SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRL80HS120 Infineon Technologies IRL80HS120 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla IRL80HS120 Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 80 V 12.5a (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 7.5a, 10V 2V @ 10 µA 7 NC @ 4.5 V ± 20V 540 pf @ 25 V - 11.5W (TC)
PTVA104501EHV1XWSA1 Infineon Technologies PTVA104501EHV1XWSA1 -
RFQ
ECAD 4223 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 105 V H-33288-2 960MHz ~ 1.215GHz Ldmos H-33288-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001160758 EAR99 8541.29.0095 40 Dual - - - -
IRFR9120NTRPBF Infineon Technologies IRFR9120NTRPBF 1.1300
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 480mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
BFR 183T E6327 Infineon Technologies BFR 183T E6327 -
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BFR 183 250MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 12V 65mA NPN 50 @ 15 Ma, 8V 8GHz 1.2db ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BFR 182 B6663 Infineon Technologies BFR 182 B6663 -
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR 182 250MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 12db ~ 18db 12V 35mA NPN 70 @ 10mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRAMS10UP60B-W Infineon Technologies Irams10up60b-w -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 PowerSip, 19 cables, clientes Potenciales Formados - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001533480 EAR99 8541.29.0095 80 - -
BC858BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC858BE6327HTSA1 0.0489
RFQ
ECAD 2115 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 250MHz
SIDC14D60C6Y Infineon Technologies SIDC14D60C6Y -
RFQ
ECAD 3952 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir SIDC14D60 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000095897 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.9 V @ 50 A 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 50A -
T1500N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1500N18TOFVTXPSA1 444.0625
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK T1500N18 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 500 mA 1.8 kV 3500 A 2 V 39000A @ 50Hz 350 Ma 1500 A 1 SCR
BCR35PNE6327BTSA1 Infineon Technologies Bcr35pne6327btsa1 -
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR35 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 10 kohms 47 kohms
SIDC10D120H8X1SA2 Infineon Technologies SIDC10D120H8X1SA2 -
RFQ
ECAD 9261 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie Morir SIDC10 Estándar Aserrado en papel descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000527638 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.97 V @ 7.5 A 27 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C 15A -
BAT5403WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT5403WE6327HTSA1 0.5300
RFQ
ECAD 112 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAT5403 Schottky PG-SOD323-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SIGC08T60EX1SA2 Infineon Technologies SIGC08T60EX1SA2 -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC08 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 15 A 45 A 1.9V @ 15V, 15a - -
IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD020N10NM5CGATMA1 4.6500
RFQ
ECAD 4662 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-Powertdfn IQD020 Mosfet (Óxido de metal) PG-TTFN-9-U02 - ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 5,000 N-canal 100 V 26a (TA), 273a (TC) 6V, 10V 2.05mohm @ 50A, 10V 3.8V @ 159 µA 134 NC @ 10 V ± 20V 9500 pf @ 50 V - 3W (TA), 333W (TC)
BCV 61A E6327 Infineon Technologies BCV 61A E6327 -
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 30V Espejo real Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BCV 61 PG-SOT-143-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 100mA 2 NPN, Base Collector Junction
ISC230N10NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC230N10NM6ATMA1 0.4747
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC230N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 7.7a (TA), 31a (TC) 8V, 10V 23mohm @ 10a, 10v 3.3V @ 13 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 690 pf @ 50 V - 3W (TA), 48W (TC)
BAW 56W H6327 Infineon Technologies BAW 56W H6327 -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAW 56 Estándar PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies IRFU024NPBFAKLA1 -
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 448-IRFU024NPBFAKLA1 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
FF450R33T3E3B5P4BPMA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3B5P4BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 Infineon Technologies XHP ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF450R33 1000000 W Estándar AG-XHP100-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 3300 V 450 A 2.75V @ 15V, 450A 5 Ma No 84 NF @ 25 V
IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies IRLTS6342TRPBF 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLTS6342 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8.3a (TA) 2.5V, 4.5V 17.5mohm @ 8.3a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 11 NC @ 4.5 V ± 12V 1010 pf @ 25 V - 2W (TA)
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IKP28N65ES5XKSA1 4.0300
RFQ
ECAD 3434 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ikp28n65 Estándar 130 W PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 28a, 34ohm, 15V 73 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 38 A 90 A 1.9V @ 15V, 28A 530 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 50 NC 27ns/184ns
IPW65R145CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R145CFD7AXKSA1 6.4300
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R145 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 17a (TC) 145mohm @ 8.5a, 10v 4.5V @ 420 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1694 pf @ 400 V - 98W (TC)
IGC99T120T8RQX1SA1 Infineon Technologies IGC99T120T8RQX1SA1 -
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir IGC99T120 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 300 A 2.42V @ 15V, 100A - -
IRF7476 Infineon Technologies IRF7476 -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 12 V 15a (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 12V 2550 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies IPD800N06NGBTMA1 -
RFQ
ECAD 4567 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD800N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 16a (TC) 10V 80mohm @ 16a, 10v 4V @ 16 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 30 V - 47W (TC)
AUXFN8403TR Infineon Technologies Auxfn8403tr -
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-tqfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519874 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 95A (TC) 10V 3.3mohm @ 50A, 10V 3.9V @ 100 µA 98 NC @ 10 V ± 20V 3174 pf @ 25 V - 94W (TC)
IPI60R099CPXKSA1 Infineon Technologies IPI60R099CPXKSA1 9.4000
RFQ
ECAD 6118 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 99mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
IRF2804STRL7PP Infineon Technologies IRF2804Strl7pp 3.6300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRF2804 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 1.6mohm @ 160a, 10v 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 6930 pf @ 25 V - 330W (TC)
IPL60R115CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R115CFD7AUMA1 5.2400
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - - - IPL60R - - descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - 22a (TC) - - - - - -
BCR142B6327HTLA1 Infineon Technologies BCR142B6327HTLA1 -
RFQ
ECAD 1887 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR142 200 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 150 MHz 22 kohms 47 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock