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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4136dy-t1-ge3 | 1.6300 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4136 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4560 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SQ1912AEEH-T1_GE3 | 0.4900 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 800 mA (TC) | 280mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.25nc @ 4.5V | 27pf @ 10V | - | ||||||||
 | SI5913DC-T1-GE3 | - | | 5112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3.7a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SUP85N10-10-GE3 | 6.6200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 6550 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | ||||||
 | SQ4153EY-T1_GE3 | 1.6500 | | 6784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4153 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 12 V | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.32mohm @ 14a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 151 NC @ 4.5 V | ± 8V | 11000 pf @ 6 V | - | 7.1W (TC) | ||||||
 | SQM120N03-1M5L_GE3 | 3.8200 | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 15605 pf @ 15 V | - | 375W (TC) | |||||
| SUP28N15-52-E3 | - | | 3391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP28 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 28a (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||
 | IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
| SUP70N03-09BP-E3 | - | | 2489 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 19 NC @ 5 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 93W (TC) | |||||
 | IRFL210TRPBF-BE3 | 0.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl210 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFL210TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 960MA (TC) | 1.5ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | IRFR320TRLPBF | 1.7700 | | 5583 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||
 | SI3483DV-T1-E3 | - | | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3483 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | Irfu014pbf | 1.3900 | | 34 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRF9520Strl | - | | 5232 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SI5442DU-T1-GE3 | 0.6300 | | 9052 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5442 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 10mohm @ 8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1700 pf @ 10 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | SI7611DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 3561 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SI7611 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 9.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 1980 pf @ 20 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SI1303DL-T1-GE3 | - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1303 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 670MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 430mohm @ 1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 2.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||
| Irfz44pbf | 2.0400 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz44pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | Irfdc20 | - | | 5440 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfdc20 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfdc20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 320MA (TA) | 10V | 4.4ohm @ 190mA, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||
| SI1553DL-T1-GE3 | - | | 7147 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1553 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 660MA, 410MA | 385mohm @ 660 mm, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 1.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFB9N60A | - | | 4304 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9N60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb9n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||
 | SQJQ404E-T1_GE3 | 2.8100 | | 5732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 10V | 1.72mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 16480 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| SI7818DN-T1-GE3 | 1.6600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7818 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | IRL540L | - | | 1540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL540L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | - | 64 NC @ 5 V | ± 10V | 2200 pf @ 25 V | - | - | |||
| IRLR014TRPBF | 1.0500 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
| SI4427BDY-T1-E3 | 1.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4427 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9.7a (TA) | 2.5V, 10V | 10.5mohm @ 12.6a, 10V | 1.4V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI7405BDN-T1-E3 | - | | 7411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7405 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 1.8V, 4.5V | 13mohm @ 13.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 115 NC @ 8 V | ± 8V | 3500 pf @ 6 V | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | |||||
 | TP0202K-T1-E3 | - | | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 385MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 31 pf @ 15 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | SI7464DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 8218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7464 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||
| SI5935CDC-T1-E3 | 0.5500 | | 4958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5935 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4A | 100mohm @ 3.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11NC @ 5V | 455pf @ 10V | - |
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