SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
AUIRF3805S Infineon Technologies Auirf3805s -
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518016 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 160A (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V ± 20V 7960 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRF3805S-7P Infineon Technologies AuIRF3805S-7P -
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522074 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7820 pf @ 25 V - 300W (TC)
AUIRF7675M2TR Infineon Technologies Auirf7675m2tr 2.7500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico M2 Auirf7675 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico M2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 150 V 4.4a (TA), 18a (TC) 10V 56mohm @ 11a, 10v 5V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1360 pf @ 25 V - 2.7W (TA), 45W (TC)
AUIRF7738L2TR Infineon Technologies Auirf7738l2tr -
RFQ
ECAD 2090 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 Auirf7738 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001515758 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 35A (TA), 130A (TC) 10V 1.6mohm @ 109a, 10v 4V @ 250 µA 194 NC @ 10 V ± 20V 7471 pf @ 25 V - 3.3W (TA), 94W (TC)
AUIRFB3207 Infineon Technologies Auirfb3207 -
RFQ
ECAD 3274 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519144 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 75A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 50 V - 300W (TC)
AUIRFR2905Z Infineon Technologies Auirfr2905z 1.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr2905 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518150 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRFR2905ZTRL Infineon Technologies Auirfr2905ztrl 1.0061
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr2905 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520228 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 1380 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRFR3504ZTRL Infineon Technologies Auirfr3504ztrl 1.1429
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr3504 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516690 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 9mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
AUIRFR4104 Infineon Technologies Auirfr4104 -
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 140W (TC)
AUIRFR4105 Infineon Technologies Auirfr4105 -
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522204 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 45mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 68W (TC)
AUIRFR5505 Infineon Technologies Auirfr5505 -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 18a (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 650 pf @ 25 V - 57W (TC)
AUIRFU4104 Infineon Technologies Auirfu4104 -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518784 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 140W (TC)
BLS6G2731S-130,112 Ampleon USA Inc. BLS6G2731S-130,112 560.8050
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 60 V Monte del Chasis SOT-922-1 BLS6 2.7GHz ~ 3.1GHz Ldmos CDFM2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 20 33a 100 mA 130W 12dB - 32 V
PSMN013-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES, 127 -
RFQ
ECAD 9801 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 68a (TC) 10V 13.9mohm @ 15a, 10v 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 3195 pf @ 50 V - 170W (TC)
SI1315DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1315DL-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Si1315 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 8 V 900 mA (TC) 1.8V, 4.5V 336mohm @ 800 mA, 4.5V 800mv @ 250 µA 3.4 NC @ 4.5 V ± 8V 112 pf @ 4 V - 300MW (TA), 400MW (TC)
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 15.3200
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft50 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFT50N30Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 50A (TC) 10V 80mohm @ 25A, 10V 6.5V @ 4MA 65 NC @ 10 V ± 20V 3165 pf @ 25 V - 690W (TC)
IXFX32N80Q3 IXYS IXFX32N80Q3 32.5900
RFQ
ECAD 824 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx32 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFX32N80Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 32A (TC) 10V 270mohm @ 16a, 10v 6.5V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 30V 6940 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXFN44N80Q3 IXYS IXFN44N80Q3 63.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixfn44 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFN44N80Q3 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 800 V 37a (TC) 10V 190mohm @ 22a, 10v 6.5V @ 8MA 185 NC @ 10 V ± 30V 9840 pf @ 25 V - 780W (TC)
IXFT15N100Q3 IXYS IXFT15N100Q3 19.7000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixft15 Mosfet (Óxido de metal) Un 268AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFT15N100Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 15A (TC) 10V 1.05ohm @ 7.5a, 10v 6.5V @ 4MA 64 NC @ 10 V ± 30V 3250 pf @ 25 V - 690W (TC)
IXFK24N100Q3 IXYS IXFK24N100Q3 28.9700
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA IXFK24 Mosfet (Óxido de metal) TO-264AA (IXFK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 1000 V 24a (TC) 10V 440mohm @ 12a, 10v 6.5V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXFX24N100Q3 IXYS IXFX24N100Q3 28.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Clase Q3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixfx24 Mosfet (Óxido de metal) MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -IXFX24N100Q3 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 24a (TC) 10V 440mohm @ 12a, 10v 6.5V @ 4MA 140 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 1000W (TC)
RJH1CF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJH1CF7RDPQ-80#T2 -
RFQ
ECAD 5312 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 RJH1CF7 Estándar 250 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200 V 60 A 2.4V @ 15V, 35a - -
RJH60D6DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH60D6DPK-00#T0 -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero RJH60D6 Estándar 260 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300V, 40a, 5ohm, 15V 100 ns Zanja 600 V 80 A 2.2V @ 15V, 40A 850 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 104 NC 50ns/160ns
STD96N3LLH6 STMicroelectronics Std96n3llh6 1.3200
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std96 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 5.5V, 10V 4.2mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
CSD17322Q5A Texas Instruments CSD17322Q5A 0.4616
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Instrumentos de Texas Nexfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn CSD17322 Mosfet (Óxido de metal) 8-Vsonp (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 87a (TC) 4.5V, 8V 8.8mohm @ 14a, 8v 2V @ 250 µA 4.3 NC @ 4.5 V ± 10V 695 pf @ 15 V - 3W (TA)
CSD17327Q5A Texas Instruments CSD17327Q5A 0.4292
RFQ
ECAD 5973 0.00000000 Instrumentos de Texas Nexfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn CSD17327 Mosfet (Óxido de metal) 8-Vsonp (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 8V 12.2mohm @ 11a, 8V 2V @ 250 µA 3.4 NC @ 4.5 V ± 10V 506 pf @ 15 V - 3W (TA)
STW24NM60N STMicroelectronics Stw24nm60n 6.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw24n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 50 V - 125W (TC)
XP161A11A1PR-G Torex Semiconductor Ltd XP161A11A1PR-G 0.2856
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Torex Semiconductor Ltd - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA XP161A Mosfet (Óxido de metal) Sot-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 2a, 10v - ± 20V 270 pf @ 10 V - 2W (TA)
XP162A11C0PR-G Torex Semiconductor Ltd XP162A11C0PR-G 0.2856
RFQ
ECAD 1846 0.00000000 Torex Semiconductor Ltd - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA XP162A Mosfet (Óxido de metal) Sot-89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 30 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 1.5a, 10V - ± 20V 280 pf @ 10 V - 2W (TA)
NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP36P04KDG-E1-AY 2.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 40 V 36A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 10 V - 1.8W (TA), 56W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock