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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfp354pbf | - |  | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP354 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp354pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 450 V | 14a (TC) | 10V | 350mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
 | SI6933DQ-T1-GE3 | - | | 7142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | - | 45mohm @ 3.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 30NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRF634SPBF | - | | 3817 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF634SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||
 | IRL640 | - | | 2666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI7476DP-T1-GE3 | - | | 6317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 177 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | |||||
 | SI4561DY-T1-GE3 | - | | 4751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4561 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W, 3.3W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 40V | 6.8a, 7.2a | 35.5mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 640pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIS892DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 8714 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS892 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 21.5 NC @ 10 V | ± 20V | 611 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| Si9926bdy-t1-e3 | - | | 7743 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.14W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6.2a | 20mohm @ 8.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira52 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7150 pf @ 20 V | - | 48W (TC) | |||||
| IRFPF40PBF | 4.4500 | | 375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPF40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfpf40pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 900 V | 4.7a (TC) | 10V | 2.5ohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | SUD50P08-26-E3 | - | | 1385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 80 V | 50A (TC) | 10V | 26mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 40 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||
| IRFPC50LCPBF | 4.0688 | | 4345 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPC50LCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
 | SQJ848EP-T1_GE3 | 1.6600 | | 3110 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj848 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 20 V | - | 68W (TC) | ||||||
 | Irfu9010pbf | 1.5200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9010pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 50 V | 5.3a (TC) | 10V | 500mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 9.1 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | ||||
| Si9934bdy-t1-ge3 | - | | 3322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9934 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | V30365-T1-GE3 | - | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30365 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| IRL640S | - | | 5588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL640S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 66 NC @ 5 V | ± 10V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | Sq7002k-t1-ge3 | - | | 2030 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sq7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 320MA (TC) | 4.5V, 10V | 1.3ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 24 pf @ 30 V | - | 500MW (TC) | |||||
 | Irc644pbf | - | | 7967 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC644 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc644pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | Detección real | 125W (TC) | |||
| SI4100DY-T1-E3 | 1.3200 | | 39 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4100 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 6.8a (TC) | 6V, 10V | 63mohm @ 4.4a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SI1902DL-T1-GE3 | 0.5200 | | 127 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1902 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 660ma | 385mohm @ 660 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFI9530GPBF | 2.3000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi9530gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | ||||
| SUP85N10-10P-GE3 | - | | 6079 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 85A (TC) | 10V | 10mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 50 V | - | 3.75W (TA), 227W (TC) | ||||
 | SIB456DK-T1-GE3 | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 6.3a (TC) | 4.5V, 10V | 185mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 5 NC @ 10 V | ± 20V | 130 pf @ 50 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
| SIB417EDK-T1-GE3 | 0.3969 | | 7299 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB417 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 58mohm @ 5.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 5V | 565 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||
| SI4838DY-T1-E3 | 3.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4838 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 17a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3mohm @ 25A, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 60 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
| Irf1405ztrl | - | | 4583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF1405 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 4780 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||
| SI2307BDS-T1-GE3 | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2307 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 10V | 78mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
| Irfu310pbf | 1.4900 | | 8291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu310pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRF9640 | - | | 3506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9640 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9640 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 11a (TC) | 10V | 500mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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