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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Actual | Voltaje | Voltaje - Aislamiente | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRL3714Z | - |  | 3485 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3714Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFS7534TRLPBF | 3.2100 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IRFS7534 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250 µA | 279 NC @ 10 V | ± 20V | 10034 pf @ 25 V | - | 294W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSO613SPVGHUMA1 | - | | 7905 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | PG-dso-8 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 3.44a (TA) | 10V | 130mohm @ 3.44a, 10v | 4V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 875 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS127L6327HTSA1 | - | | 6409 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 21 Ma (TA) | 4.5V, 10V | 500ohm @ 16 Ma, 10v | 2.6V @ 8 µA | 1 NC @ 10 V | ± 20V | 28 pf @ 25 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR825TRPBF | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR825 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 6a (TC) | 10V | 1.3ohm @ 3.7a, 10v | 5V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1346 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIDC03D60F6X7SA1 | - | | 6036 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC03 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 6 a | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7754TR | - | | 6363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IRF775 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 5.5a | 25mohm @ 5.4a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 1984pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLU024ZPBF | - | | 6051 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 58mohm @ 9.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 9.9 NC @ 5 V | ± 16V | 380 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA80R650CEXKSA2 | 2.5400 | | 493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA80R650 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 8a (TA) | 10V | 650mohm @ 5.1a, 10V | 3.9V @ 470 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC46D170HX1SA2 | - | | 4014 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Morir | Sidc46d | Estándar | Aserrado en papel | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1700 V | 1.8 V @ 75 A | 27 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFP4127PBF | 6.0800 | | 1033 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4127 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001566148 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 75A (TC) | 10V | 21mohm @ 44a, 10v | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 50 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL7440PBF | 1.7700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRFSL7440 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 6V, 10V | 2.5mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 4730 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RJP65T43DPQ-A0#T2 | - | | 4387 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | 2156-RJP65T43DPQ-A0#T2 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ND260N16KHPSA1 | - | | 9857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | ND260N | Estándar | BG-PB50ND-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 30 mA @ 1600 V | -40 ° C ~ 135 ° C | 260a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-2116pbf | - | | 1904 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001562776 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirlu2905 | - | | 3396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001520838 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 42a (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25A, 10V | 2V @ 250 µA | 48 NC @ 5 V | ± 16V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR9120NPBF | - | | 7105 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 100 V | 6.6a (TC) | 10V | 480mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IGC27T120T8LX1SA2 | - | | 1014 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | IGC27T120 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.07V @ 15V, 25A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB025N10N3GATMA1 | 7.2200 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB025 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 6V, 10V | 2.5mohm @ 100a, 10v | 3.5V @ 275 µA | 206 NC @ 10 V | ± 20V | 14800 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL202SNL6327HTSA1 | - | | 5973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSOP6-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 7.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 22mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.2V @ 30 µA | 8.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1147 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7325 | - | | 6236 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF732 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 7.8a | 24mohm @ 7.8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 33NC @ 4.5V | 2020pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAV 70W E6433 | - | | 7190 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BAV 70 | Estándar | PG-SOT323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 80 V | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irf9z24nl | - | | 7103 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf9z24nl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 55 V | 12a (TC) | 10V | 175mohm @ 7.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FS100R12KT4_B11 | 110.2600 | | 255 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 515 W | Estándar | Ag-ECONO2B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 100 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 6.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | 3.2200 | | 5838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-POWERWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | PG-WHTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 100 V | 13A (TA), 85A (TC) | 6V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 3.8V @ 48 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP50R520CPHKSA1 | - | | 6623 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP50R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 550 V | 7.1a (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 100 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Idy10S120xksa1 | - | | 1301 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Idy10s120 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO247HC-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 280 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | 250pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3302STRLPBF | - | | 5489 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 39A (TC) | 4.5V, 7V | 20mohm @ 23a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 31 NC @ 4.5 V | ± 10V | 1300 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IM240S6Y1BAKSA1 | - | | 8821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | IM240-M6 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Módulo de 23 DIP (0.573 ", 14.55 mm) | IGBT | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | Inversor de 3 fase | 3 A | 600 V | 1900 VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Irfb7530pbf | 3.3800 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB7530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 411 NC @ 10 V | ± 20V | 13703 pf @ 25 V | - | 375W (TC) |
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