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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NP80N055MHE-S18-AY | - |  | 8780 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 80a (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | ||||
 | RJK5033DPD-00#J2 | 1.0546 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RJK5033 | Mosfet (Óxido de metal) | MP-3A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 6a (TA) | 10V | 1.3ohm @ 3a, 10v | - | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||
 | PMN48XP, 115 | 0.5300 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN48 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1000 pf @ 10 V | - | 530MW (TA), 6.25W (TC) | |||
 | RJK0855DPB-00#J5 | 1.2587 | | 5616 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | RJK0855 | Mosfet (Óxido de metal) | Lfpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 30A (TA) | 10V | 11mohm @ 15a, 10v | - | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 10 V | - | 60W (TC) | |||
| RJK0856DPB-00#J5 | 1.4915 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | RJK0856 | Mosfet (Óxido de metal) | Lfpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 35A (TA) | 10V | 8.9mohm @ 17.5a, 10v | - | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 10 V | - | 65W (TC) | |||
 | SUD40N04-10A-E3 | - | | 4825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||
| SUD50P04-23-E3 | - | | 1765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 8.2a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 15a, 10v | 2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 16V | 1880 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 45.4W (TC) | |||
| SUD50P06-15L-T4-E3 | 1.4803 | | 9068 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 17a, 10v | 3V @ 250 µA | 165 nc @ 10 V | ± 20V | 4950 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | ||||
 | Sum90p10-19-e3 | - | | 9815 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 90A (TC) | 10V | 19mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 50 V | - | 13.6W (TA), 375W (TC) | |||
 | SUP60N02-4M5P-E3 | - | | 4071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5950 pf @ 10 V | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | |||
| SUP85N04-03-E3 | - | | 2150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 40 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 6860 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | |||
 | TP0202K-T1-GE3 | - | | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TP0202 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 385MA (TA) | 4.5V, 10V | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 3V @ 250 µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 31 pf @ 15 V | - | 350MW (TA) | |||
 | SI7392Adp-T1-GE3 | - | | 3398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7392 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 12.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1465 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.5W (TC) | |||
 | SI7407DN-T1-GE3 | - | | 8751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 9.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 12mohm @ 15.6a, 4.5V | 1V @ 400 µA | 59 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | ||||
| SI7457DP-T1-E3 | - | | 1464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7457 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 28a (TC) | 6V, 10V | 42mohm @ 7.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 5230 pf @ 50 V | - | 5.2W (TA), 83.3W (TC) | |||
| SI7634BDP-T1-E3 | 0.7088 | | 1446 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7634 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 3150 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | ||||
| SI7664DP-T1-GE3 | - | | 4873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7664 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 12V | 7770 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | |||
| SI7860DP-T1-GE3 | - | | 4846 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7860 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||
| SI7886AdP-T1-GE3 | - | | 3546 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7886 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 1.5V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 12V | 6450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | |||
 | SI7998DP-T1-GE3 | 1.5900 | | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7998 | Mosfet (Óxido de metal) | 22W, 40W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 25a, 30a | 9.3mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1100pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI8401DB-T1-E3 | 1.0490 | | 2596 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8401 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 17 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.47W (TA) | ||||
 | SIE726DF-T1-GE3 | - | | 8611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE726 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||
| SIE816DF-T1-GE3 | - | | 8680 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE816 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 19.8a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 30 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||
 | SiJ484DP-T1-GE3 | - | | 7114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | |||
| Sir410DP-T1-GE3 | 1.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir410 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 10 V | - | 4.2W (TA), 36W (TC) | ||||
| Sir494dp-t1-ge3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir494 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 6 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||
| SIS430DN-T1-GE3 | - | | 2395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 12.5 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||
| SUD17N25-165-E3 | - | | 1751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 17a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||
 | SI4940DY-T1-E3 | - | | 5892 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4940 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 4.2a | 36mohm @ 5.7a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 14nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||
| Si4966dy-t1-e3 | - | | 7920 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4966 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | - | 25mohm @ 7.1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 50NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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