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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQ1421EDH-T1_GE3 | 0.5300 |  | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1421 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 290mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 355 pf @ 25 V | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SQ3427EEV-T1-GE3 | - | | 3290 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.5a (TC) | 4.5V, 10V | 82mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1125 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||
| SQ1431EH-T1_GE3 | 0.6000 | | 35 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1431 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 175mohm @ 2a, 10v | 2V @ 250 µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 205 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||
 | SiHF10N40D-E3 | 1.7000 | | 638 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF10 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHF10N40DE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 526 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | IRF9610SPBF | 1.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
 | SIA416DJ-T1-GE3 | 0.7100 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11.3a (TC) | 4.5V, 10V | 83mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 50 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SiHG22N50D-GE3 | 3.0401 | | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG22N50DGE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 230mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 1938 pf @ 100 V | - | 312W (TC) | ||||
| SIHB33N60EF-GE3 | 6.5000 | | 734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB33 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 30V | 3454 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | SQD50N04-5M6_GE3 | 0.7578 | | 3969 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 10V | 5.6mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | 0.6900 | | 445 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||
 | SQD50N06-09L_GE3 | 5.0200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SQJ461EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 14.4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 4710 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||
 | Sum60030e-ge3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SUM60030 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7910 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||
| Sum70040e-ge3 | 3.0600 | | 1615 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum70040 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SiHHHH11N60EF-T1-GE3 | 3.9700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh11 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 357mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 30V | 1078 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | SI4463CDY-T1-GE3 | 0.9400 | | 97 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4463 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 13.6a (TA), 49A (TC) | 2.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 162 NC @ 10 V | ± 12V | 4250 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SQ2303ES-T1_GE3 | 0.5300 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2303 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5A (TC) | 4.5V, 10V | 170mohm @ 1.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 6.8 NC @ 10 V | ± 20V | 210 pf @ 25 V | - | 1.9W (TC) | |||||
 | SQJ486EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 8810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj486 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 51a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1386 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||
 | SIHP12N60E-GE3 | 2.6900 | | 2114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP12 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | SIHB35N60E-GE3 | 6.4000 | | 229 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB35 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI4128BDY-T1-GE3 | - | | 3203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Si4128 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 8.3a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | ± 25V | ||||||||||||||||||
| SI2308CDS-T1-GE3 | 0.3900 | | 6373 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.6a (TC) | 4.5V, 10V | 144mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 4 NC @ 10 V | ± 20V | 105 pf @ 30 V | - | 1.6W (TC) | ||||
| Irf634strlpbf | 0.7541 | | 2731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 8.1A (TC) | ||||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | 0.4700 | | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1079 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.44a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 12V | 750 pf @ 15 V | - | 330MW (TA) | |||||
 | SI1539DDL-T1-GE3 | - | | 5973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1539 | Mosfet (Óxido de metal) | 340MW | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 700MA (TC), 460MA (TC) | 388mohm @ 600mA, 10V, 1.07ohm @ 400mA, 10V | 2.5V @ 250 µA, 3V @ 250 µA | 1.1NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V | 28pf @ 15V, 21pf @ 15V | - | |||||||
| SI1900DL-T1-GE3 | 0.6100 | | 4465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1900 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW, 270MW | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 630MA (TA), 590MA (TA) | 480MOHM @ 590MA, 10V | 3V @ 250 µA | 1.4nc @ 10V | - | - | |||||||
 | SI4413DDY-T1-GE3 | 0.9214 | | 7408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4413 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | - | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 10a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | - | 4780 pf @ 15 V | - | - | |||||||
| SIHB12N60ET1-GE3 | 1.2311 | | 9789 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB12 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 937 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||||
| SIRA60DP-T1-RE3 | 0.5977 | | 7886 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIRA60 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.94mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | +20V, -16V | 7650 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | ||||||
 | SIS782DN-T1-GE3 | 0.6400 | | 6553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS782 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 30.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1025 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 41W (TC) |
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