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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TP0202K-T1-E3 | - |  | 9227 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 385MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 31 pf @ 15 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | SI7464DP-T1-GE3 | 1.8900 | | 8218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7464 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 1.8a (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 2.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||
 | SI5935CDC-T1-E3 | 0.5500 | | 4958 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5935 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4A | 100mohm @ 3.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11NC @ 5V | 455pf @ 10V | - | ||||||
 | IRLI630GPBF | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLI630GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 6.2a (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 3.7a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
| SI7439DP-T1-GE3 | 3.9800 | | 1182 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7439 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 3a (TA) | 6V, 10V | 90mohm @ 5.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SI3451DV-T1-GE3 | - | | 2430 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3451 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.1 NC @ 5 V | ± 12V | 250 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | ||||
| SI7748DP-T1-GE3 | - | | 8478 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7748 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 15a, 10v | 2.7V @ 1MA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 3770 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 56W (TC) | |||||
 | SI7540AdP-T1-GE3 | 1.7500 | | 574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7540 | - | 3.5w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 12a, 9a | 28mohm @ 12a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 1310pf @ 10V | - | |||||||
| Sir864dp-t1-ge3 | - | | 8959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir864 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2460 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
 | SiHG70N60EF-GE3 | 8.8305 | | 3473 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg70 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 70A (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 7500 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
 | Irfbe30pbf | 2.2500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbe30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI1069X-T1-GE3 | - | | 1073 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1069 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 940MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 184mohm @ 940 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 6.86 NC @ 5 V | ± 12V | 308 pf @ 10 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | SIHB30N60E-GE3 | 6.0700 | | 879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SIHB30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB30N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
 | SIA810DJ-T1-E3 | - | | 7278 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA810 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 53mohm @ 3.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11.5 NC @ 8 V | ± 8V | 400 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | ||||
 | SIE806DF-T1-GE3 | - | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE806 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 12V | 13000 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
 | SI4825DDY-T1-GE3 | 0.9400 | | 128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4825 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 14.9a (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 25V | 2550 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI7160DP-T1-GE3 | - | | 7644 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7160 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 16V | 2970 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | ||||
| SQ4850EY-T1_GE3 | 1.3700 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4850 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | |||||
| SiHG17N60D-GE3 | 2.4665 | | 5395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | |||||
 | IRFR024 | - | | 8624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| IRF710StrlPBF | 1.6700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||
| IRFR9214TRL | - | | 6458 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
 | SQA470EJ-T1_GE3 | 0.6300 | | 8742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sqa470 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.25a (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 440 pf @ 20 V | - | 13.6W (TC) | |||||
| SI5905DC-T1-E3 | - | | 9289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3A | 90mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRFPS37N50APBF | - | | 8060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS37 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPS37N50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 500 V | 36A (TC) | 10V | 130mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 30V | 5579 pf @ 25 V | - | 446W (TC) | ||||
| IRF9530STRR | - | | 2934 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SI4804CDY-T1-E3 | - | | 3564 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4804 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 865pf @ 15V | - | |||||||
| IRFPG40 | - | | 9824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG40 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPG40 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 1000 V | 4.3a (TC) | 10V | 3.5ohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
 | IRF820LPBF | 0.8983 | | 4248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF820LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||
| SIRA50AdP-T1-RE3 | 1.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira50 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 54.8a (TA), 219a (TC) | 4.5V, 10V | 1.04mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7300 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 100W (TC) |
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