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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA918EDJ-T1-GE3 | 0.4800 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA918 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.5A (TC) | 58mohm @ 3a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 5.5nc @ 4.5V | - | - | |||||||
 | SQJ481EP-T1_GE3 | 1.0000 | | 3253 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj481 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | SIA429DJT-T1-GE3 | 0.6200 | | 5578 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA429 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 20.5mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 62 NC @ 8 V | ± 8V | 1750 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SiHK105N60EF-T1GE3 | 5.8000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2301 pf @ 100 V | - | 142W (TC) | ||||||
 | SUD50N10-34P-T4-E3 | - | | 6384 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 5.9a (TA), 20a (TC) | 6V, 10V | 34mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 56W (TC) | ||||
 | SQJQ186ER-T1_GE3 | 2.9300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Ala de Gaviota | SQJQ186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 329A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 10552 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||
 | SI7322DN-T1-GE3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7322 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18a (TC) | 10V | 58mohm @ 5.5a, 10V | 4.4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIDR610DP-T1-GE3 | 3.4200 | | 4634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR610 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 8.9a (TA), 39.6a (TC) | 7.5V, 10V | 31.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 100 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | SUP50020EL-GE3 | 3.0600 | | 6173 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 126 NC @ 10 V | ± 20V | 11113 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI6544BDQ-T1-GE3 | - | | 9899 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6544 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 15NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sum90330e-ge3 | 1.7200 | | 9823 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90330 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 35.1a (TC) | 7.5V, 10V | 37.5mohm @ 12.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | |||||
 | IRFP460APBF | 4.9800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFP460APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 30V | 3100 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
| SI7409Adn-T1-E3 | - | | 6256 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7409 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 7a (TA) | 2.5V, 4.5V | 19mohm @ 11a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 40 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI1553CDL-T1-GE3 | 0.5000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1553 | Mosfet (Óxido de metal) | 340MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 700 Ma, 500 Ma | 390mohm @ 700 mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.8nc @ 10V | 38pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfbf20strr | - | | 9935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||
| IRF540Strr | - | | 8233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | SI7172DP-T1-GE3 | 2.8200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7172 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 25A (TC) | 6V, 10V | 70mohm @ 5.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 2250 pf @ 100 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
| SUD08P06-155L-T4E3 | - | | 1129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud08 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8.4a (TC) | 4.5V, 10V | 155mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 1.7W (TA), 20.8W (TC) | ||||
 | IRFR214TRL | - | | 8939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI3909DV-T1-GE3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3909 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.15W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | - | 200mohm @ 1.8a, 4.5V | 500mV @ 250 µA (min) | 4NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF614 | - | | 5470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF614 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||
 | SIE808DF-T1-E3 | 3.9800 | | 6782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE808 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 8800 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irfd9014pbf | 1.3900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd9014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.1a (TA) | 10V | 500mohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI2308BDS-T1-E3 | 0.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) | ||||
| IRFR420TR | - | | 2389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| IRFR320TRL | - | | 3616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SQJ416EP-T1_GE3 | 0.9800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 27a (TC) | 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | IRLI620G | - | | 4748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI620G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 4A (TC) | 4V, 5V | 800mohm @ 2.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
| SI7439DP-T1-E3 | 3.9800 | | 2592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7439 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 3a (TA) | 6V, 10V | 90mohm @ 5.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | Siha15n50e-e3 | 2.2000 | | 7467 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 14.5A (TC) | 10V | 280mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 30V | 1162 pf @ 100 V | - | 33W (TC) |
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