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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 5-smd, planos de cables SSM5H90 Mosfet (Óxido de metal) UFV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.4a (TA) 2.5V, 4V 65mohm @ 1.5a, 4V 1.2V @ 1MA 2.2 NC @ 4 V ± 10V 200 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6K208 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 30 V 1.9a (TA) 1.8v, 4V 133mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V - 500MW (TA)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6N40 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) UF6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 1.6a (TA) 122mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA 5.1NC @ 10V 180pf @ 15V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707, LF 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1707 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 10 kohms 47 kohms
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1709 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 22 kohms
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 100MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4908 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22 kohms 47 kohms
RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE, LF (CT 0.2500
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4988 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LF (CT 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2103 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (CT 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2113 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 47 kohms
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2303 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2SA2154 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195, LF 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables 2SA2195 500 MW UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 1.7 A 100NA (ICBO) PNP 200 MV @ 33MA, 1A 200 @ 300mA, 2V -
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-Gr, LF 0.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4117 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 2mA, 6V 100MHz
TK1K7A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK1K7A60F, S4X 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK1K7A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TA) 10V 1.7ohm @ 2a, 10v 4V @ 460 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 560 pf @ 300 V - 35W (TC)
TK16J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W, S1VE 5.0500
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 190mohm @ 7.9a, 10v 3.7V @ 790 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
TPN2R903PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R903PL, L1Q 0.8300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN2R903 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 35a, 10v 2.1V @ 200 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 630MW (TA), 75W (TC)
TK3R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3A06PL, S4X 1.8000
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK3R3A06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 700 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 30 V - 42W (TC)
TK6R7A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R7A10PL, S4X 1.5200
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6R7A10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 56a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 28a, 10v 2.5V @ 500 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 3455 pf @ 50 V - 42W (TC)
TK2K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2K2A60F, S4X 0.9400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK2K2A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 3.5a (TA) 10V 2.2ohm @ 1.8a, 10V 4V @ 350 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL, LQ 1.1600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH2R104 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 50A, 10V 2.4V @ 500 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 6230 pf @ 20 V - 830MW (TA), 116W (TC)
TK62Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62Z60X, S1F 17.4600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 TK62Z60 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l (t) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 61.8a (TA) 10V 40mohm @ 21a, 10v 3.5V @ 3.1MA 135 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
TK17V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK17V65W, LQ 3.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK17V65 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 17.3a (TA) 10V 210mohm @ 8.7a, 10v 3.5V @ 900 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 300 V - 156W (TC)
TK49N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W, S1F 11.1100
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK49N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 49.2a (TA) 10V 55mohm @ 24.6a, 10v 3.5V @ 2.5MA 160 NC @ 10 V ± 30V 6500 pf @ 300 V - 400W (TC)
TK110P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK110P10PL, RQ 0.9600
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK110P10 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 40A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 300 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 50 V - 75W (TC)
TK5R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R3A06PL, S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK5R3A06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 56a (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 28a, 10v 2.5V @ 300 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2380 pf @ 30 V - 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricantes mundiales

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