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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
HUF76419S3ST Fairchild Semiconductor HUF76419S3ST 0.6700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 29a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 29a, 10v 3V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDMS8672AS Fairchild Semiconductor FDMS8672As 0.5900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 18a (TA), 28a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 70W (TC)
KSB744YSTU Fairchild Semiconductor Ksb744ystu 0.1200
RFQ
 ECAD 6388 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 1.918 45 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 2V @ 150MA, 1.5a 160 @ 500 Ma, 5V 45MHz
SGU20N40LTU Fairchild Semiconductor SGU20N40LTU 1.2500
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SGU20 Estándar 45 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 5.040 - Zanja 400 V 150 A 8V @ 4.5V, 150a - -
TIP100 Fairchild Semiconductor TIP100 0.4400
RFQ
 ECAD 759 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2 W Un 220F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 60 V 5 A 50 µA NPN - Darlington 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3a, 4v -
IRFP140 Fairchild Semiconductor IRFP140 1.0000
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 31a (TC) 77mohm @ 19a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V 1700 pf @ 25 V -
PN4355 Fairchild Semiconductor PN4355 -
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 800 Ma 50NA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 10mA, 10V -
FQA28N50F Fairchild Semiconductor FQA28N50F -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 28.4a (TC) 10V 160mohm @ 14.2a, 10v 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDP16N50 Fairchild Semiconductor FDP16N50 1.2000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 380mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1945 pf @ 25 V - 200W (TC)
FDS7788 Fairchild Semiconductor FDS7788 2.6000
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 20V 3845 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDN361AN Fairchild Semiconductor Fdn361an -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.8a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250 µA 4 NC @ 5 V ± 20V 220 pf @ 15 V - 500MW (TA)
FQA13N80 Fairchild Semiconductor FQA13N80 2.2000
RFQ
 ECAD 1246 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 134 N-canal 800 V 12.6a (TC) 10V 750mohm @ 6.3a, 10V 5V @ 250 µA 88 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 300W (TC)
MMBT2907A Fairchild Semiconductor Mmbt2907a 1.0000
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
KSB564ACYTA Fairchild Semiconductor Ksb564acyta 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 110MHz
FJY3001R Fairchild Semiconductor FJY3001R 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY300 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 22 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
FQPF4N50 Fairchild Semiconductor FQPF4N50 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 2.3a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 35W (TC)
FQNL1N50BTA Fairchild Semiconductor Fqnl1n50bta -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 944 N-canal 500 V 270MA (TC) 10V 9ohm @ 135mA, 10V 3.7V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
FQPF9N50 Fairchild Semiconductor FQPF9N50 0.8500
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5.3a (TC) 10V 730mohm @ 2.65a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 50W (TC)
KSD471AGBU Fairchild Semiconductor Ksd471agbu 0.0200
RFQ
 ECAD 7554 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 14,016 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
FDD6670AS Fairchild Semiconductor Fdd6670as 1.3500
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 162 N-canal 30 V 76a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 13.8a, 10v 3V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 1580 pf @ 15 V - 70W (TA)
IRFS540A Fairchild Semiconductor IRFS540A 0.6600
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 52mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250 µA 78 NC @ 10 V - 1710 pf @ 25 V - 39W (TC)
FQPF28N15 Fairchild Semiconductor FQPF28N15 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 16.7a (TC) 10V 90mohm @ 8.35a, 10v 4V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 25V 1600 pf @ 25 V - 60W (TC)
HUF75637S3S Fairchild Semiconductor HUF75637S3S -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 44a (TC) 10V 30mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 108 NC @ 20 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 155W (TC)
PN100 Fairchild Semiconductor PN100 0.0400
RFQ
 ECAD 998 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA NPN 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 5V 250MHz
FDS6614A Fairchild Semiconductor Fds6614a 0.8900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.3a (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 9.3a, 10V 3V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MMBTH34 Fairchild Semiconductor MMBTH34 0.1900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 - 40V 50mera NPN 15 @ 20MA, 2V 500MHz -
FDS6162N3 Fairchild Semiconductor FDS6162N3 1.7600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 21a (TA) 2.5V, 4.5V 4.5mohm @ 21a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 73 NC @ 4.5 V ± 12V 5521 pf @ 10 V - 3W (TA)
FQPF7N40 Fairchild Semiconductor FQPF7N40 0.5500
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 552 N-canal 400 V 4.6a (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 42W (TC)
KST2907AMTF Fairchild Semiconductor KST2907Amtf -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 6,257 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
KSA709GBU Fairchild Semiconductor Ksa709gbu 0.0200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 150 V 700 Ma 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 200 @ 50mA, 2v 50MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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