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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SC4738-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-BL (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC4738 100 MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 350 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1906 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1906 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SC4604,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4604, T6F (M -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC4604 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mV @ 75 mm, 1.5a 120 @ 100 mapa, 2v 100MHz
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 TPC6110 Mosfet (Óxido de metal) VS-6 (2.9x2.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 4.5a (TA) 56mohm @ 2.2a, 10v 2V @ 100 µA 14 NC @ 10 V 510 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1107 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
2SA949-Y,ONK-1F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y, ONK-1F (M -
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA949 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1 MMA, 10a 70 @ 10mA, 5V 120MHz
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2902 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV, L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 SSM3K37 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 20 V 250 mA (TA) 1.5V, 4.5V 2.2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 1MA ± 10V 12 pf @ 10 V - 150MW (TA)
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2859-Gr (TE85L, F -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2859 150 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 100 mapa, 1v 300MHz
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1103 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
2SC2229-O(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6SAN2FM -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SC2229OT6SAN2FM EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O, LF -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mera NPN 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1316 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y, LF -
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mera NPN 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
TPCA8008-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 4A (TA) 10V 580mohm @ 2a, 10v 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SC5200N(S1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200N (S1, E, S) 2.2100
RFQ
 ECAD 3081 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SC5200 150 W A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2SC5200N (S1ES) EAR99 8541.29.0075 25 230 V 15 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2702te85lf -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200MW 5-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
TK100A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK100A08N1, S4X 3.7500
RFQ
 ECAD 2898 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK100A08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 100A (TC) 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 40 V - 45W (TC)
2SC2655-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, F (J -
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SK2719(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719 (f) -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2719 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3a (TA) 10V 4.3ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 125W (TC)
2SA1020-Y(T6CANOAF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6canoaf -
RFQ
 ECAD 9776 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SA1020yt6canoaf EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN1108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1108ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1108 100 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 22 kohms 47 kohms
RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1106 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 47 kohms
RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3F (CT 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1106 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 1 MMA, 5V 4.7 kohms 47 kohms
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J371 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.5V, 4.5V 55mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 10.4 NC @ 4.5 V +6V, -8V 630 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK72E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1, S1X 2.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK72E12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 72a (TA) 10V 4.4mohm @ 36a, 10v 4V @ 1MA 130 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 60 V - 255W (TC)
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
HN2C01FEYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Hn2c01feyte85lf 0.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 HN2C01 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 60MHz
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B, LM 0.1600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TBC847 320 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 30NA (ICBO) NPN 400mv @ 100 mm, 5 ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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