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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN4907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4907 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4907 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2Mitum, FM -
RFQ
 ECAD 5521 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC5930 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 75 mm, 600 mA 40 @ 200Ma, 5V -
2SA1761,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1761, T6F (J -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1761 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mV @ 75 mm, 1.5a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6012 Mosfet (Óxido de metal) VS-6 (2.9x2.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 3a, 4.5V 1.2V @ 200 µA 9 NC @ 5 V ± 12V 630 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RN2404TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2404te85lf -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
2SA949-Y,ONK-1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (J -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA949 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1 MMA, 10a 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC2235-O(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6FJT, AF -
RFQ
 ECAD 2992 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, Nseikif (J -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC4793 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6K341 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 6a (TA) 4V, 10V 36mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1970FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1970 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y, T6ASNF (J -
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1315 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 80 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 80MHz
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1908 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
2SJ360(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360 (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SJ360 Mosfet (Óxido de metal) PW-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1,000 Canal P 60 V 1a (TA) 4V, 10V 730mohm @ 500 mA, 10V 2v @ 1 mapa 6.5 NC @ 10 V ± 20V 155 pf @ 10 V - 500MW (TA)
2SC6026CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026CT-Gr, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 2SC6026 100 MW CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 60MHz
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162S-Y, LF -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2903 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 6955 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6901 400MW VS-6 (2.9x2.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 1a, 700 mA 100NA (ICBO) NPN, PNP 170mv @ 6mA, 300 mm / 230mv @ 10 mA, 300 mA 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100 mm, 2V -
TK290A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK290A60Y, S4X 1.7600
RFQ
 ECAD 4892 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK290A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 35W (TC)
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K344R, LF 0.4400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K344 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3a (TA) 1.5V, 4.5V 71mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 2 NC @ 4 V ± 8V 153 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM6J801R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J801R, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Ssm6j801 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP-F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 32.5mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 V +6V, -8V 840 pf @ 10 V - 1.5W (TA)
TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W, RQ 2.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK14G65 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W, S1F 6.3000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK28N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 27.6a (TA) 10V 110mohm @ 13.8a, 10v 3.5V @ 1.6MA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J338R, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J338 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 6a (TA) 1.8v, 8V 17.6mohm @ 6a, 8V 1V @ 1MA 19.5 NC @ 4.5 V ± 10V 1400 pf @ 6 V - 1W (TA)
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K72CTC, L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K72 Mosfet (Óxido de metal) CST3C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 150MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20V 17 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK15J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage TK15J60U (F) -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosii Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK15J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 15a (TA) 10V 300mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 10 V - 170W (TC)
TPC8018-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 5235 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8018 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 9a, 10v 2.3V @ 1MA 38 NC @ 10 V ± 20V 2265 pf @ 10 V - 1W (TA)
TPC8022-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8022-H (TE12LQ, M -
RFQ
 ECAD 4030 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8022 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 7.5a (TA) 4.5V, 10V 27mohm @ 3.8a, 10v 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 10 V - 1W (TA)
TPC8032-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8032-H (TE12LQM) -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8032 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 15a (TA) 6.5mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 1MA 33 NC @ 10 V 2846 pf @ 10 V - -
TPCA8012-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8012-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9067 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8012 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 40a (TA) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 42 NC @ 10 V ± 20V 3713 pf @ 10 V - -
TPCA8021-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8021-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 9896 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8021 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 27a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 2.3V @ 1MA 23 NC @ 10 V ± 20V 1395 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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