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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT26H160-4S4R3 | - |  | 2716 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-880X-4L4S-8 | AFT26 | 2.5 GHz | Ldmos | NI-880X-4L4S-8 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935317925128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 500 mA | 32W | 14.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | BUK7540-100A, 127 | - | | 9116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 37a (TC) | 10V | 40mohm @ 40a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 2293 pf @ 25 V | - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | PHB20N06T, 118 | 0.3600 | | 2034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 55 V | 20.3a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| BUK78150-55A115 | - | | 5434 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Php21n06lt, 127 | - | | 7273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Php21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 19a (TC) | 5V, 10V | 70mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 9.4 NC @ 5 V | ± 15V | 650 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| MRF8P23160WHR3 | - | | 3226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-780-4 | MRF8 | 2.32 GHz | Mosfet | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935317531128 | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | - | 600 mA | 30W | 14.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PHB23NQ10LT, 118 | - | | 1232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PHB23 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 23a (TC) | 5V, 10V | 72mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 49 NC @ 10 V | ± 15V | 1704 pf @ 25 V | - | 98W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BUK763R8-80E118 | 1.0000 | | 4080 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1019NR4 | 77.8600 | | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 100 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MMRF1019 | 1.09 GHz | Ldmos | PLD-1.5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 10 Ma | 10W | 25db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
| PHB108NQ03LT, 118 | - | | 2166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | PHB10 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 25 V | 75A (TC) | 5V, 10V | 6mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 16.3 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1375 pf @ 12 V | - | 187W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Bfu530r | 0.4000 | | 339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BFU530 | 450MW | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21.5db | 12V | 40mera | NPN | 60 @ 10mA, 8V | 11 GHz | 0.6dB A 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB950UPE315 | - | | 1274 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT60415NY115 | 0.2300 | | 3981 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB110NQ08T, 118 | 1.0400 | | 750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 290 | N-canal | 75 V | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 113.1 NC @ 10 V | ± 20V | 4860 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | ON5233,118 | - | | 3804 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | ON5233 | - | - | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934056765118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| A2T18H450W19SR6 | - | | 9192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 30 V | Monte del Chasis | NI-1230S-4S4S | A2T18 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | NI-1230S-4S4S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935318596128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | - | 89W | 16.5dB | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | A2T21H360-24SR6 | - | | 9763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | A2T21 | 2.14 GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935318247128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | - | 500 mA | 63W | 16.2db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| A2T21H410-24SR6 | - | | 1483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | A2T21 | 2.17GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935312756128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 600 mA | 72W | 15.6db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | AFG24S100HR5 | - | | 6560 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 50 V | Monte del Chasis | NI-360H-2SB | AFG24 | 1MHz ~ 2.5GHz | - | NI-360H-2SB | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935320738128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | - | 100W | 16.3db | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MMRF1320NR1 | 47.6628 | | 3367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 133 V | Montaje en superficie | Un 270-4 | MMRF1320 | 230MHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935324934528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | Dual | - | 100 mA | 150W | 26.1db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Mmrf2010gnr1 | 431.7303 | | 1978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 100 V | Montaje en superficie | Variatura A 270-14, Ala de la Gaviota | MMRF2010 | 1.09 GHz | Ldmos | A 270 WB-14 gaviota | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | - | 80 Ma | 250W | 32.1db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S24250NR3 | 139.4500 | | 144 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | MRF7 | 2.45 GHz | Ldmos | OM-780-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100 mA | 256W | 14.7db | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN1R7-25YLC, 115 | - | | 1319 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN1 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 25A, 10V | 1.95V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3735 pf @ 12 V | - | 164W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| PSMN1R9-25YLC, 115 | - | | 5097 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN1R9 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.05mohm @ 25A, 10V | 1.95V @ 1MA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3504 pf @ 12 V | - | 141W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PMV20xn, 215 | - | | 2557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV2 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 4.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | 585 pf @ 15 V | - | 510MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | MRF8S8260HR3 | - | | 2136 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF8 | 895MHz | Ldmos | NI-880H-2L | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935310534128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.5 A | 70W | 21.1db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9202NR3 | - | | 1218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | Montaje en superficie | OM-780-2 | MRF8 | 920MHz | Ldmos | OM-780-2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935310535528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.3 A | 58W | 19dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ109,215 | - | | 3287 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 30pf @ 10V (VGS) | 25 V | 40 mA @ 15 V | 6 V @ 1 µA | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ176,215 | - | | 4158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 300 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 8pf @ 10V (VGS) | 30 V | 2 Ma @ 15 V | 1 v @ 10 na | 250 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMBFJ620,115 | - | | 1494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | PMBFJ6 | 190 MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 V | 5PF @ 10V | 25 V | 24 Ma @ 10 V | 2 V @ 1 µA | 50 ohmios |
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