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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Si4864dy-t1-e3 | 2.1227 |  | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4864 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 17a (TA) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 25A, 4.5V | 2V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SI3993CDV-T1-GE3 | 0.5100 | | 9869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3993 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.9a | 111mohm @ 2.5a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 8NC @ 10V | 210pf @ 15V | - | |||||||
 | IRFP17N50L | - | | 3392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP17N50L | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | |||
 | Siz260dt-t1-ge3 | 1.2100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz260 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 8.9a (TA), 24.7a (TC), 8.9a (TA), 24.6a (TC) | 24.5mohm @ 10a, 10v, 24.7mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 820pf @ 40V | - | |||||||
| SI4890BDY-T1-GE3 | - | | 5032 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4890 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 25V | 1535 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5.7W (TC) | |||||
 | Irfd420pbf | 1.8600 | | 8782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd420 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd420pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 370MA (TA) | 10V | 3ohm @ 220 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | IRF740ATRRPBF | 1.8357 | | 5204 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irfl9014 | - | | 1285 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl9014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl9014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Canal P | 60 V | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||
| IRFP264PBF | 5.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP264 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp264pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 38a (TC) | 10V | 75mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | ||||
| Irfd024pbf | 1.7000 | | 361 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd024 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd024pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 2.5a (TA) | 10V | 100mohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | Sir466dp-t1-ge3 | 1.1800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir466 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 54W (TC) | |||||
| SI3483CDV-T1-GE3 | 1.0000 | | 94 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3483 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | Irfz10pbf | 1.5600 | | 9281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz10 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz10pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
 | SQP50N06-09L_GE3 | - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SQP50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| Irfd9014pbf | 1.3900 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd9014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd9014pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.1a (TA) | 10V | 500mohm @ 660mA, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
| SIHB15N60E-GE3 | 3.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB15 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHB15N60EGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 180W (TC) | ||||
| SI4403BDY-T1-E3 | - | | 1996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4403 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 7.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 17mohm @ 9.9a, 4.5V | 1V @ 350 µA | 50 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.35W (TA) | |||||
 | SIA813DJ-T1-GE3 | - | | 7261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA813 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13 NC @ 8 V | ± 8V | 355 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | |||||
 | SIA411DJ-T1-GE3 | - | | 7128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA411 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 38 NC @ 8 V | ± 8V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | SUM47N10-24L-E3 | - | | 7940 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum47 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 136W (TC) | ||||
 | SI7905DN-T1-GE3 | - | | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7905 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||
 | SI7844DP-T1-GE3 | - | | 6195 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7844 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1013X-T1-E3 | - | | 8836 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | SI1013 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | IRLR024 | - | | 5543 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR024 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRLR024 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SQM50028EM_GE3 | 3.0300 | | 742 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SQM50028 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 11900 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
| SIRA14BDP-T1-GE3 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira14 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 64A (TC) | 4.5V, 10V | 5.38mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | +20V, -16V | 917 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SI1023X-T1-GE3 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1023 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 370MA | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRFR320TRL | - | | 3616 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SQD50N04-5M6L_GE3 | 1.3300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||
 | SI2308BDS-T1-E3 | 0.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 156mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 30 V | - | 1.09W (TA), 1.66W (TC) |
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