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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHF9520S-GE3 | 1.0900 |  | 3888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| SiHF9630Strl-Ge3 | 0.7621 | | 9663 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SI2393DS-T1-GE3 | 0.5000 | | 8975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2393 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2393ds-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.1a (TA), 7.5a (TC) | 4.5V, 10V | 22.7mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 25.2 NC @ 10 V | +16V, -20V | 980 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) | |||
 | SIAA02DJ-T1-GE3 | 0.6000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Siaa02 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-siaa02dj-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 22a (TA), 52A (TC) | 2.5V, 10V | 4.7mohm @ 8a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | +12V, -8V | 1250 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQD40N06-14L_T4GE3 | 0.6209 | | 3822 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD40N06-14L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2105 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||
 | SiHFR9024TR-GE3 | 0.8800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr9024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 8.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQJ418EP-T2_GE3 | 0.4560 | | 5155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj418 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ418EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||
| SiHFR9014-GE3 | 0.2527 | | 1723 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr9014 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR9014-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.1a (TC) | 10V | 500mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| SiHFR430ATRR-GE3 | 0.4263 | | 2810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR430ATRR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
| SiHD3N50DT5-GE3 | 0.3563 | | 2148 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHD3N50DT5-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| SiHD3N50DT1-GE3 | 0.3563 | | 8575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHD3N50DT1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | ||||
| Sihfz48rs-ge3 | 1.0779 | | 7593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sihfz48 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFZ48RS-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 18mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||
| SQD50P04-09L_T4GE3 | 0.6985 | | 5834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD50P04-09L_T4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6675 pf @ 20 V | - | 136W (TC) | ||||
| SiHFR220TRL-GE3 | 0.7200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SQD50P03-07-T4_GE3 | 0.6985 | | 4339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD50P03-07-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 146 NC @ 10 V | ± 20V | 5490 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
| SQJ474EP-T2_GE3 | 0.3784 | | 4806 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj474 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ474EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||
| SQD25N15-52-T4_GE3 | 0.6985 | | 8022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD25N15-52-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 52mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||
| Sizf914dt-t1-ge3 | 0.7095 | | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf914 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZF914DT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 23.5a (TA), 40a (TC), 52A (TA), 60A (TC) | 3.8mohm @ 10a, 10v, 0.9mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA | 21nc @ 10V, 98nc @ 10V | 1050pf @ 10V, 4670pf @ 10V | - | ||||||
| SiHF540Strl-Ge3 | 1.7622 | | 6432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHF540 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHF540Strl-Ge3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 150W (TC) | ||||
 | Siz240dt-t1-ge3 | 1.3100 | | 2831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz240 | Mosfet (Óxido de metal) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ240DT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 17.2a (TA), 48a (TC), 16.9a (TA), 47a (TC) | 8.05mohm @ 10a, 10v, 8.41mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V, 22nc @ 10V | 1180pf @ 20V, 1070pf @ 20V | - | ||||||
 | SIHP052N60EF-GE3 | 6.9500 | | 266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP052 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 52mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 101 NC @ 10 V | ± 30V | 3380 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | Siz980bdt-t1-ge3 | 1.6600 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz980 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.8W (TA), 20W (TC), 5W (TA), 66W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ980BDT-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal (dual), Schottky | 30V | 23.7a (TA), 54.8a (TC), 54.3a (TA), 197a (TC) | 4.39mohm @ 15a, 10v, 1.06mohm @ 19a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18nc @ 10V, 79nc @ 10V | 790pf @ 15V, 3655pf @ 15V | - | ||||||
 | SIDR668AdP-T1-RE3 | 2.4800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR668 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIDR668AdP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.3a (TA), 104a (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3750 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||
 | Sihu6n80ae-ge3 | 1.4400 | | 9011 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 22.5 NC @ 10 V | ± 30V | 422 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | Sir846bdp-T1-RE3 | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.1a (TA), 65.8 (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| Sir104Adp-T1-RE3 | 2.0700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir104 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18.8a (TA), 81a (TC) | 7.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3250 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SQS484CENW-T1_GE3 | 0.8600 | | 7624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Sqs484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQS484CENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 62.5W (TC) | ||||
| Sihu5n80ae-ge3 | 1.1900 | | 5530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-Sihu5n80ae-Ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 30V | 321 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||
| Sir104ldp-T1-RE3 | 1.7200 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir104 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18.8a (TA), 81a (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
| Sir870BDP-T1-RE3 | 2.2000 | | 9421 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir870 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18.8a (TA), 81a (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) |
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