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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
SPN03N60S5	-	RFQ	8402	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA		Spn03n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					600 V	700 mA (TA)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	5.5V @ 135 µA	12.8 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRLR2703TRPBF	1.1600	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRLR2703	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal					30 V	23a (TC)	4V, 10V	45mohm @ 14a, 10v	1V @ 250 µA	15 NC @ 4.5 V	± 16V	450 pf @ 25 V	-	45W (TC)
IPW65R190CFDFKSA1	-	RFQ	3122	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		IPW65R190	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO247-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30			N-canal					650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 730 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
IPA60R280P6XKSA1	2.8900	RFQ	500	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		IPA60R280	Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	32W (TC)
IPB04N03LA	-	RFQ	1604	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB04N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					25 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 55a, 10v	2V @ 60 µA	32 NC @ 5 V	± 20V	3877 pf @ 15 V	-	107W (TC)
IPD65R420CFDATMA1	1.0650	RFQ	5507	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IPD65R420	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal					650 V	8.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
SPA17N80C3XKSA1	5.4500	RFQ	2356	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		SPA17N80	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					800 V	17a (TC)	10V	290mohm @ 11a, 10v	3.9V @ 1MA	177 NC @ 10 V	± 20V	2320 pf @ 25 V	-	42W (TC)
IRFH7185TRPBF	-	RFQ	4201	Infineon Technologies	Fastirfet ™, hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		IRFH7185	Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal					100 V	19a (TA)	10V	5.2mohm @ 50A, 10V	3.6V @ 150 µA	54 NC @ 10 V	± 20V	2320 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 160W (TC)
Irfr220ntrl	-	RFQ	2665	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRFR220	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					200 V	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
IRFS4310TRLPBF	4.8200	RFQ	5	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRFS4310	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal					100 V	130A (TC)	10V	7mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	250 nc @ 10 V	± 20V	7670 pf @ 50 V	-	300W (TC)
IPI65R380C6XKSA1	2.8900	RFQ	500	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		IPI65R380	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					650 V	10.6a (TC)	10V	380mohm @ 3.2a, 10V	3.5V @ 320 µA	39 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IRF8113GPBF	-	RFQ	1083	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001560088	EAR99	8541.29.0095	95			N-canal					30 V	17.2a (TA)	4.5V, 10V	5.6mohm @ 17.2a, 10v	2.2V @ 250 µA	36 NC @ 4.5 V	± 20V	2910 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
Irfz48z	-	RFQ	2726	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irfz48z	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					55 V	61a (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10v	4V @ 250 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
IRFU13N20DPBF	-	RFQ	7605	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)			IPAK (TO-251AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IPB100N06S3L-04	-	RFQ	8028	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB100N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					55 V	100A (TC)	5V, 10V	3.5mohm @ 80a, 10v	2.2V @ 150 µA	362 NC @ 10 V	± 16V	17270 pf @ 25 V	-	214W (TC)
Irfr220ntrr	-	RFQ	5433	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		IRFR220	Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal					200 V	5A (TC)	10V	600mohm @ 2.9a, 10V	4V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	300 pf @ 25 V	-	43W (TC)
BSC026N08NS5ATMA1	3.2600	RFQ	5856	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSC026	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					80 V	23a (TA), 100a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 115 µA	92 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 156W (TC)
IPS65R600E6AKMA1	-	RFQ	5455	Infineon Technologies	CoolMos ™ E6	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-251-3 Stub Leads, ipak		IPS65R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO251-3-11	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1.500			N-canal					650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	63W (TC)
BSZ068N06NSATMA1	1.3200	RFQ	7562	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn		BSZ068	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8-FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal					60 V	40A (TC)	6V, 10V	6.8mohm @ 20a, 10v	3.3V @ 20 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1500 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 46W (TC)
IDL04G65C5XUMA1	-	RFQ	9637	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	4-Powertsfn		IDL04G65	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-VSON-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																							650 V		1.7 v @ 4 a	0 ns	70 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1V, 1 MHz
SMBT3904UPNE6327HTSA1	0.1205	RFQ	2581	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457		SMBT 3904		330MW		PG-SC74-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																		40V	200 MMA	50NA (ICBO)	NPN, PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
IKCM10L60GAXKMA1	13.1500	RFQ	5726	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm)	IGBT	Ikcm10					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	14	3 fase				10 A	600 V	2000 VRMS
IRLB8748PBF	1.0900	RFQ	517	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRLB8748	Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal					30 V	92a (TC)	4.5V, 10V	4.8mohm @ 40a, 10V	2.35V @ 50 µA	23 NC @ 4.5 V	± 20V	2139 pf @ 15 V	-	75W (TC)
BAS40-07WH6327	-	RFQ	9996	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343		BAS40	Schottky			PG-SOT343-4	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																						2 Independientes	40 V	120 mA (DC)	1 V @ 40 Ma		1 µA @ 30 V	150 ° C
IPB029N06N3GE8187ATMA1	2.6200	RFQ	6760	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IPB029	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					60 V	120a (TC)	10V	3.2mohm @ 100a, 10V	4V @ 118 µA	165 nc @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 30 V	-	188W (TC)
TZ310N22KOFHPSA1	-	RFQ	6242	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TZ310N22			Soltero		descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3				300 mA														2.2 kV	700 A	1.5 V	9000A @ 50Hz	250 Ma	445 A										1 SCR
TT92N12KOFHPSA1	-	RFQ	6290	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 130 ° C	Monte del Chasis	Módulo		TT92N			Conexión de la Serie: Todos los SCRS		descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	15				200 MA														1.2 kV	160 A	1.4 V	2050a @ 50Hz	120 Ma	104 A										2 SCRS
BC846SH643333TMA1	0.0852	RFQ	4733	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BC846		250MW		PG-SOT363-PO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																																		65V	100mA	15NA (ICBO)	2 NPN (dual)	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
ND171N16KHPSA1	-	RFQ	8534	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		Monte del Chasis	Módulo		ND171N16	Estándar			BG-PB34-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	8		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																							1600 V				20 Ma @ 1600 V	-40 ° C ~ 135 ° C	171a	-
Auirfs8409	-	RFQ	3891	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		IRFS8409	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal					40 V	195a (TC)	10V	1.2mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	450 NC @ 10 V	± 20V	14240 pf @ 25 V	-	375W (TC)