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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1427te85lf 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 800 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 MMA, 50 MAPA 90 @ 100mA, 1V 300 MHz 2.2 kohms 10 kohms
2SC5095-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5095-R (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC5095 100MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 13dB ~ 7.5dB 10V 15 Ma NPN 50 @ 7MA, 6V 10GHz 1.8db @ 2ghz
SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Ssm6l16fete85lf 0.3800
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6L16 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Vecino del canal 20V 100mA 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA - 9.3pf @ 3V -
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (Onk, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9307 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC5171 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5 µA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v 200MHz
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1103 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE, LF (CT 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4983 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2110CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1745 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2110 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 4.7 kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6F (J -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4793 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Kehinq (M -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1931 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225, T6AlPSF (M -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC3225 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 40 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mm, 300 mA 500 @ 400mA, 1V 220MHz
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC5930 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 75 mm, 600 mA 40 @ 200Ma, 5V -
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S, LF (D -
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2402 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) RN2402SLF (D EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (M -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6cano, F, M -
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD2695 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 100MHz
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600Anh, L1Q 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN1600 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 16mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 200 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 50 V - 700MW (TA), 42W (TC)
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, SWFF (M -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA965 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z, S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK040N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 57a (TA) 10V 40mohm @ 28.5a, 10V 4V @ 2.85 Ma 105 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 300 V - 360W (TC)
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2306 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (T6CANOFM -
RFQ
 ECAD 1780 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2sc2235yt6canofm EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1104 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 47 kohms 47 kohms
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1965 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 (T5L, F, T) 0.0394
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4991 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz, 200MHz 10 kohms -
RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2704JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2704 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1414, LF 0.1900
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1414 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1101 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 4.7 kohms
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (SHP1, F, M -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2610 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF (D -
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto SSM3K17 - 1 (ilimitado) SSM3K17SULF (D EAR99 8541.21.0095 3.000 100 mA (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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