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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Calificación | Temperatura de funciones | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTA123TU, 115 | 0.0200 |  | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA12 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002BK, 215 | - | | 4606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 350MA (TA) | 10V | 1.6ohm @ 500 mA, 10V | 2.1V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 50 pf @ 10 V | - | 370MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | PDTA144ET, 215 | - | | 3808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5330X, 135 | 1.0000 | | 9808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.6 W | Sot-89 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 320mv @ 300 Ma, 3a | 175 @ 1a, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144WM315 | 1.0000 | | 7506 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX7002BKS115 | 0.0300 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,158 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VM, 315 | 0.0300 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021SP, 115 | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114emb315 | - | | 1394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMZ250UN, 315 | 0.1900 | | 83 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMZ25 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD20,115 | 0.0600 | | 9180 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PEMD20 | 300MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 411 | 50V | 100mA | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | - | 2.2 kohms | 2.2 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TMB, 315 | 0.0200 | | 168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 180 MHz | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021PZ, 115 | 0.2200 | | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS302NX, 115 | - | | 7948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS303NZ, 135 | 0.2100 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pumb14,115 | 0.0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb14 | 300MW | Sot-363 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 PNP - Precializado (dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | - | 47 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4220V, 115 | 0.0500 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | 900 MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100na | NPN | 350mv @ 200MA, 2a | 200 @ 1a, 2v | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumh9,115 | - | | 3479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumh9 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdta114yu/l115 | 0.0200 | | 3333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1504Y, 115 | - | | 2927 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBLS1503Y, 115 | - | | 6866 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBLS15 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN015-100ylx | - | | 8388 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 100 V | 69a (TC) | 5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 1MA | 86.3 NC @ 10 V | ± 20V | 6139 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TT, 215 | - | | 6418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTA124 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PC4081Q, 115 | 0.0200 | | 9339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | 2PC40 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk7y9r9-80ex | 1.0000 | | 7555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 80 V | 89A (TC) | 10V | 98mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 51.6 NC @ 10 V | ± 20V | 498 pf @ 25 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | BUK762R7-30B118 | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Buk9675-100a118 | - | | 5338 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF578XR, 112 | 384.5800 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 110 V | Monte del Chasis | Sot-539a | 225MHz | Ldmos | Sot539a | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Fuente Común Dual | - | 40 Ma | 1400W | 23.5dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | BCV62,235 | 0.0800 | | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 30V | Espejo real | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BCV62 | Sot-143b | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 100mA | 2 Espejo de Corriente PNP (Dual) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25,235 | - | | 3935 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC817 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 |
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