SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Calificación Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PBLS4005D,115 NXP USA Inc. PBLS4005D, 115 0.0700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBLS40 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PBSS4032SPN,115 NXP USA Inc. PBSS4032SPN, 115 -
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000
PDTC124TMB315 NXP USA Inc. PDTC124TMB315 0.0300
RFQ
ECAD 190 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
PSMN009-100B,118 NXP USA Inc. PSMN009-100B, 118 -
RFQ
ECAD 9962 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PSMN0 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800
PMDPB70XPE NXP USA Inc. PMDPB70XPE 1.0000
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
MRFE6VP61K25HR5178 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HR5178 -
RFQ
ECAD 6516 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
PMBT5551,215 NXP USA Inc. PMBT5551,215 -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMBT5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
2PB1219AR,115 NXP USA Inc. 2PB1219ar, 115 -
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo 2PB12 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
2PB710ARL,215 NXP USA Inc. 2PB710Arl, 215 0.0300
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo 2PB71 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
BUJ302A,127 NXP USA Inc. BUJ302A, 127 0.2600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220b descascar EAR99 8541.29.0095 902 400 V 4 A 250 Ma NPN 1.5V @ 1a, 3.5a 25 @ 800 Ma, 3V -
BCP53,115 NXP USA Inc. BCP53,115 -
RFQ
ECAD 5312 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCP53 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
PDTC144EU/ZL115 NXP USA Inc. PDTC144EU/ZL115 0.0200
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0095 2.750
BST60,115 NXP USA Inc. BST60,115 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1.3 W Sot-89 descascar EAR99 8541.21.0075 1 45 V 1 A 50NA PNP - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
BUK7M21-40E,115 NXP USA Inc. BUK7M21-40E, 115 -
RFQ
ECAD 4797 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
BUK7Y113-100E115 NXP USA Inc. Buk7y113-100e115 1.0000
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BUK9219-55A,118 NXP USA Inc. BUK9219-55A, 118 0.5400
RFQ
ECAD 555 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar EAR99 8541.29.0095 555 N-canal 55 V 55A (TC) 4.5V, 10V 17.6mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa ± 10V 2920 pf @ 25 V - 114W (TC)
BUK962R6-40E,118 NXP USA Inc. Buk962r6-40e, 118 1.2200
RFQ
ECAD 640 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar EAR99 8541.29.0095 246 N-canal 40 V 100A (TC) 5V, 10V 2.4mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 250 µA 80.6 NC @ 32 V ± 10V 10285 pf @ 25 V - 263W (TC)
PMP5501Y,135 NXP USA Inc. PMP5501Y, 135 0.0900
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 PMP5501 300MW Sot-363 descascar EAR99 8541.21.0075 1 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 par de pnp (dual) emparejado 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 175MHz
BC817-40,235 NXP USA Inc. BC817-40,235 -
RFQ
ECAD 6680 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC817 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
2N7002BKV,115 NXP USA Inc. 2N7002BKV, 115 -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo 2N70 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000
BCX71H,235 NXP USA Inc. BCX71H, 235 0.0200
RFQ
ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.21.0075 1 45 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 180 @ 2mA, 5V 100MHz
BCX51,115 NXP USA Inc. BCX51,115 0.0700
RFQ
ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1.3 W Sot-89 descascar EAR99 8541.29.0075 4,133 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
BLF2425M8LS140112 NXP USA Inc. BLF2425M8LS140112 -
RFQ
ECAD 8265 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 65 V 2.45 GHz Ldmos - 0000.00.0000 1 - 1.3 A 140W 19dB - 28 V
PDTA144WMB,315 NXP USA Inc. PDTA144WMB, 315 0.0200
RFQ
ECAD 149 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 180 MHz 47 kohms 22 kohms
PBSS303PX,115 NXP USA Inc. PBSS303PX, 115 -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
BUJ302AX,127 NXP USA Inc. BUJ302AX, 127 1.0000
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA 26 W Un 220F descascar EAR99 8541.29.0095 1 400 V 4 A 250 µA NPN 1.5V @ 1a, 3.5a 25 @ 800 Ma, 3V -
BCV27,215 NXP USA Inc. BCV27,215 0.0400
RFQ
ECAD 160 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCV27 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PBSS4160DPN,115 NXP USA Inc. PBSS4160DPN, 115 0.0800
RFQ
ECAD 5790 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PDTC123JMB315 NXP USA Inc. PDTC123JMB315 0.0300
RFQ
ECAD 166 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTC123 descascar EAR99 8541.21.0075 1
BSH114,215 NXP USA Inc. BSH114,215 -
RFQ
ECAD 1264 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BSH1 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock