SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BC547B Fairchild Semiconductor BC547B 0.0600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 4.991 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FCH043N60 Fairchild Semiconductor FCH043N60 11.2600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 27 N-canal 600 V 75A (TC) 10V 43mohm @ 38a, 10V 3.5V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 12225 pf @ 400 V - 592W (TC)
MJ11033G Fairchild Semiconductor Mj11033g 8.3900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE 300 W TO-204 (TO-3) descascar EAR99 8541.29.0095 36 120 V 50 A 2mera PNP - Darlington 3.5V @ 500 Ma, 50A 1000 @ 25a, 5V -
BC556BTFR Fairchild Semiconductor Bc556btfr 0.0500
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
HGTG40N60A4 Fairchild Semiconductor HGTG40N60A4 -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 625 W To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 390v, 40a, 2.2ohm, 15V - 600 V 75 A 300 A 2.7V @ 15V, 40A 400 µJ (Encendido), 370 µJ (apagado) 350 NC 25ns/145ns
HGTP12N60A4D Fairchild Semiconductor HGTP12N60A4D 1.6800
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 167 W Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 390V, 12a, 10ohm, 15V 30 ns - 600 V 54 A 96 A 2.7V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) 78 NC 17ns/96ns
FJE5304D Fairchild Semiconductor FJE5304D 1.0000
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 30 W A-126-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
FGH40N60SMDF-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N60SMDF-F085 -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 349 W To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 90 ns Parada de Campo 600 V 80 A 120 A 2.5V @ 15V, 40A 1.3MJ (Encendido), 260 µJ (apaguado) 122 NC 18ns/110ns
FDPF12N50FT Fairchild Semiconductor Fdpf12n50ft 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 287 N-canal 500 V 11.5A (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1395 pf @ 25 V - 42W (TC)
KSP10BU Fairchild Semiconductor Ksp10bu 0.0400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 7.036 - 25V - NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
FCPF260N60E Fairchild Semiconductor FCPF260N60E 1.8500
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 36W (TC)
FQI8N60CTU Fairchild Semiconductor Fqi8n60ctu 1.1800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI8N60 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 7.5a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
FQNL2N50BTA Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bta -
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Fqnl2 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
FDMS3606S Fairchild Semiconductor FDMS3606S -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3606 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10v 2.7V @ 250 µA 29NC @ 10V 1785pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
KSP43TA Fairchild Semiconductor Ksp43ta -
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 200 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FDMC2674 Fairchild Semiconductor FDMC2674 -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 220 V 1a (TA), 7a (TC) 10V 366mohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 100 V - 2.1W (TA), 42W (TC)
FGA50S110P Fairchild Semiconductor FGA50S110P 1.5400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 300 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 - Parada de Campo de Trinchera 1100 V 50 A 120 A 2.6V @ 15V, 50A - 195 NC -
FGB5N60UNDF Fairchild Semiconductor Fgb5n60undf -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FGB5N60 Estándar 73.5 W To-263ab (d²pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 5a, 10ohm, 15V 35 ns Escrutinio 600 V 10 A 15 A 2.4V @ 15V, 5A 80 µJ (Encendido), 70 µJ (apaguado) 12.1 NC 5.4ns/25.4ns
FCPF600N60Z Fairchild Semiconductor FCPF600N60Z 1.2800
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 254 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3.5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
FCH76N60N Fairchild Semiconductor FCH76N60N 15.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 20 N-canal 600 V 76a (TC) 10V 36mohm @ 38a, 10v 4V @ 250 µA 285 NC @ 10 V ± 30V 12385 pf @ 100 V - 543W (TC)
FCP11N60N Fairchild Semiconductor FCP11N60N 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 173 N-canal 600 V 10.8a (TC) 10V 299mohm @ 5.4a, 10v 4V @ 250 µA 35.6 NC @ 10 V ± 30V 1505 pf @ 100 V - 94W (TC)
J105 Fairchild Semiconductor J105 -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal - 25 V 500 mA @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3 ohmios
FDP070AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdp070an06a0 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 258 N-canal 60 V 15a (TA), 80a (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 175W (TC)
BSS123L Fairchild Semiconductor BSS123L -
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2v @ 1 mapa 2.5 NC @ 10 V ± 20V 21.5 pf @ 25 V - 360MW (TA)
SI9933BDY Fairchild Semiconductor Si9933bdy -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si9933 - 900MW (TA) 8-Soico descascar EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal P (Dual) 20V 3.4a (TA) 75mohm @ 3.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V -
FDS6900AS Fairchild Semiconductor Fds6900as 0.5900
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a, 8.2a 27mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 15NC @ 10V 600pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FQPF5P20 Fairchild Semiconductor Fqpf5p20 -
RFQ
 ECAD 8662 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 200 V 3.4a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.7a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 430 pf @ 25 V - 38W (TC)
2N7002VA Fairchild Semiconductor 2N7002VA 0.2800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563F descascar EAR99 8541.21.0095 1.078 2 Canal N (Dual) 60V 280 Ma 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2.5V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FCP104N60 Fairchild Semiconductor FCP104N60 3.2300
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 93 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 4165 pf @ 380 V - 357W (TC)
BCW89 Fairchild Semiconductor BCW89 -
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW89 350 MW Sot-23-3 descascar EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 2mA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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