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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5519DU-T1-GE3 | - |  | 9381 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | SI5519 | Mosfet (Óxido de metal) | 10.4w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6A | 36mohm @ 6.1a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 17.5nc @ 10V | 660pf @ 10V | - | ||||||
 | SI7115DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 239 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7115 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 8.9a (TC) | 6V, 10V | 295mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1190 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
| SI7328DN-T1-GE3 | 0.9923 | | 7802 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7328 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 18.9a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 31.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2610 pf @ 15 V | - | 3.78W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI7848BDP-T1-GE3 | 1.7500 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7848 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 47a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 4.2W (TA), 36W (TC) | |||||
 | SIA413DJ-T1-GE3 | 0.9400 | | 174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 29mohm @ 6.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 57 NC @ 8 V | ± 8V | 1800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| SIA414DJ-T1-GE3 | 0.9400 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 11mohm @ 9.7a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 32 NC @ 5 V | ± 5V | 1800 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIA511DJ-T1-GE3 | - | | 7690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA511 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 12V | 4.5a | 40mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 8V | 400pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIB413DK-T1-GE3 | - | | 3563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB413 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 2.5V, 4.5V | 75mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 7.63 NC @ 5 V | ± 12V | 357 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
| SIB417DK-T1-GE3 | - | | 7334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB417 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 52mohm @ 5.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12.75 NC @ 5 V | ± 5V | 675 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | Si4126dy-t1-ge3 | 2.4800 | | 4123 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4126 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 39A (TC) | 4.5V, 10V | 2.75mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 20V | 4405 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
| SI4164DY-T1-GE3 | 1.6300 | | 14 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4164 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3545 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
 | SI1013R-T1-GE3 | 0.4500 | | 124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1013 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 350MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.2ohm @ 350mA, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 150MW (TA) | |||||
 | SI1026X-T1-GE3 | 0.5100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1026 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 305 Ma | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI1029X-T1-GE3 | 0.5100 | | 3281 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1029 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 60V | 305MA, 190MA | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.75nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| Si4386dy-t1-ge3 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4386 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.47W (TA) | ||||||
| SI4825DY-T1-GE3 | - | | 1201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4825 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.1a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 25V | - | 1.5W (TA) | |||||
| Si4894bdy-t1-ge3 | 1.2900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4894 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 8.9a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | |||||
| SI7463DP-T1-GE3 | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7463 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.2mohm @ 18.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
| SI7898DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7898 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 3a (TA) | 6V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SI7960DP-T1-GE3 | - | | 5090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7960 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SUM110P06-07L-E3 | 3.8100 | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 345 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
| SUM90N08-4M8P-E3 | - | | 4336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 90A (TC) | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | 6460 pf @ 40 V | - | ||||||||
 | SIHP18N50C-E3 | 2.8500 | | 877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SIHP18N50CE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2942 pf @ 25 V | - | 223W (TC) | ||||
 | Siha15n60e-e3 | 3.0700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha15 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 1350 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
| SQM100N10-10_GE3 | 3.1200 | | 593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm100 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 8050 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI1416EDH-T1-GE3 | 0.4700 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1416 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.9a (TC) | 2.5V, 10V | 58mohm @ 3.1a, 10V | 1.4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | - | 2.8W (TC) | |||||
 | Sihd6n80e-ge3 | 2.1300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | SI4946CDY-T1-GE3 | 0.9600 | | 9283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4946 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA), 2.8W (TC) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.2a (TA), 6.1a (TC) | 40.9mohm @ 5.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 350pf @ 30V | - | |||||||
 | SI1403BDL-T1-GE3 | 0.5200 | | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1403 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 625MW (TA) | |||||
 | SI2308CDS-T1-GE3 | 0.3900 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.6a (TC) | 4.5V, 10V | 144mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 4 NC @ 10 V | ± 20V | 105 pf @ 30 V | - | 1.6W (TC) |
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