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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Bc547bbu | - | ![]() | 5621 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sc5200otu | - | ![]() | 3778 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | 150 W | Un 264-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-2SC5200OTU-600039 | 1 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1a, 5v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bu406tu-fs | - | ![]() | 7091 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BU406 | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 5 mm | NPN | 1V @ 500 Ma, 5a | - | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858C | 0.0400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 380 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,460 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mjd45h11tm | - | ![]() | 3505 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD45 | 1.75 W | Un 252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1.158 | 80 V | 8 A | 10 µA | PNP | 1V @ 400 Ma, 8a | 40 @ 4a, 1v | 40MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP125N60E | - | ![]() | 6733 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FCP125 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 14.5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2990 pf @ 380 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc547ata | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,959 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088N7 | 2.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 23a (TA) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 23a, 10v | 3V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 20V | 3845 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8870-F085 | 0.9800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 23a (TA), 160A (TC) | 3.9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 20V | 5200 pf @ 15 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Mj21193g | - | ![]() | 1831 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 250 W | TO-204AA (TO-3) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-MJ21193G-600039 | 1 | 250 V | 16 A | 100 µA | PNP | 4V @ 3.2a, 16a | 25 @ 8a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN3019A | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.500 | 80 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN5434 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 30pf @ 10V (VGS) | 25 V | 30 Ma @ 15 V | 1 v @ 3 na | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf12n60t | 1.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 5.8a (TC) | 10V | 700mohm @ 2.9a, 10v | 5V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA20S120M | 2.0700 | ![]() | 407 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA20 | Estándar | 348 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 40 A | 60 A | 1.85V @ 15V, 20a | - | 208 NC | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRF520 | 1.0000 | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 270mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF18N50T-G | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDPF18N50T-G-600039 | 1 | N-canal | 500 V | 18a (TJ) | 10V | 265mohm @ 9a, 10v | 5V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 30V | 2860 pf @ 25 V | - | 38.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V5036P3 | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Ecospark® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Lógica | 250 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 390 V | 46 A | 1.6v @ 4V, 10a | - | 32 NC | -/10.8 µs | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N50CTM | 1.0000 | ![]() | 8950 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 73W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmc4436bz | 0.2900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA27 | 1.0000 | ![]() | 6594 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP3651U | - | ![]() | 3749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 V | 80a (TC) | 10V | 18mohm @ 80a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 5522 pf @ 25 V | - | 255W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5089 | - | ![]() | 3523 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5089 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 400 @ 100 µA, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgpf30n45ttu | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 50.4 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | Zanja | 450 V | 120 A | 1.6v @ 15v, 20a | - | 73 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb9n25tm | 0.5300 | ![]() | 6551 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 52 | N-canal | 250 V | 9.4a (TC) | 10V | 420mohm @ 4.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | KSH50TF | - | ![]() | 3176 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 15 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 400 V | 1 A | 200 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd5n20ltf | - | ![]() | 9925 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 834 | N-canal | 200 V | 3.8a (TC) | 5V, 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 250 µA | 6.2 NC @ 5 V | ± 20V | 325 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdma410nzt | - | ![]() | 6910 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Mosfet (Óxido de metal) | 6-UDFN (2.05x2.05) | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDMA410NZT-600039 | 1 | N-canal | 20 V | 9.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 9.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1310 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76419S3S | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA8N80 | 1.5900 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 8.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 4.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 30V | 2350 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7088N3 | 2.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 21a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 21a, 10v | 3V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 20V | 3845 pf @ 15 V | - | 3W (TA) |
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