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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PhD36N03LT, 118 | - |  | 4863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd36 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 43.4a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 18.5 NC @ 10 V | ± 20V | 690 pf @ 25 V | - | 57.6W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Php47nq10t, 127 | - | | 8975 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 28mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 66 NC @ 10 V | 3100 pf @ 25 V | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | A2T18S160W31GSR3 | - | | 7894 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780GS-2L2LA | A2T18 | 1.88GHz | Ldmos | Ni-780GS-2L2LA | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935312705128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 A | 32W | 19.9dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V10250HSR5 | - | | 4818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 100 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF6 | 1.09 GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 250 Ma | 250W | 21db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PSMN9R0-25YLC, 115 | - | | 1348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN9 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 9.1mohm @ 15a, 10v | 1.95V @ 1MA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 694 pf @ 12 V | - | 34W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PSMN020-150W, 127 | - | | 6235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | PSMN0 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 150 V | 73a (TC) | 10V | 20mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 227 NC @ 10 V | ± 20V | 9537 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
| PH4330L, 115 | - | | 4884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PH43 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 95.9a (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 1MA | 22.9 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2786 pf @ 12 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PMPB20en, 115 | - | | 5409 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1010B-6 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 7.2a (TA) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 7a, 10v | 2V @ 250 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 435 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| MRF8S21140HSR5 | - | | 1401 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF8 | 2.14 GHz | Ldmos | Ni-780s | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 970 Ma | 34W | 17.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19140HSR5 | - | | 1487 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Montaje en superficie | NI-880S | MRF6 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.15 A | 29w | 16dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| MMRF1306HSR5 | - | | 6337 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 133 V | NI-1230-4S | Mmrf1 | 230MHz | Ldmos | NI-1230-4S | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935320269178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 100 mA | 1250W | 24db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MRFX1K80GNR5 | 219.8700 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Monte del Chasis | OM-1230G-4L | MRFX1 | 1.8MHz ~ 470MHz | Ldmos | OM-1230G-4L | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1800W | 24db | - | 65 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S16150HR5 | - | | 9958 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF7 | 1.6GHz ~ 1.66GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5 A | 32W | 19.7dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y28-75B, 115 | 0.4000 | | 2672 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 166 | N-canal | 75 V | 35.5a (TC) | 10V | 28mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 21.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1417 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | MRF6P24190HR5 | - | | 6218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF6 | 2.39 GHz | Ldmos | NI-1230 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.9 A | 40W | 14dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9201HSR3 | - | | 9632 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | Ni-780s | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 A | 40W | 20.8db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| BCX71J, 215 | 0.0200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCX71 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBRN123ES, 126 | - | | 9510 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PBRN123 | 700 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 800 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 1.15V @ 8 Ma, 800 Ma | 280 @ 300mA, 5V | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| BC327,116 | - | | 3354 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC32 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | PBLS6003D, 115 | - | | 4404 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS60 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS6022D, 115 | 0.1200 | | 223 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS60 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PhD21N06LT, 118 | - | | 7920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Phd21 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 19a (TC) | 5V, 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PBRP123YT, 215 | - | | 8169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBRP12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHP112N06T, 127 | - | | 4015 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4352 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Buk762r0-40e118 | - | | 1754 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1018NBR1 | - | | 7181 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 120 V | Monte del Chasis | Un 272bb | Mmrf1 | 860MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935324763528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 350 Ma | 18W | 22dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
| Buk752r7-60e, 127 | - | | 9417 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 2.6mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 158 NC @ 10 V | ± 20V | 11180 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PBSS4032PX/DG/B2115 | 1.0000 | | 5022 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3T18H455W23SR6 | 98.0184 | | 7499 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Monte del Chasis | ACP-1230S-4L2S | A3T18 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | ACP-1230S-4L2S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935354975128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | 10 µA | 600 mA | 192W | 16.7db | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||
| A5G35H110NT4 | 34.6764 | | 5350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Montaje en superficie | 6-LDFN Pad Expunesta | 3.3GHz ~ 3.7GHz | - | 6-PDFN (7x6.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | - | - | 70 Ma | 15.1w | 15.3db | - | 48 V |
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