar 326 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS00TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 88 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 1.46mj (Encendido), 1.29mj (apagado) 58 NC 36NS/115NS
RGS60TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS60TS65HRC11 6.6200
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGS60 Estándar 223 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS60TS65HRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 56 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 660 µJ (Encendido), 810 µJ (apagado) 36 NC 28ns/104ns
RGS60TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGS60TS65DHRC11 7.2700
RFQ
 ECAD 5051 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGS60 Estándar 223 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-RGS60TS65DHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 103 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 56 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 660 µJ (Encendido), 810 µJ (apagado) 36 NC 28ns/104ns
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor R6006JND3TL1 2.4200
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6006 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6a (TC) 15V 936mohm @ 3a, 15V 7V @ 800 µA 15.5 NC @ 15 V ± 30V 410 pf @ 100 V - 86W (TC)
R6004END3TL1 Rohm Semiconductor R6004END3TL1 1.5800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6004 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 25 V - 59W (TC)
R6006KND3TL1 Rohm Semiconductor R6006KND3TL1 2.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6006 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 830mohm @ 3a, 10v 5.5V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 70W (TC)
R6007END3TL1 Rohm Semiconductor R6007END3TL1 2.3500
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 R6007 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 1MA 20 NC @ 10 V ± 20V 390 pf @ 25 V - 78W (TC)
R6504ENJTL Rohm Semiconductor R6504Enjtl 2.3800
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6504 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.05ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 130 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 25 V - 58W (TC)
R6520KNJTL Rohm Semiconductor R6520knjtl 6.2900
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6520 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 5V @ 630 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 25 V - 231W (TC)
R6511KNJTL Rohm Semiconductor R6511knjtl 4.0600
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6511 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 320 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 124W (TC)
R6515ENJTL Rohm Semiconductor R6515Enjtl 5.5000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6515 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 315mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 430 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 910 pf @ 25 V - 184W (TC)
R6509ENJTL Rohm Semiconductor R6509Enjtl 3.4100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6509 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 585mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 230 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 430 pf @ 25 V - 94W (TC)
R6515KNJTL Rohm Semiconductor R6515knjtl 5.5000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab R6515 Mosfet (Óxido de metal) LPTS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 315mohm @ 6.5a, 10v 5V @ 430 µA 27.5 NC @ 10 V ± 20V 1050 pf @ 25 V - 184W (TC)
RGCL60TK60DGC11 Rohm Semiconductor RGCL60TK60DGC11 5.6200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3PFM, SC-93-3 RGCL60 Estándar 54 W To-3pfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 120 A 1.8v @ 15V, 30a 770 µJ (Encendido), 1.11mj (apaguado) 68 NC 44ns/186ns
RGT40NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40NS65DGC9 3.3100
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA RGT40 Estándar 161 W Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 20a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 60 A 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/75ns
RGT40TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT40TM65DGC9 3.2800
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RGT40 Estándar 39 W Un 220nfm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 17 A 60 A 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/75ns
RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8NS65DGC9 2.2100
RFQ
 ECAD 965 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA RGT8NS65 Estándar 65 W Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 4a, 50ohm, 15V 40 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 8 A 12 A 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
RGTVX6TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTVX6TS65DGC11 9.3900
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm - Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RGTVX6 Estándar 404 W To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 80a, 10ohm, 15V 109 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 144 A 320 A 1.9V @ 15V, 80A 2.65mj (Encendido), 1.8mj (apaguado) 171 NC 45ns/201Ns
RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor Rgt16nl65dgtl 2.6300
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RGT16 Estándar 94 W LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 8a, 10ohm, 15V 42 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 16 A 24 A 2.1V @ 15V, 8a - 21 NC 13ns/33ns
RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor Rgt50nl65dgtl 3.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RGT50 Estándar 194 W LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 48 A 75 A 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
HP8K24TB Rohm Semiconductor HP8K24TB 1.6600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn HP8K24 Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA) 8-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 15a (TA), 27a (TC), 26a (TA), 80a (TC) 8.8mohm @ 15a, 10v, 3mohm @ 26a, 10v 2.5V @ 1MA 10nc @ 10V, 36nc @ 10V 590pf @ 15V, 2410pf @ 15V -
HP8M31TB1 Rohm Semiconductor HP8M31TB1 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn HP8M31 Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA) 8-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 8.5A (TA) 65mohm @ 8.5a, 10v, 70mohm @ 8.5a, 10v 3V @ 1MA 12.3nc @ 10V, 38nc @ 10V 470pf @ 30V, 2300pf @ 30V -
QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22TCR 1.2800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano QH8M22 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 40V 4.5a (TA), 2a (TA) 46mohm @ 4.5a, 10v, 190mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 10 µA, 3V @ 1MA 2.6nc @ 10V, 9.5nc @ 10V 193pf @ 20V, 450pf @ 20V -
QS8M31TR Rohm Semiconductor QS8M31TR 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano QS8M31 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) TSMT8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 60V 3a (TA), 2a (TA) 112mohm @ 3a, 10v, 210mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 1MA, 3V @ 1MA 4NC @ 5V, 7.2NC @ 5V 270pf @ 10V, 750pf @ 10V -
RD3G400GNTL Rohm Semiconductor Rd3g400gntl 1.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rd3g400 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 40a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 1MA 19 NC @ 10 V ± 20V 1410 pf @ 20 V - 26W (TA)
RD3G600GNTL Rohm Semiconductor Rd3g600gntl 1.9200
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rd3g600 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 60A (TA) 4.5V, 10V 3.6mohm @ 60a, 10V 2.5V @ 1MA 46.5 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 20 V - 40W (TA)
RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor Rd3p08bbdtl 3.0500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rd3p08 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 80a (TA) 6V, 10V 11.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20V 1940 pf @ 50 V - 119W (TA)
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    2000+

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    30,000,000

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