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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)
SI3867DV-T1-GE3	-	RFQ	6583	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3867	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	3.9a (TA)	2.5V, 4.5V	51mohm @ 5.1a, 4.5V	1.4V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 12V		-	1.1W (TA)
SI1433DH-T1-E3	-	RFQ	3152	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1433	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	30 V	1.9a (TA)	4.5V, 10V	150mohm @ 2.2a, 10v	3V @ 100 µA	5 NC @ 4.5 V	± 20V		-	950MW (TA)
IRF9540SPBF	3.7800	RFQ	6265	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9540	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		Canal P	100 V	19a (TC)	10V	200mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 150W (TC)
SI8800EDB-T2-E1	0.4700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-XFBGA, CSPBGA	SI8800	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	20 V	2a (TA)	1.5V, 4.5V	80mohm @ 1a, 4.5V	1V @ 250 µA	8.3 NC @ 8 V	± 8V		-	500MW (TA)
IRFR010TRLPBF	0.6218	RFQ	8020	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR010	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	50 V	8.2a (TC)	10V	200mohm @ 4.6a, 10v	4V @ 250 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	250 pf @ 25 V	-	25W (TC)
Irfr224trl	-	RFQ	2585	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR224	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	250 V	3.8a (TC)	10V	1.1ohm @ 2.3a, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 42W (TC)
SI1988DH-T1-E3	-	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1988	Mosfet (Óxido de metal)	1.25W	SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a, 4.5V	1V @ 250 µA	4.1NC @ 8V		110pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
Sir640DP-T1-GE3	-	RFQ	4553	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir640	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	60A (TC)	4.5V, 10V	1.7mohm @ 20a, 10v	2.3V @ 250 µA	113 NC @ 10 V	± 20V	4930 pf @ 20 V	-	6.25W (TA), 104W (TC)
Irfu1n60a	-	RFQ	9851	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU1	Mosfet (Óxido de metal)		Un 251AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfu1n60a	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal	600 V	1.4a (TC)	10V	7ohm @ 840 mm, 10v	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	229 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SI5403DC-T1-GE3	1.0400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5403	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	6a (TC)	4.5V, 10V	30mohm @ 7.2a, 10V	3V @ 250 µA	42 NC @ 10 V	± 20V	1340 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 6.3W (TC)
SI5905BDC-T1-GE3	-	RFQ	2661	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5905	Mosfet (Óxido de metal)	3.1W	1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal P (Dual)		8V	4A		80mohm @ 3.3a, 4.5V	1V @ 250 µA	11NC @ 8V		350pf @ 4V	Puerta de Nivel Lógico
SI6467BDQ-T1-GE3	-	RFQ	3762	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6467	Mosfet (Óxido de metal)		8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	6.8a (TA)		12.5mohm @ 8a, 4.5V	850MV @ 450 µA	70 NC @ 4.5 V			-
Irfi530g	-	RFQ	5961	Vishay Siliconix	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	Irfi530	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfi530g	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	100 V	9.7a (TC)	10V	160mohm @ 5.8a, 10v	4V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	670 pf @ 25 V	-	42W (TC)
SI3410DV-T1-GE3	0.8300	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	SI3410	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	8a (TC)	4.5V, 10V	19.5mohm @ 5a, 10v	3V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	1295 pf @ 15 V	-	2W (TA), 4.1W (TC)
SIHP25N40D-E3	3.0600	RFQ	8185	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SIHP25	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	25A (TC)	10V	170mohm @ 13a, 10v	5V @ 250 µA	88 NC @ 10 V	± 30V	1707 pf @ 100 V	-	278W (TC)
SIS606BDN-T1-GE3	1.4900	RFQ	7649	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS606	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	9.4a (TA), 35.3a (TC)	7.5V, 10V	17.4mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1470 pf @ 50 V	-	3.7W (TA), 52W (TC)
SISA66DN-T1-GE3	0.3959	RFQ	1728	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sisa66	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	40A (TC)	4.5V, 10V	2.3mohm @ 15a, 10v	2.2V @ 1MA	66 NC @ 10 V	+20V, -16V	3014 pf @ 15 V	-	52W (TC)
Irfz40pbf	2.7800	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRFZ40	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		*Irfz40pbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	60 V	50A (TC)	10V	28mohm @ 31a, 10v	4V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	150W (TC)
SI4108DY-T1-GE3	-	RFQ	4287	Vishay Siliconix	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4108	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	75 V	20.5a (TC)		9.8mohm @ 13.8a, 10v	4V @ 250 µA	54 NC @ 10 V		2100 pf @ 38 V	-
IRF9620Strl	-	RFQ	3041	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9620	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	200 V	3.5A (TC)	10V	1.5ohm @ 1.5a, 10v	4V @ 250 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	3W (TA), 40W (TC)
IRFR9020TRPBF	1.8700	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9020	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	50 V	9.9a (TC)	10V	280mohm @ 5.7a, 10V	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 20V	490 pf @ 25 V	-	42W (TC)
Sir826dp-T1-RE3	0.9999	RFQ	3488	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir826	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	80 V	60A (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 20a, 10v	2.8V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 40 V	-	104W (TC)
IRF710PBF-BE3	1.1100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF710	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)		742-IRF710PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	400 V	2a (TC)		3.6ohm @ 1.2a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	170 pf @ 25 V	-	36W (TC)
SI2311DS-T1-GE3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SI2311	Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	8 V	3a (TA)	1.8V, 4.5V	45mohm @ 3.5a, 4.5V	800mv @ 250 µA	12 NC @ 4.5 V	± 8V	970 pf @ 4 V	-	710MW (TA)
Sud50n02-06p-ge3	-	RFQ	2065	Vishay Siliconix	*	Tape & Reel (TR)	Activo				Sud50				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000
SI5475BDC-T1-E3	-	RFQ	8312	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5475	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	6a (TA)	1.8V, 4.5V	28mohm @ 5.6a, 4.5V	1V @ 250 µA	40 NC @ 8 V	± 8V	1400 pf @ 6 V	-	2.5W (TA), 6.3W (TC)
IRF510StrlPBF	1.4900	RFQ	320	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF510	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	100 V	5.6a (TC)	10V	540mohm @ 3.4a, 10V	4V @ 250 µA	8.3 NC @ 10 V	± 20V	180 pf @ 25 V	-	43W (TC)
SI1426DH-T1-E3	-	RFQ	1104	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1426	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	2.8a (TA)	4.5V, 10V	75mohm @ 3.6a, 10v	2.5V @ 250 µA	3 NC @ 4.5 V	± 20V		-	1W (TA)
Siz920dt-t1-ge3	-	RFQ	6771	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	Siz920	Mosfet (Óxido de metal)	39W, 100W	8PowerPair® (6x5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canales N (Medio Puente)		30V	40A		7.1mohm @ 18.9a, 10v	2.5V @ 250 µA	35nc @ 10V		1260pf @ 15V	-
SIA477EDJT-T1-GE3	0.4800	RFQ	7823	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen III	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6	SIA477	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6 Single	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	12 V	12a (TC)	1.8V, 4.5V	13mohm @ 5a, 4.5V	1V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 8V	3050 pf @ 6 V	-	19W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5716)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²