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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pdta114et, 215 | - |  | 4690 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pdta11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5087115 | - | | 3776 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB48EP, 115 | 1.0000 | | 6349 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | DFN1010B-6 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 15 V | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||
| PMV40UN2,215 | - | | 6676 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD2,315 | - | | 5356 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857,235 | 0.0200 | | 190 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||
 | BCM857DS115 | 1.0000 | | 7787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | BCM857 | 380MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 par de pnp (dual) emparejado | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 175MHz | ||||||||||||||||
| Bcv63b, 215 | 0.0800 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCV63 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114TT, 235 | - | | 5497 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pdtc11 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123TM, 315 | 0.0300 | | 116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC123 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| PEMH7,115 | 0.0400 | | 147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMH7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NX3008NBKV, 115 | - | | 3080 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | NX3008 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 400mA | 1.4ohm @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 0.68nc @ 4.5V | 50pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | PMDPB30XN, 115 | - | | 2435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Ufdfn Pad Expunesta | PMDPB30 | Mosfet (Óxido de metal) | 490MW | 6-Huson (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 40mohm @ 3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 21.7nc @ 4.5V | 660pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | PUMX2,115 | 0.0200 | | 4970 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Pumx2 | 300MW | Sot-363 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 250 MV a 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||
| PMZ250UN, 315 | 0.1900 | | 83 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMZ25 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| PEMD20,115 | 0.0600 | | 9180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PEMD20 | 300MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 411 | 50V | 100mA | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | - | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||
 | PDTC144VT215 | - | | 7005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144TMB, 315 | 0.0200 | | 169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA144 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 180 MHz | 47 kohms | |||||||||||||||||||
 | Pdta114yu/l115 | 0.0200 | | 3333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BKS115 | 0.0300 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,158 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TMB, 315 | 0.0200 | | 168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 180 MHz | 22 kohms | |||||||||||||||||||
 | PBSS4021PZ, 115 | 0.2200 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Pumb14,115 | 0.0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb14 | 300MW | Sot-363 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 PNP - Precializado (dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | - | 47 kohms | - | ||||||||||||||||||
| PBSS4220V, 115 | 0.0500 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | 900 MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100na | NPN | 350mv @ 200MA, 2a | 200 @ 1a, 2v | 210MHz | ||||||||||||||||||||
 | Pumh9,115 | - | | 3479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumh9 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1504Y, 115 | - | | 2927 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1503Y, 115 | - | | 6866 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN015-100ylx | - | | 8388 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 69a (TC) | 5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 1MA | 86.3 NC @ 10 V | ± 20V | 6139 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||
| PDTA124TT, 215 | - | | 6418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA124 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS302NX, 115 | - | | 7948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 |
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