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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SC2229-Y(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (SHP1, F, M -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K339 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 2a (TA) 1.8v, 8V 185mohm @ 1a, 8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3325-O (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC3325 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 100 mapa, 1v 300MHz
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 (FJTN, F, M) -
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2482 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 300 V 100 mA 1 µA (ICBO) NPN 1v @ 1 mapa, 10 mapa 30 @ 20MA, 10V 50MHz
TTC4116FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC4116FU, LF 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 TTC4116 100 MW SC-70 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-BL, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 150 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA2070(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2070 (TE12L, F) 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SA2070 1 W PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 10 mm, 300 Ma 200 @ 100 mapa, 2v -
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-BL, LF 0.3200
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 2mA, 6V 100MHz
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (TPE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2989 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
2SC4215-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4215-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4215 100MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 17DB ~ 23dB 30V 20 Ma NPN 100 @ 1 MMA, 6V 550MHz 2dB ~ 5dB @ 100MHz
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1, LQ 1.5900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5.75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 150A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 15 V - 800MW (TA), 170W (TC)
2SC2655-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-O (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
HN2C01FU-GR(T5L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2C01FU-Gr (T5L, F) 0.0865
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN2C01 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881-Y (TE12L, ZC 0.4900
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1,000 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 100 mapa, 5V 120MHz
2SD2206A(T6SEP,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206A (T6SEP, F, M -
RFQ
 ECAD 4911 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD2206 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 120 V 2 A - NPN 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v -
SSM6N951L,EFF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N951L, EFF 0.9900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo SSM6N951 Mosfet (Óxido de metal) - 6-TCSPA (2.14x1.67) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10,000 2 canales (dual) Drenaje Común 12V 8A 5.1mohm @ 8a, 4.5V - - - -
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
2SC2714-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-O (TE85L, F) 0.0964
RFQ
 ECAD 6404 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 23dB 30V 20 Ma NPN 70 @ 1 MMA, 6V 550MHz 2.5dB @ 100MHz
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P15 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 100mA 12ohm @ 10mA, 4V 1.7V @ 100 µA - 9.1pf @ 3V -
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1103 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1510 (TE85L, F) 0.4500
RFQ
 ECAD 142 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN1510 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 4.7 kohms -
2SA1428-Y,T2F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-Y, T2F (M -
RFQ
 ECAD 5045 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1428 900 MW MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1429-Y(T2TR,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1429-Y (T2TR, F, M -
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1429 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 80 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 80MHz
2SA1020-O,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, T6CSF (J -
RFQ
 ECAD 8987 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM6N35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N35FE, LM 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6N35 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 180 Ma 3ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V Puerta de Nivel Lógico
2SJ438(AISIN,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438 (Aisin, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2864 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SJ438 Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 5A (TJ)
2SA1020A,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020A, Nseikif (J -
RFQ
 ECAD 2572 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2113 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 47 kohms
RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2710JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2710 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
RN2411,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2411, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2411 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 10 kohms
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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