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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BC547B Fairchild Semiconductor BC547B 0.0600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 4.991 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FCH043N60 Fairchild Semiconductor FCH043N60 11.2600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 27 N-canal 600 V 75A (TC) 10V 43mohm @ 38a, 10V 3.5V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 12225 pf @ 400 V - 592W (TC)
MJ11033G Fairchild Semiconductor Mj11033g 8.3900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE 300 W TO-204 (TO-3) descascar EAR99 8541.29.0095 36 120 V 50 A 2mera PNP - Darlington 3.5V @ 500 Ma, 50A 1000 @ 25a, 5V -
BC556BTFR Fairchild Semiconductor Bc556btfr 0.0500
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
FDMS3606S Fairchild Semiconductor FDMS3606S -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3606 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10v 2.7V @ 250 µA 29NC @ 10V 1785pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FGH40N60SMDF-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N60SMDF-F085 -
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 349 W To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 90 ns Parada de Campo 600 V 80 A 120 A 2.5V @ 15V, 40A 1.3MJ (Encendido), 260 µJ (apaguado) 122 NC 18ns/110ns
TIP120TU Fairchild Semiconductor TIP120TU 0.4600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 647 60 V 5 A 500 µA NPN - Darlington 4V @ 20 mm, 5a 1000 @ 3a, 3V -
SI4435DY Fairchild Semiconductor Si4435dy -
RFQ
 ECAD 7057 0.00000000 Semiconductor de fairchild Hexfet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 8a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 1V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BC548BTA Fairchild Semiconductor BC548BTA 0.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 8,662 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FDD6676AS Fairchild Semiconductor FDD6676As 0.9800
RFQ
 ECAD 209 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 90A (TA) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 16a, 10v 3V @ 1MA 64 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 15 V - 70W (TA)
FQPF3N60 Fairchild Semiconductor FQPF3N60 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 25 V - 34W (TC)
HUFA75309T3ST Fairchild Semiconductor HUFA75309T3ST 0.3400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 3a (TA) 10V 70mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 23 NC @ 20 V ± 20V 352 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
HGTP12N60A4 Fairchild Semiconductor HGTP12N60A4 0.6700
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar 167 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 54 A 96 A 2.7V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 50 µJ (apaguado) 78 NC 17ns/96ns
FQH44N10-F133 Fairchild Semiconductor FQH44N10-F133 -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 - 2156-FQH44N10-F133 1 N-canal 100 V 48a (TC) 10V 39mohm @ 24a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 25 V - 180W (TC)
SGS6N60UFTU Fairchild Semiconductor Sgs6n60uftu -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 22 W Un 220F - 2156-sgs6n60uftu 1 300V, 3a, 80ohm, 15V - 600 V 6 A 25 A 2.6V @ 15V, 3a 57 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) 15 NC 15ns/60ns
FQA16N50-F109 Fairchild Semiconductor FQA16N50-F109 -
RFQ
 ECAD 9640 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn - 2156-FQA16N50-F109 1 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FQP9N30 Fairchild Semiconductor FQP9N30 -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 2156-FQP9N30 1 N-canal 300 V 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 740 pf @ 25 V - 98W (TC)
ISL9V5036S3ST Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3ST -
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 250 W D2PAK (TO-263) - 2156-ISL9V5036S3ST 1 300V, 1KOHM, 5V 2.1 µs - 390 V 46 A 1.6v @ 4V, 10a 2.59mj (Encendido), 9MJ (apaguado) 32 NC -/10.8 µs
FDP023N08B-F102 Fairchild Semiconductor FDP023N08B-F102 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 2156-FDP023N08B-F102 1 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 2.35mohm @ 75a, 10v 3.8V @ 250 µA 195 NC @ 10 V ± 20V 13765 pf @ 37.5 V - 245W (TC)
FDPF390N15A Fairchild Semiconductor FDPF390N15A -
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - 2156-FDPF390N15A 1 N-canal 150 V 15A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 18.6 NC @ 10 V ± 20V 1285 pf @ 75 V - 22W (TC)
FQH90N10V2 Fairchild Semiconductor FQH90N10V2 2.9800
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 105A (TC) 10V 10mohm @ 52.5a, 10v 4V @ 250 µA 191 NC @ 10 V ± 30V 6150 pf @ 25 V - 330W (TC)
FJC1308PTF Fairchild Semiconductor FJC1308PTF 0.0900
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 148 30 V 3 A 500NA PNP 450mv @ 150 mm, 1.5a 80 @ 500mA, 2V -
FCU5N60TU Fairchild Semiconductor Fcu5n60tu -
RFQ
 ECAD 9408 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FCU5N60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 4.6a (TC) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 54W (TC)
FQP11N40 Fairchild Semiconductor FQP11N40 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 147W (TC)
FDMC8884-F126 Fairchild Semiconductor FDMC8884-F126 -
RFQ
 ECAD 6391 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) - 2156-FDMC8884-F126 1 N-canal 30 V 9a (TA), 15a (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 685 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 18W (TC)
TIP117 Fairchild Semiconductor TIP117 -
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 100 V 2 A 2mera PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
FDFME2P823ZT Fairchild Semiconductor Fdfme2p823zt 0.2700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta Fdfme2 Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (1.6x1.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 5,000 Canal P 20 V 2.6a (TA) 1.8V, 4.5V 142mohm @ 2.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.7 NC @ 4.5 V ± 8V 405 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.4W (TA)
FCH170N60 Fairchild Semiconductor FCH170N60 3.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 102 N-canal 600 V 22a (TC) 10V 170mohm @ 11a, 10v 3.5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 2860 pf @ 380 V - 227W (TC)
FQPF7N80C Fairchild Semiconductor FQPF7N80C 1.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 249 N-canal 800 V 6.6a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.3a, 10v 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1680 pf @ 25 V - 56W (TC)
FDP7N50 Fairchild Semiconductor FDP7N50 -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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