SIC
close

Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
RN2711(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2711 200MW 5-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 400 @ 1 mapa, 5V 200MHz 10 kohms -
TTA003,L1NQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TTA003, L1NQ (O 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TTA003 10 W Moldeado descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1930,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, Q (J -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1930 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v 200MHz
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2310 (TE85L, F) 0.0474
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2310 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
2SC5096-R,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5096-R, LF -
RFQ
 ECAD 8066 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5096 100MW SSM - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 1.4db 10V 15 Ma NPN 50 @ 7MA, 6V 10GHz 1.4db @ 1ghz
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2904 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X, S1F 11.2600
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK62N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 61.8a (TA) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1427te85lf 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 MMA, 50 MAPA 90 @ 100mA, 1V 300 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6F (J -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TPCA8009-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8009-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8009 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 7a (TA) 10V 350mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2505TE85LF 0.3400
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN2505 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4793 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4984 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
2SC2229-Y(SHP,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (SHP, F, M) -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LF (CT 0.2400
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4989 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 47 kohms 22 kohms
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y (Q) -
RFQ
 ECAD 1152 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SA1244 1 W Moldeado - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 200 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 150 mA, 3a 120 @ 1a, 1V 60MHz
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2965FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7583 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2965 100MW ES6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 2.2 kohms 47 kohms
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 HN1B04 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK9A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 9.3a (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 300 V - 30W (TC)
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y, T2PASF (M -
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC3669 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 80 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2308 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2308 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1130MFV, L3F 0.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1130 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 250 MHz 100 kohms 100 kohms
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT, L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3J56 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 1.4a (TA) 1.2V, 4.5V 390mohm @ 800 mA, 4.5V 1V @ 1MA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 100 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE, LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1907 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
TK31N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60X, S1F 5.9700
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK31N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10v 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
2SA1587-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1587-BL, LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SA1587 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 2mA, 6V 100MHz
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1911 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 2298 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar