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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Aplicacionales	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Ganar	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BFR 182 B6663	-	RFQ	6676	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BFR 182			250MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000						12db ~ 18db																				12V	35mA									NPN		70 @ 10mA, 8V	8GHz			0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Irams10up60b-w	-	RFQ	1527	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto				A Través del Aguetero	Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados	-							descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001533480	EAR99	8541.29.0095	80	-						-
BC858BE6327HTSA1	0.0489	RFQ	2115	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BC858			330 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																										30 V	100 mA						15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
SIDC10D120H8X1SA2	-	RFQ	9261	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo				Montaje en superficie	Morir		SIDC10		Estándar			Aserrado en papel	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000527638	EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																1200 V	1.97 V @ 7.5 A		27 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 175 ° C	15A	-
BAT5403WE6327HTSA1	0.5300	RFQ	112	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo				Montaje en superficie	SC-76, SOD-323		BAT5403		Schottky			PG-SOD323-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																30 V	800 MV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
SIGC08T60EX1SA2	-	RFQ	3571	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	Morir		SIGC08	Estándar				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1					-																				Parada de Campo de Trinchera	600 V	15 A	45 A	1.9V @ 15V, 15a	-		-
IQD020N10NM5CGATMA1	4.6500	RFQ	4662	Infineon Technologies	Optimos ™ 5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	9-Powertdfn		IQD020		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TTFN-9-U02	-	ROHS3 Cumplante				EAR99	8542.39.0001	5,000			N-canal					100 V	26a (TA), 273a (TC)	6V, 10V	2.05mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 159 µA	134 NC @ 10 V	± 20V	9500 pf @ 50 V	-	3W (TA), 333W (TC)
BCV 61A E6327	-	RFQ	5930	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	30V		Espejo real	Montaje en superficie	Un 253-4, un 253AA		BCV 61					PG-SOT-143-3D	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000				100mA																																2 NPN, Base Collector Junction
ISC230N10NM6ATMA1	0.4747	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos ™ 6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	8-Powertdfn		ISC230N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					100 V	7.7a (TA), 31a (TC)	8V, 10V	23mohm @ 10a, 10v	3.3V @ 13 µA	9.3 NC @ 10 V	± 20V	690 pf @ 50 V	-	3W (TA), 48W (TC)
IRFU024NPBFAKLA1	-	RFQ	4332	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	448-IRFU024NPBFAKLA1	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					55 V	17a (TC)	10V	75mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 25 V	-	45W (TC)
FF450R33T3E3B5P4BPMA1	1.0000	RFQ	7259	Infineon Technologies	XHP ™ 3	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Monte del Chasis	Módulo		FF450R33			1000000 W	Estándar	AG-XHP100-6	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4	2 Independientes																								Parada de Campo de Trinchera	3300 V	450 A		2.75V @ 15V, 450A				5 Ma	No	84 NF @ 25 V
IRLTS6342TRPBF	0.5300	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	Sot-23-6		IRLTS6342		Mosfet (Óxido de metal)			6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					30 V	8.3a (TA)	2.5V, 4.5V	17.5mohm @ 8.3a, 4.5V	1.1V @ 10 µA	11 NC @ 4.5 V	± 12V	1010 pf @ 25 V	-	2W (TA)
IKP28N65ES5XKSA1	4.0300	RFQ	3434	Infineon Technologies	Trenchstop ™ 5	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	Un 220-3		Ikp28n65	Estándar		130 W		PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50					400V, 28a, 34ohm, 15V															73 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	38 A	90 A	1.9V @ 15V, 28A	530 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado)	50 NC	27ns/184ns
IPW65R145CFD7AXKSA1	6.4300	RFQ	4517	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	TO-247-3		IPW65R145		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal					650 V	17a (TC)		145mohm @ 8.5a, 10v	4.5V @ 420 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1694 pf @ 400 V	-	98W (TC)
IGC99T120T8RQX1SA1	-	RFQ	8411	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	Morir		IGC99T120	Estándar				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1					-																				Parada de Campo de Trinchera	1200 V	100 A	300 A	2.42V @ 15V, 100A	-		-
IPD800N06NGBTMA1	-	RFQ	4567	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD800N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					60 V	16a (TC)	10V	80mohm @ 16a, 10v	4V @ 16 µA	10 NC @ 10 V	± 20V	370 pf @ 30 V	-	47W (TC)
Auxfn8403tr	-	RFQ	1251	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	8-tqfn almohadilla exposición				Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001519874	EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal					40 V	95A (TC)	10V	3.3mohm @ 50A, 10V	3.9V @ 100 µA	98 NC @ 10 V	± 20V	3174 pf @ 25 V	-	94W (TC)
IPI60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	6118	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI60R099		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal					600 V	31a (TC)	10V	99mohm @ 18a, 10v	3.5V @ 1.2MA	80 NC @ 10 V	± 20V	2800 pf @ 100 V	-	255W (TC)
IRF2804Strl7pp	3.6300	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb		IRF2804		Mosfet (Óxido de metal)			D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal					40 V	160A (TC)	10V	1.6mohm @ 160a, 10v	4V @ 250 µA	260 NC @ 10 V	± 20V	6930 pf @ 25 V	-	330W (TC)
IPL60R115CFD7AUMA1	5.2400	RFQ	3371	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-		-	-		IPL60R		-			-	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			-						22a (TC)	-	-	-		-		-	-
BCR142B6327HTLA1	-	RFQ	1887	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto				Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		BCR142			200 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	30,000																										50 V	100 mA						100NA (ICBO)			NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	150 MHz	22 kohms	47 kohms
SPN03N60S5	-	RFQ	8402	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Spn03n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					600 V	700 mA (TA)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	5.5V @ 135 µA	12.8 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRLR2703TRPBF	1.1600	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRLR2703		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal					30 V	23a (TC)	4V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IPW65R190CFDFKSA1	-	RFQ	3122	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	TO-247-3		IPW65R190		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal					650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 730 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPA60R280P6XKSA1	2.8900	RFQ	500	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA60R280		Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	32W (TC)
IPB04N03LA	-	RFQ	1604	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB04N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					25 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 55a, 10v	2V @ 60 µA	32 NC @ 5 V	± 20V	3877 pf @ 15 V	-	107W (TC)
IPD65R420CFDATMA1	1.0650	RFQ	5507	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD65R420		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					650 V	8.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
IRFH7185TRPBF	-	RFQ	4201	Infineon Technologies	Fastirfet ™, hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	8-Powertdfn		IRFH7185		Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal					100 V	19a (TA)	10V	5.2mohm @ 50A, 10V	3.6V @ 150 µA	54 NC @ 10 V	± 20V	2320 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 160W (TC)
Irfr220ntrl	-	RFQ	2665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRFR220		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					200 V	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
IRFS4310TRLPBF	4.8200	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRFS4310		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal					100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)