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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ4080EY-T1_GE3 | 1.3300 |  | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4080 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 18a (TC) | 10V | 85mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 75 V | - | 7.1W (TC) | ||||||||
 | SQJ158EP-T1_GE3 | 0.7300 | | 4045 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj158 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||
 | SiHG15N60E-GE3 | 3.3200 | | 7640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg15 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | ||||||||
| SiHG47N60AE-GE3 | 7.7900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 43a (TC) | 10V | 65mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 182 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | ||||||||
 | SIHP22N60AE-GE3 | 1.9830 | | 8658 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP22 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1451 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | ||||||||
 | SQD70140EL_GE3 | 1.2100 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD70140 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||
| SQD90P04-9M4L_GE3 | 2.7600 | | 88 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6675 pf @ 20 V | - | 136W (TC) | ||||||||
 | Sir610DP-T1-RE3 | 1.8800 | | 4446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir610 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 35.4a (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | ||||||||
 | Sis435dnt-t1-ge3 | 0.7900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS435 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 30A (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.4mohm @ 13a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 180 NC @ 8 V | ± 8V | 5700 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | ||||||||
 | SISS27DN-T1-GE3 | 0.8400 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS27 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 5250 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | ||||||||
| SI7456DDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 9553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 27.8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 29.5 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 35.7W (TC) | ||||||||
 | SiHP8N50D-GE3 | 1.4000 | | 280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP8 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 527 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
| Sq7415aen-t1_ge3 | - | | 7233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7415 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||
 | SI8809EDB-T2-E1 | - | | 9905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga | SI8809 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.94 (TA) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 1.5a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 15 NC @ 8 V | ± 8V | - | 500MW (TA) | ||||||||
| SiHG16N50C-E3 | 4.5900 | | 5230 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg16 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||
| SiHW47N65E-GE3 | - | | 6900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 273 NC @ 10 V | ± 20V | 5682 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | ||||||||
 | Sir770DP-T1-GE3 | 1.1800 | | 7601 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sir770 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
| SIS776DN-T1-GE3 | - | | 9894 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS776 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SST201-T1-E3 | - | | 5427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST201 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 4.5pf @ 15V | 40 V | 200 µA @ 15 V | 300 MV @ 10 na | |||||||||||||
| SST204-E3 | - | | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 4.5pf @ 15V | 40 V | 200 µA @ 15 V | 300 MV @ 10 na | |||||||||||||
| SST204-T1-E3 | - | | 8684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST204 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 4.5pf @ 15V | 25 V | 200 µA @ 15 V | 300 MV @ 10 na | |||||||||||||
| SST4119-T1-E3 | - | | 4656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4119 | 350 MW | Un 236 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 Na | |||||||||||||
| SST5486-E3 | - | | 7733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 5PF @ 15V | 25 V | 8 Ma @ 15 V | 2 v @ 10 na | |||||||||||||
| SST5486-T1-E3 | - | | 8951 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5486 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 5PF @ 15V | 25 V | 8 Ma @ 15 V | 2 v @ 10 na | |||||||||||||
| U290-E3 | - | | 1859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | U290 | 500 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 160pf @ 0V | 30 V | 500 mA @ 10 V | 4 V @ 3 Na | 3 ohmios | ||||||||||||
| VP0300B-E3 | - | | 2220 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | - | VP0300 | Mosfet (Óxido de metal) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Canal P | 30 V | 320MA (TA) | 2.5ohm @ 1a, 12v | 4.5V @ 1MA | 150 pf @ 15 V | - | - | ||||||||||||
| IRFP26N60L | - | | 3859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP26 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 26a (TC) | 10V | 250mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5020 pf @ 25 V | - | 470W (TC) | |||||||
| IRFP27N60K | - | | 8116 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP27 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 27a (TC) | 10V | 220mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 4660 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||
 | SI1034CX-T1-GE3 | 0.3700 | | 129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1034 | Mosfet (Óxido de metal) | 220MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 610 Ma (TA) | 396mohm @ 500 mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2NC @ 8V | 43pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| SI2366DS-T1-GE3 | 0.4600 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2366 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TC) | 10V | 36mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 335 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) |
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