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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPI65R380C6XKSA1	2.8900	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI65R380	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					650 V	10.6a (TC)	10V	380mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IRF8113GPBF	-	RFQ	1083	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001560088	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal					30 V	17.2a (TA)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 17.2a, 10v	2.2V @ 250 µA	36 NC @ 4.5 V	± 20V	2910 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Irfz48z	-	RFQ	2726	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz48z	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					55 V	61a (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10v	4V @ 250 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
IRFU13N20DPBF	-	RFQ	7605	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)				IPAK (TO-251AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPB100N06S3L-04	-	RFQ	8028	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB100N	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					55 V	100A (TC)	5V, 10V	3.5mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 150 µA	362 NC @ 10 V	± 16V	17270 pf @ 25 V	-	214W (TC)
BSC026N08NS5ATMA1	3.2600	RFQ	5856	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSC026	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					80 V	23a (TA), 100a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 115 µA	92 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 156W (TC)
IPS65R600E6AKMA1	-	RFQ	5455	Infineon Technologies	CoolMos ™ E6	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak		IPS65R	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal					650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	63W (TC)
BSZ068N06NSATMA1	1.3200	RFQ	7562	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSZ068	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					60 V	40A (TC)	6V, 10V	6.8mohm @ 20a, 10v	3.3V @ 20 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 46W (TC)
IDL04G65C5XUMA1	-	RFQ	9637	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	4-Powertsfn		IDL04G65	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																							650 V		1.7 v @ 4 a	0 ns	70 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1V, 1 MHz
IKCM10L60GAXKMA1	13.1500	RFQ	5726	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm)	IGBT	Ikcm10						descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	14	3 fase				10 A	600 V	2000 VRMS
BAS40-07WH6327	-	RFQ	9996	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343		BAS40	Schottky				PG-SOT343-4	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																						2 Independientes	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma		1 µA @ 30 V	150 ° C
IPB029N06N3GE8187ATMA1	2.6200	RFQ	6760	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB029	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					60 V	120a (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 118 µA	165 nc @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 30 V	-	188W (TC)
TT92N12KOFHPSA1	-	RFQ	6290	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 130 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TT92N			Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	15				200 MA														1.2 kV	160 A	1.4 V	2050a @ 50Hz	120 Ma	104 A										2 SCRS
Auirfs8409	-	RFQ	3891	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRFS8409	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					40 V	195a (TC)	10V	1.2mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	450 NC @ 10 V	± 20V	14240 pf @ 25 V	-	375W (TC)
TT142N12KOFHPSA1	-	RFQ	1361	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TT142N			Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8				200 MA														1.2 kV		2 V	4800A @ 50Hz	150 Ma	142 A										2 SCRS
BSC067N06LS3	-	RFQ	4034	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1			N-canal					60 V	15A (TA), 79A (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 50A, 10V	2.2V @ 35 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 69W (TC)
TT162N16KOFHPSA1	-	RFQ	3795	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TT162N16			Conexión de la Serie: Todos los SCRS			descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	8				200 MA														1.6 kV		2 V	5200A @ 50Hz	150 Ma	162 A										2 SCRS
IDWD40G120C5XKSA1	24.3200	RFQ	1	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2		IDWD40	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY				PG-TO247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																							1200 V		1.65 V @ 40 A	0 ns	332 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	110A	2592pf @ 1V, 1 MHz
FS35R12KT3BPSA1	101.2600	RFQ	13	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo		FS35R12		210 W		Estándar	Ag-ECONO2B	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de puente entero																																	Parada de Campo de Trinchera	1200 V	55 A	2.15V @ 15V, 35A	5 Ma	Si	2.5 NF @ 25 V
IPP60R280P6XKSA1	2.8900	RFQ	3127	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP60R280	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	3.5V @ 430 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	950 pf @ 100 V	-	104W (TC)
IRL3714ZLPBF	-	RFQ	4113	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3714ZLPBF	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	16mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	7.2 NC @ 4.5 V	± 20V	550 pf @ 10 V	-	35W (TC)
BSC019N02KSGAUMA1	0.9513	RFQ	7379	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSC019	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					20 V	30A (TA), 100A (TC)	2.5V, 4.5V	1.95mohm @ 50A, 4.5V	1.2V @ 350 µA	85 NC @ 4.5 V	± 12V	13000 pf @ 10 V	-	2.8W (TA), 104W (TC)
IRF7353D2TRPBF	-	RFQ	5930	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal					30 V	6.5a (TA)	4.5V, 10V	29mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA)
IPP65R190CFDXKSA1	2.5301	RFQ	5739	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	La Última Vez Que Compre	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP65R190	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 730 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IRFR12N25DCTRRP	-	RFQ	5770	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					250 V	14a (TC)	10V	260mohm @ 8.4a, 10v	5V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 30V	810 pf @ 25 V	-	144W (TC)
IPB03N03LA G	-	RFQ	2242	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB03N	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					25 V	80a (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 55a, 10v	2V @ 100 µA	57 NC @ 5 V	± 20V	7027 pf @ 15 V	-	150W (TC)
IPP60R600P7XKSA1	1.8400	RFQ	2024	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IPP60R600	Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					650 V	6a (TC)	10V	600mohm @ 1.7a, 10V	4V @ 80 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	363 pf @ 400 V	-	30W (TC)
IRFR13N15DTRR	-	RFQ	9913	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					150 V	14a (TC)	10V	180mohm @ 8.3a, 10v	5.5V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 30V	620 pf @ 25 V	-	86W (TC)
IPA80R360P7XKSA1	2.8400	RFQ	332	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA80R360	Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					800 V	13a (TC)	10V	360mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 280 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	930 pf @ 500 V	-	30W (TC)
IRF6637TR1	-	RFQ	3577	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ MP Isométrico			Mosfet (Óxido de metal)				DirectFet ™ MP	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					30 V	14a (TA), 59A (TC)	4.5V, 10V	7.7mohm @ 14a, 10v	2.35V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1330 pf @ 15 V	-	2.3W (TA), 42W (TC)