SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC556CTA Fairchild Semiconductor BC556CTA 0.0200
RFQ
 ECAD 617 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC550BTA Fairchild Semiconductor BC550BTA 0.0200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
PN4118 Fairchild Semiconductor PN4118 0.0800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 3pf @ 10V 40 V 80 µA @ 10 V 1 v @ 1 na
BD242B Fairchild Semiconductor Bd242b 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.213 80 V 3 A 300 µA PNP 1.2v @ 600 mA, 3a 25 @ 1a, 4v -
BC182LB Fairchild Semiconductor Bc182lb 0.0400
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,582 50 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 40 @ 10 µA, 5V 150MHz
KSB1116SYBU Fairchild Semiconductor Ksb1116sybu 0.0500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50 mm, 1a 135 @ 100 mapa, 2v 120MHz
BC548BBU Fairchild Semiconductor Bc548bbu 0.0200
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
BC558CTA Fairchild Semiconductor BC558CTA 0.0200
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 11,189 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
BC369 Fairchild Semiconductor BC369 1.0000
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 65MHz
ISL9V5036S3 Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3 -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 250 W Un 262AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 300V, 1KOHM, 5V - 390 V 46 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
BC238CBU Fairchild Semiconductor Bc238cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 380 @ 2mA, 5V 250MHz
BC548CBU Fairchild Semiconductor Bc548cbu 0.0200
RFQ
 ECAD 5245 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 8,500 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
BDW94 Fairchild Semiconductor BDW94 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 80 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 200 45 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
BCW33 Fairchild Semiconductor BCW33 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 18,000 32 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500 µA, 10 mA 420 @ 2mA, 5V 200MHz
FQI2N30TU Fairchild Semiconductor Fqi2n30tu 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 2.1a (TC) 10V 3.7ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 130 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 40W (TC)
HUFA75344S3S Fairchild Semiconductor HUFA75344S3S 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
FQI6N40CTU Fairchild Semiconductor Fqi6n40ctu 0.2900
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 140 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
KSD985OSTU Fairchild Semiconductor Ksd985ostu 0.1700
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 - ROHS3 Cumplante 2156-KSD985STU-FS EAR99 8541.29.0095 60 60 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 4000 @ 1a, 2v -
2N5550TF Fairchild Semiconductor 2N5550TF 0.0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 140 V 600 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV a 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 300MHz
2N5639 Fairchild Semiconductor 2N5639 0.3200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 310 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 10pf @ 12V (VGS) 35 V 25 Ma @ 20 V 60 ohmios
SGR15N40LTF Fairchild Semiconductor SGR15N40LTF -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SGR15 Estándar 45 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4.5V, 130a - -
HUFA76633S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76633S3ST 1.0100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10v 3V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
FQD12P10TM Fairchild Semiconductor Fqd12p10tm 1.0000
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 9.4a (TC) 10V 290mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FQAF14N30 Fairchild Semiconductor FQAF14N30 1.0400
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 310 N-canal 300 V 11.4a (TC) 10V 290mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 90W (TC)
KSD261GBU Fairchild Semiconductor Ksd261gbu 0.0300
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 9,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 100 mapa, 1v -
TIP30ATU Fairchild Semiconductor Tip30atu 0.1900
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,247 60 V 1 A 200 µA PNP 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v 3MHz
HUF76445S3ST Fairchild Semiconductor HUF76445S3ST 1.4000
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDG361N Fairchild Semiconductor FDG361N 0.4100
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 600 mA (TA) 6V, 10V 500mohm @ 600 mA, 10V 4V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 153 pf @ 50 V - 420MW (TA)
FGI40N60SFTU Fairchild Semiconductor Fgi40n60sftu 3.3100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Estándar 290 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 400V, 40a, 10ohm, 15V Parada de Campo 600 V 80 A 120 A 2.9V @ 15V, 40A 1.13MJ (Encendido), 310 µJ (apaguado) 120 NC 25ns/115ns
KSB1116YTA Fairchild Semiconductor Ksb1116yta 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 50 mm, 1a 135 @ 100 mapa, 2v 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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