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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5480DU-T1-GE3 | - |  | 7563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5480 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 7.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||
 | SI5515CDC-T1-E3 | 0.8300 | | 6506 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5515 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 4A (TC) | 36mohm @ 6a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 11.3nc @ 5V | 632pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI5902BDC-T1-E3 | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5902 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4A (TC) | 65mohm @ 3.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 7NC @ 10V | 220pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| SI5905DC-T1-GE3 | - | | 7957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5905 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 8V | 3A | 90mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
 | SI7100DN-T1-GE3 | - | | 2915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7100 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.5mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 105 NC @ 8 V | ± 8V | 3810 pf @ 4 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||
 | SI7160DP-T1-E3 | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7160 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 16V | 2970 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | |||
| SI7374DP-T1-GE3 | 1.5920 | | 3818 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7374 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 23.8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 56W (TC) | ||||
| SI7388DP-T1-GE3 | - | | 5047 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7388 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 19a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||
| SI7392DP-T1-E3 | - | | 1842 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 9.75mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||
 | Si4413ady-t1-ge3 | 1.2191 | | 5694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 95 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| Si444448dy-t1-ge3 | - | | 6725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4448 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 1.7mohm @ 20a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 150 NC @ 4.5 V | ± 8V | 12350 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||
| Si488888dy-t1-ge3 | - | | 6250 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4888 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 16a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.6w (TA) | ||||
| Si4932dy-t1-ge3 | 1.4000 | | 64 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4932 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 1750pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SUD50P06-15L-E3 | 2.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10v | 3V @ 250 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 4950 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
 | SUM110N04-2M1P-E3 | - | | 6360 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 29A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 18800 pf @ 20 V | - | 3.13W (TA), 312W (TC) | ||||
 | SUP18N15-95-E3 | - | | 2799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 150 V | 18a (TC) | 6V, 10V | 95mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||
| SUP40N10-30-GE3 | - | | 6307 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 38.5A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 89W (TC) | |||
| SUP40P10-43-GE3 | - | | 6733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 100 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 125W (TC) | |||
| Sir874dp-t1-ge3 | - | | 1844 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir874 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 985 pf @ 15 V | - | 3.9W (TA), 29.8W (TC) | |||
 | Siz704dt-t1-ge3 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz704 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SQD23N06-31L_GE3 | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 845 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | ||||
| SQD45N05-20L-GE3 | - | | 7082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 50 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 75W (TC) | ||||
 | SQJ412EP-T1_GE3 | 2.4400 | | 31 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 10.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5950 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | ||||
| Sud50n04-37p-T4-E3 | - | | 3712 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 5.4a (TA), 8a (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 10.8W (TC) | |||
| Sud50n06-07L-E3 | - | | 2680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 96a (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 144 NC @ 10 V | ± 20V | 5800 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||
| Sud50n06-08H-E3 | - | | 3414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 93A (TC) | 10V | 7.8mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
| SI4190ADY-T1-GE3 | 1.8600 | | 9392 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4190 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 18.4a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 15a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 1970 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 6W (TC) | ||||
 | SiHF8N50D-E3 | 1.6600 | | 1678 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF8 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8.7a (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 527 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | SI8497DB-T2-E1 | 0.2083 | | 5512 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8497 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TC) | 2V, 4.5V | 53mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 12V | 1320 pf @ 15 V | - | 2.77W (TA), 13W (TC) |
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