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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5475BDC-T1-E3 | - |  | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5475 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 40 NC @ 8 V | ± 8V | 1400 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | ||||
 | Irf610pbf | 0.9300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf610pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | Irfi634gpbf | 2.3300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi634 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfi634gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 5.6a (TC) | 10V | 450mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | IRFS9N60APBF | 3.5000 | | 484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS9 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFS9N60APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9.2a (TC) | 10V | 750mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | IRFR9310TRLPBF | 1.5900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | IRFU214 | - | | 6693 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| IRFR210TRL | - | | 3499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 2.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | Irf840al | - | | 7466 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf840al | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||
 | Sir622DP-T1-GE3 | 1.7000 | | 3077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir622 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 51.6a (TC) | 7.5V, 10V | 17.7mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 31 NC @ 7.5 V | ± 20V | 1516 pf @ 75 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SIAA40DJ-T1-GE3 | 0.6800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Siaa40 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1200 pf @ 20 V | - | 19.2W (TC) | |||||
| SIRA96DP-T1-GE3 | 0.5200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIRA96 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1385 pf @ 15 V | - | 34.7W (TC) | |||||
| Sir632DP-T1-RE3 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir632 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 29a (TC) | 7.5V, 10V | 34.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 7.5 V | ± 20V | 740 pf @ 75 V | - | 69.5W (TC) | |||||
 | SQ9917EY-T1_GE3 | 1.8400 | | 9 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4917 | Mosfet (Óxido de metal) | 5W (TC) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 8a (TC) | 48mohm @ 4.3a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 65nc @ 10V | 1910pf @ 30V | - | |||||||
 | SQJ968EP-T1_GE3 | 1.1000 | | 1792 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj968 | Mosfet (Óxido de metal) | 42W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 23.5a (TC) | 33.6mohm @ 4.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 18.5nc @ 10V | 714pf @ 30V | - | |||||||
 | SQJA86EP-T1_GE3 | 1.0600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja86 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| SQJA96EP-T1_GE3 | 1.0600 | | 4176 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja96 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30A (TC) | 10V | 21.5mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| SQJA80EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja80 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| SQJB42EP-T1_GE3 | 1.3100 | | 3852 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb42 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 30A (TC) | 9.5mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1500pf @ 25V | - | |||||||
 | SiHG24N65EF-GE3 | 6.2600 | | 1279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg24 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
| SiHG44N65EF-GE3 | 9.8500 | | 7038 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg44 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 46a (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 278 NC @ 10 V | ± 30V | 5892 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | |||||
 | SQM90142E_GE3 | 2.9200 | | 2248 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM90142 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 95A (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
| Sum60030e-ge3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SUM60030 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7910 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||
| Sum70040e-ge3 | 3.0600 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum70040 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 14.4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 4710 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||
 | SiHHHH11N60EF-T1-GE3 | 3.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh11 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 357mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1078 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | SI7904BDN-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 7.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 8V | 860pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SI5406CDC-T1-GE3 | - | | 8521 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5406 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 6.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 8 V | ± 8V | 1100 pf @ 6 V | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | ||||
 | SI5475DDC-T1-GE3 | - | | 7806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5475 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 50 NC @ 8 V | ± 8V | 1600 pf @ 6 V | - | 2.3W (TA), 5.7W (TC) | ||||
 | SI5519DU-T1-GE3 | - | | 9381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | SI5519 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6A | 36mohm @ 6.1a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 17.5nc @ 10V | 660pf @ 10V | - |
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