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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Calificación	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
A3G26D055N-2110	675.0000	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V		Montaje en superficie	6-LDFN Pad Expunesta		100MHz ~ 2.69GHz	Ganancia		6-PDFN (7x6.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	568-A3G26D055N-2110	EAR99	8541.29.0075	1			-	40 Ma	8W	13.9db											-			48 V
A3T23H300W23SR6	93.2663	RFQ	6950	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					A3T23					descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	150
PMPB33XP, 115	0.0900	RFQ	31	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-xfdfn almohadilla exposición			Mosfet (Óxido de metal)		DFN1010B-6	descascar					EAR99	8541.29.0095	3,206		Canal P					20 V	5.5a (TA)	1.8V, 4.5V	37mohm @ 5.5a, 4.5V	900MV @ 250 µA	23 NC @ 4.5 V	± 12V	1575 pf @ 10 V	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
BFU668F, 115	0.4100	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	Sot-343f	BFU66				4-DFP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
PDTC123EEF, 115	-	RFQ	6317	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-89, SOT-490	PDTC123			250 MW	SC-89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	4.000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 20MA, 5V		2.2 kohms	2.2 kohms
PDTB123YT, 215	0.0300	RFQ	81	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PDTB12					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
MRFE6VP8600HSR6	-	RFQ	6927	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	130 V		Monte del Chasis	NI-1230S	Mrfe6	860MHz	Ldmos		NI-1230S	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	150	Dual		-	1.4 A	125W	19.3db											-			50 V
PDTA123EM, 315	0.0300	RFQ	129	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PDTA12					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000
BC337-16,126	-	RFQ	2298	NXP USA Inc.	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC33			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	2,000																		45 V	500 mA		100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 100 maja, 1v	100MHz
MRF8S18210WHSR3	-	RFQ	2065	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	Ni-880xs	MRF8	1.93GHz	Mosfet		Ni-880xs	-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935314716128	EAR99	8541.29.0095	250	N-canal		-	1.3 A	50W	17.8db											-			30 V
Pdta113zk, 115	-	RFQ	9603	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA113			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	35 @ 5MA, 5V		1 kohms	10 kohms
But12ai, 127	-	RFQ	7550	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Pero12			110 W	Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000																		450 V	8 A		1mera	NPN	1.5V @ 860MA, 5A	14 @ 1a, 5v	-
PBLS2001S, 115	-	RFQ	5228	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	PBLS20			1.5w	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																		50V, 20V	100 Ma, 3a		1 µA, 100NA	1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP	150mv @ 500 µA, 10 mm / 355mv @ 300mA, 3A	30 @ 20MA, 5V / 150 @ 2a, 2V	100MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
Bfu530avl	0.1380	RFQ	4280	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFU530			450MW	SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067698235	EAR99	8541.21.0075	10,000						12dB												12V	40mera			NPN		60 @ 10mA, 8V	11 GHz			1.1DB @ 1.8GHz
Pumd6,135	0.0300	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pumd6					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000
PDTC143EK, 115	-	RFQ	8433	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC143			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	4.7 kohms
MRFE6S8046GNR1	-	RFQ	2832	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	66 V		Montaje en superficie	Un 270bb	Mrfe6	894MHz	Ldmos		TO70 WB-4 GUALL	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	500			-	300 mA	35.5W	19.8db											-			28 V
BFQ149,115	-	RFQ	4659	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	Bfq14			1W	SOT-89-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000						-												15V	100mA			PNP		20 @ 70 mm, 10v	5GHz			3.3dB @ 500MHz
PDTA144EK, 135	-	RFQ	2475	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA144			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	80 @ 5MA, 5V		47 kohms	47 kohms
PMBT2907A/DLTR	-	RFQ	9795	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					PMBT2907					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934069293215	EAR99	8541.29.0095	3.000
PDTA124TK, 115	-	RFQ	4615	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA124			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	100 @ 1 mapa, 5v		22 kohms
Buk7y41-80e/gfx	-	RFQ	7199	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Buk7					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1.500
PMWD26UN, 518	-	RFQ	3513	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	PMWD26		Mosfet (Óxido de metal)	3.1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)						20V	7.8a		30mohm @ 3.5a, 4.5V	700mv @ 1 MMA	23.6nc @ 4.5V		1366pf @ 16V	Puerta de Nivel Lógico
BCM857BS, 135	-	RFQ	8140	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	BCM857			300MW	Sot-363	descascar					EAR99	8541.21.0075	1																		45V	100mA		15NA (ICBO)	2 par de pnp (dual) emparejado	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	175MHz
Bfu550vl	0.1553	RFQ	9758	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA	BFU550			450MW	Sot-143b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067704235	EAR99	8541.21.0075	10,000						15dB												12V	50mera			NPN		60 @ 15 mm, 8v	11 GHz			1.3db @ 1.8Ghz
PDTC144WS, 126	-	RFQ	1655	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTC144			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	60 @ 5MA, 5V		47 kohms	22 kohms
BC556A, 112	-	RFQ	4479	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC55			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																		65 V	100 mA		15NA (ICBO)	PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	125 @ 2mA, 5V	100MHz
ON5230,127	-	RFQ	1991	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	ON52	-	-		I2pak	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934058067127	EAR99	8541.29.0095	1,000	-		-		-	-											-
MRF6V14300HR5	401.0580	RFQ	2382	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	100 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF6V14300	1.4GHz	Ldmos		NI-780H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935313404178	EAR99	8541.29.0075	50			-	150 Ma	330W	18dB											-			50 V
BC857BW, 115	-	RFQ	3242	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					BC857					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Transistores (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²