SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
FD250R65KE3KNOSA1 Infineon Technologies FD250R65ke3knosa1 1.0000
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -50 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FD250R65 4800 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 Soltero - 6500 V 250 A 3.4V @ 15V, 250a 5 Ma No 69 NF @ 25 V
IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies IPP100N04S204AKSA2 -
RFQ
 ECAD 7157 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 172 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
BAT5404WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT5404WH6327XTSA1 0.5000
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT5404 Schottky PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200MA (DC) 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo)
IRGS4610DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4610DTRLPBF -
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 77 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001536494 EAR99 8541.29.0095 800 400V, 6a, 47ohm, 15V 74 ns - 600 V 16 A 18 A 2V @ 15V, 6a 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) 13 NC 27ns/75ns
IRGP4630DPBF Infineon Technologies IRGP4630DPBF -
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 206 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 18a, 22ohm, 15V 100 ns - 600 V 47 A 54 A 1.95V @ 15V, 18a 95 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 35 NC 40ns/105ns
IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA1 3.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 40 V 120a (TC) 10V 3.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 340 µA 205 NC @ 10 V ± 20V 14790 pf @ 25 V - 136W (TC)
FS800R07A2E3IBPSA1 Infineon Technologies FS800R07A2E3IBPSA1 -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Infineon Technologies Hybridpack ™ 2 Banda Descontinuado en sic FS800R07 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 3
BSM200GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm200gd60dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM200 700 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 600 V 226 A 2.45V @ 15V, 200a 500 µA No 9 NF @ 25 V
BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies Bsm15gd120dn2bosa1 82.8670
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM15GD120 145 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 1200 V 25 A 3V @ 15V, 15a 500 µA No 100 pf @ 25 V
IRL3715TR Infineon Technologies IRL3715TR -
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
BF 775 E6327 Infineon Technologies BF 775 E6327 -
RFQ
 ECAD 4238 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 280MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 10.5db ~ 16db 15V 45mA NPN 70 @ 15 Ma, 8V 5GHz 1.4db ~ 2db @ 900MHz ~ 1.8GHz
T1503NH80TOHXOSA1 Infineon Technologies T1503NH80TXOSA1 7.0000
RFQ
 ECAD 3757 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo 120 ° C (TJ) Monte del Chasis Un 200af T1503NH80 BG-T15040L-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 100 mA 8 kV 2770 A 57000A @ 50Hz 3 V 2560 A Recuperación
BSC085N025S G Infineon Technologies BSC085N025S G -
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 14A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 35a, 10v 2V @ 25 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 52W (TC)
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DN2KHOSA1 -
RFQ
 ECAD 7097 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM100 700 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente - 1200 V 145 A 3V @ 15V, 100A 2 MA No 6.5 NF @ 25 V
IPU05N03LA G Infineon Technologies IPU05N03LA G -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ipu05n Mosfet (Óxido de metal) P-to251-3-1 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 30a, 10v 2V @ 50 µA 25 NC @ 5 V ± 20V 3110 pf @ 15 V - 94W (TC)
IRGP6650D-EPBF Infineon Technologies IRGP6650D-EPBF -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 306 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001549702 EAR99 8541.29.0095 25 400V, 35a, 10ohm, 15V 50 ns - 600 V 80 A 105 A 1.95V @ 15V, 35a 300 µJ (Encendido), 630 µJ (apaguado) 75 NC 40ns/105ns
IPI09N03LA Infineon Technologies IPI09N03LA -
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Ipi09n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 9.2mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
BSM75GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies Bsm75gd60dlcbosa1 -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm75g 330 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 600 V 95 A 2.45V @ 15V, 75a 500 µA No 3.3 NF @ 25 V
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies IKW30N60DTPXKSA1 3.0500
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw30n60 Estándar 200 W PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10.5ohm, 15V 76 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 53 A 90 A 1.8v @ 15V, 30a 710 µJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) 130 NC 15ns/179ns
SKB15N60 Infineon Technologies Skb15n60 1.6200
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Skb15n Estándar 139 W PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 21ohm, 15V 279 ns Escrutinio 600 V 31 A 62 A 2.4V @ 15V, 15a 570 µJ 76 NC 32NS/234NS
IRL3402SPBF Infineon Technologies IRL3402SPBF -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001568332 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 78 NC @ 4.5 V ± 10V 3300 pf @ 15 V - 110W (TC)
IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies IGZ75N65H5XKSA1 6.9500
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IGZ75N65 Estándar 395 W PG-TO247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 400V, 37.5a, 10ohm, 15V Zanja 650 V 119 A 300 A 2.1V @ 15V, 75a 680 µJ (Encendido), 430 µJ (apagado) 166 NC 26ns/347ns
IRF7204TRPBF Infineon Technologies IRF7204TRPBF -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7204 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 12V 860 pf @ 10 V - 2.5W (TC)
BC847SE6327BTSA1 Infineon Technologies BC847SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 6528 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IPD50R520CP Infineon Technologies IPD50R520CP -
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000236063 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 7.1a (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 100 V - 66W (TC)
IDW10S120FKSA1 Infineon Technologies IDW10S120FKSA1 -
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 IDW10S120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 240 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 240 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 580pf @ 1V, 1 MHz
IPB80N03S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPB80N03S4L02ATMA1 1.5551
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 90 µA 140 NC @ 10 V ± 16V 9750 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRFB4229PBF Infineon Technologies Irfb4229pbf 4.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4229 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 46a (TC) 10V 46mohm @ 26a, 10v 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 4560 pf @ 25 V - 330W (TC)
BSP135H6433XTMA1 Infineon Technologies Bsp135h643333xtma1 1.5900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP135 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 600 V 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 1V @ 94 µA 4.9 NC @ 5 V ± 20V 146 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1.8w (TA)
T2810N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2810N20TOFVTXPSA1 -
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 ECAD 8343 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ae T2810N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 2.2 kV 5800 A 2.5 V 58000A @ 50Hz 300 mA 2810 A 1 SCR
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AD9208BBPZ-3000

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