SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
PX8746JDNG029XTMA1 Infineon Technologies PX8746JDNG029XTMA1 -
RFQ
 ECAD 8384 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto PX8746JD descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon Technologies FZ1800R45HL4S7BPSA1 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FZ1800 4000000 W Estándar AG-IHVB190 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo de Trinchera 4500 V 1800 A 2.6V @ 25V, 1800A 5 Ma No 297 NF @ 25 V
AUXTMGPS4070D2 Infineon Technologies Auxtmgps4070d2 -
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Autxmgps - - Alcanzar sin afectado 448-AUXTMGPS4070D2 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - -
FF600R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME7B11BPSA1 -
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF600R12 20 MW Estándar Agóndo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 1.75V @ 15V, 600A 35 µA Si 92 NF @ 25 V
IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW65R018CFD7XKSA1 24.9500
RFQ
 ECAD 9651 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 106a (TC) 10V 18mohm @ 58.2a, 10v 4.5V @ 2.91mA 234 NC @ 10 V ± 20V 11659 pf @ 400 V - 446W (TC)
BSC0906NSE8189ATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSE8189ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
IPI032N06N3GE8214AKSA1 Infineon Technologies IPI032N06N3GE8214AKSA1 -
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI032N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 3.2mohm @ 100a, 10V 4V @ 118 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 30 V - 188W (TC)
IGC08T65U12QX7SA1 Infineon Technologies IGC08T65U12QX7SA1 -
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 45
FD401R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FD401R17KF6CB2NOSA1 742.3500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448 1
BAT1704E6583HTSA1 Infineon Technologies BAT1704E6583HTSA1 0.0600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-bat1704e6583htsa1-448 1
SP000681054 Infineon Technologies SP000681054 1.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-SP000681054-448 1
IPS70R2K0CEE8211AKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0CEE8211AKMA1 0.2300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-ips70r2k0cee8211akma1-448 1
FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies FF300R08W2P2B11ABOMA1 89.8700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF300R08 20 MW Estándar Ag-Easy2B-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 2 Independientes - 750 V 200 A 1.18V @ 15V, 200a 1 MA Si 53 NF @ 50 V
FS50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FS50R12KT3BOSA1 67.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FS50R12KT3BOSA1-448 5
FZ1500R33HL3BPSA3 Infineon Technologies FZ1500R33HL3BPSA3 1.0000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FZ1500R33HL3BPSA3-448 1
IKFW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies IKFW50N65DH5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448 1
ISP20EP10LMXTSA1 Infineon Technologies ISP20EP10LMXTSA1 0.7900
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ISP20E Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 650MA (TA), 990MA (TC) 4.5V, 10V 2ohm @ 600mA, 10V 2V @ 78 µA 3.5 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 50 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies Ipd11dp10nmatma1 1.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD11D Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 3.4a (TA), 22a (TC) 10V 111mohm @ 18a, 10v 4V @ 1.7MA 74 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 50 V - 3W (TA), 125W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Ist011n Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 38a (TA), 399A (TC) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 148 µA 154 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
ISC022N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC022N10NM6ATMA1 5.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC022N Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 25A (TA), 230A (TC) 8V, 10V 2.24mohm @ 50A, 10V 3.3V @ 147 µA 91 NC @ 10 V ± 20V 6880 pf @ 50 V - 3W (TA), 254W (TC)
IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies IST019N08NM5AUMA1 4.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Ist019n Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 32A (TA), 290A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 148 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC027N10NM6ATMA1 4.0800
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC027N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-ISC027N10NM6ATMA1CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 23a (TA), 192a (TC) 8V, 10V 2.7mohm @ 50A, 10V 3.3V @ 116 µA 72.5 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 50 V - 3W (TA), 217W (TC)
IPB330P10NMATMA1 Infineon Technologies Ipb330p10nmatma1 5.4700
RFQ
 ECAD 762 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB330P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 6.9a (TA), 62a (TC) 10V 33mohm @ 53a, 10v 4V @ 5.55 Ma 236 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
ISP98DP10LMXTSA1 Infineon Technologies ISP98DP10LMXTSA1 0.8200
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ISP98D Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 930MA (TA), 1.55A (TC) 4.5V, 10V 980mohm @ 900 mA, 10V 2V @ 165 µA 7.2 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 50 V - 1.8W (TA), 5W (TC)
ISC030N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC030N10NM6ATMA1 3.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC030N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 21a (TA), 179A (TC) 8V, 10V 3mohm @ 50a, 10v 3.3V @ 109 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 50 V - 3W (TA), 208W (TC)
IPB19DP10NMATMA1 Infineon Technologies IPB19DP10NMATMA1 2.2400
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB19D Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 2.9a (TA), 13.8a (TC) 10V 185mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.04mA 45 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 3.8W (TA), 83W (TC)
FS75R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KT4B15BOSA1 -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FS75R12KT4B15BOSA1-448 1
F4150R17ME4B11BPSA2 Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA2 295.4880
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F4150R Estándar Ag-ECONOD-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 230 A 2.3V @ 15V, 150a 3 MA No 12 NF @ 25 V
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies IAUC26N10S5L245ATMA1 0.5973
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 26a (TJ) 4.5V, 10V 24.5mohm @ 13a, 10v 2.2V @ 13 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 762 pf @ 50 V - 40W (TC)
FS75R12KE3BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BPSA1 143.2800
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 350 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero - 1200 V 105 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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