SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IDP2308T1XUMA1 Infineon Technologies IDP2308T1XUMA1 2.3085
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo IDP2308 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2.500
IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies IPU80R1K0CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU80R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 5.7a (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 100 V - 83W (TC)
D452N12EVFXPSA1 Infineon Technologies D452N12EVFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje de Tornillo Sin Estándar D452N Estándar FL54 descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 50 Ma @ 1200 V -40 ° C ~ 180 ° C 450A -
IRF6722MTR1PBF Infineon Technologies IRF6722MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ MP Isométrico Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ MP descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 13a (TA), 56A (TC) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 13a, 10v 2.4V @ 50 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1300 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306NH6327XTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS306 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 2.3a, 10v 2V @ 11 µA 1.5 NC @ 5 V ± 20V 275 pf @ 15 V - 500MW (TA)
TD500N12KOFS01HPSA1 Infineon Technologies TD500N12KOFS01HPSA1 -
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela La Última Vez Que Compre 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo TD500N12 Conexión de la Serie - SCR/Diodo - EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.2 kV 900 A 2.2 V 17000A @ 50Hz 250 Ma 500 A 1 scr, 1 diodo
IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies IKB30N65EH5ATMA1 4.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ikb30n65 Estándar 188 W PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30a, 22ohm, 15V 75 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 55 A 90 A 2.1V @ 15V, 30a 870 µJ (Encendido), 300 µJ (apagado) 70 NC 24ns/159ns
BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSC079N03LSCGATMA1 -
RFQ
 ECAD 7337 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC079 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 14A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRF6898MTR1PBF Infineon Technologies IRF6898MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 35A (TA), 213A (TC) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 35a, 10v 2.1V @ 100 µA 62 NC @ 4.5 V ± 16V 5435 pf @ 13 V Diodo Schottky (Cuerpo) 2.1W (TA), 78W (TC)
BFP540E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP540E6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 9855 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP540 250MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 21.5db 5V 80mera NPN 50 @ 20MA, 3.5V 30 GHz 0.9dB ~ 1.4db @ 1.8Ghz
BSL214NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL214NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 BSL214 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 1.5a 140mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 3.7 µA 0.8nc @ 5V 143pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW60N60H3FKSA1 7.7300
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW60N60 Estándar 416 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 400V, 60a, 6ohm, 15V Zanja 600 V 80 A 180 A 2.3V @ 15V, 60A 2.1MJ (Encendido), 1.13mj (apaguado) 375 NC 27ns/252ns
BAT5402LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies BAT5402LRHE6327XTSA1 0.5200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-882 BAT5402 Schottky PG-TSLP-2-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
D121N18BXPSA1 Infineon Technologies D121N18BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje DO-205AA, DO-8, Semento D121N Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 20 Ma @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 230A -
IPP120P04P404AKSA1 Infineon Technologies IPP120P04P404AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP120P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 120a (TC) 10V 3.8mohm @ 100a, 10v 4V @ 340 µA 205 NC @ 10 V ± 20V 14790 pf @ 25 V - 136W (TC)
D471N80TXPSA1 Infineon Technologies D471N80TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK D471N80 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 8000 V 3.2 V @ 1200 A 50 mA @ 8000 V -40 ° C ~ 160 ° C 760A -
BCR183SE6433BTMA1 Infineon Technologies BCR183SE6433BTMA1 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR183 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
IRFS3004PBF Infineon Technologies IRFS3004PBF -
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001557216 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TA) 10V 1.75mohm @ 195a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 25 V - 380W (TC)
IRG7T300CH12B Infineon Technologies IRG7T300CH12B -
RFQ
 ECAD 2870 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 62 Irg7t 1600 W Estándar POWIR® 62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 1200 V 570 A 2.2V @ 15V, 300A 4 Ma No 42.4 NF @ 25 V
PTFA192401EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA192401EV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 7465 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-36260-2 PTFA192401 1.96 GHz Ldmos H-36260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 35 10 µA 1.6 A 50W 16dB - 30 V
BF5020WH6327XTSA1 Infineon Technologies Bf5020wh6327xtsa1 -
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF5020 800MHz Mosfet PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 Ma 10 Ma - 26dB 1.2db 5 V
IRFB4020PBF Infineon Technologies IRFB4020PBF 1.8600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4020 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 18a (TC) 10V 100mohm @ 11a, 10v 4.9V @ 100 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 50 V - 100W (TC)
IRF5210SPBF Infineon Technologies IRF5210SPBF -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570130 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 38a (TC) 10V 60mohm @ 38a, 10V 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 2780 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 170W (TC)
PTFA212001F/1 P4 Infineon Technologies PTFA212001F/1 P4 -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA212001 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
BCX6925E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6925E6327HTSA1 0.5100
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX69 3 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
BCR 158L3 E6327 Infineon Technologies BCR 158L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 158 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
IRF6655TR1PBF Infineon Technologies IRF6655TR1PBF -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ Isométrico sh Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sh descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001576858 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 4.2a (TA), 19a (TC) 10V 62mohm @ 5a, 10v 4.8V @ 25 µA 11.7 NC @ 10 V ± 20V 530 pf @ 25 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies IRG4PH40UD-EPBF -
RFQ
 ECAD 5511 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 160 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 800V, 21a, 10ohm, 15V 63 ns - 1200 V 41 A 82 A 3.1V @ 15V, 21A 1.8mj (Encendido), 1.93mj (apaguado) 86 NC 46ns/97ns
BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies Bfs483h6327xtsa1 0.8300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BFS483 450MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19dB 12V 65mA 2 NPN (dual) 70 @ 15 Ma, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
DD340N20SHPSA1 Infineon Technologies DD340N20SHPSA1 -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar BG-PB50SB-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 2000 V 330A 1 ma @ 2000 V -40 ° C ~ 135 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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