SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Calificación Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DTV1500SDFP STMicroelectronics DTV1500SDFP -
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero DTV1500 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4201-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.75 v @ 6 a 1 µs 100 µA @ 1500 V 175 ° C (Máximo) 6A -
RF5L051K4CB4 STMicroelectronics RF5L051K4CB4 180.0000
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 110 V Monte del Chasis D4e RF5L051K4 500MHz Ldmos D4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF5L051K4CB4 100 - 1 µA 200 MA 1400W 20.5dB - 50 V
STPS40M100CT STMicroelectronics STPS40M100CT 2.2600
RFQ
 ECAD 878 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPS40 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-8902-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 780 MV @ 20 A 70 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STPS20L60CTN STMicroelectronics STPS20L60CTN -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220b lleva a Estrechos descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 600 MV @ 10 A 350 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
STPS20L40CFP STMicroelectronics STPS20L40CFP -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS20 Schottky Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 10A 550 MV @ 10 A 700 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STGB30H60DF STMicroelectronics Stgb30h60df -
RFQ
 ECAD 4366 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb30 Estándar 260 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30a, 10ohm, 15V 110 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 60 A 120 A 2.4V @ 15V, 30a 350 µJ (Encendido), 400 µJ (apaguado) 105 NC 50ns/160ns
TIP47 STMicroelectronics TIP47 0.9100
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP47 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 250 V 1 A 1mera NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
STPS20M100SR STMicroelectronics STPS20M100SR 2.7800
RFQ
 ECAD 341 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS20 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 20 A 40 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo) 20A -
STTH3002CR STMicroelectronics STTH3002CR 2.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STTH30 Estándar I2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 1.05 v @ 15 a 22 ns 20 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
STPSC8H065DI STMicroelectronics STPSC8H065DI 3.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 AISLADO, A-220AC Stpsc8 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To20AC INS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 650 V 1.75 v @ 8 a 80 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A -
STS5NF60L STMicroelectronics Sts5nf60l 1.4500
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS5NF60 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
STD6NK50ZT4 STMicroelectronics Std6nk50zt4 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6nk50 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 5.6a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10v 4.5V @ 50 µA 24.6 NC @ 10 V ± 30V 690 pf @ 25 V - 90W (TC)
BD435 STMicroelectronics BD435 -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD435 36 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 40 @ 10mA, 5V 3MHz
STFU13N65M2 STMicroelectronics STFU13N65M2 2.2500
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STFU13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 100 V - 25W (TC)
BTA25-400B STMicroelectronics BTA25-400B -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis RD91-3 (AISLADO) BTA25 RD91 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 25 Soltero 80 Ma Estándar 400 V 25 A 1.3 V 250a, 260a 50 Ma
BUL742A STMicroelectronics BUL742A 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL742 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 250 µA NPN 1.5V @ 1a, 3.5a 16 @ 800mA, 3V -
STTH208U STMicroelectronics STTH208U 0.9000
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB STTH208 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.65 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V 175 ° C (Máximo) 2A -
PD57018STR-E STMicroelectronics PD57018Str-E 23.5950
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57018 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 2.5a 100 mA 18W 16.5dB - 28 V
STPS20200CT STMicroelectronics STPS20200CT 3.8200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20200 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13731-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 860 MV @ 10 A 15 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
TIP29C STMicroelectronics TIP29C 0.6800
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP29 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 1 A 300 µA NPN 700mv @ 125ma, 1a 15 @ 1a, 4v -
STTH1210DY STMicroelectronics Stth1210dy 2.7600
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 Stmicroelectónica Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STTH1210 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13444 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 12 A 90 ns 10 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 175 ° C 12A -
1N6263 STMicroelectronics 1N6263 0.4400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6263 Schottky Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 60 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 15 Ma 2.2pf @ 0V, 1MHz
STI150N10F7 STMicroelectronics STI150N10F7 -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI150 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 4.2mohm @ 55a, 10v 4.5V @ 250 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8115 pf @ 50 V - 250W (TC)
2N3019 STMicroelectronics 2N3019 -
RFQ
 ECAD 2265 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2n30 800 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 80 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 100MHz
STTH1602CG STMicroelectronics STTH1602CG -
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH1602 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 1.1 v @ 8 a 26 ns 6 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo)
STPS1545CR STMicroelectronics Stps1545cr -
RFQ
 ECAD 4825 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STPS1545 Schottky I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 7.5a 570 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V 175 ° C (Máximo)
STGW40NC60WD STMicroelectronics STGW40NC60WD -
RFQ
 ECAD 8731 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW40 Estándar 250 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5742 EAR99 8541.29.0095 30 390v, 30a, 10ohm, 15V 45 ns - 600 V 70 A 230 A 2.5V @ 15V, 30a 302 µJ (Encendido), 349 µJ (apagado) 126 NC 33ns/168ns
TIP121 STMicroelectronics TIP121 0.6700
RFQ
 ECAD 3466 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP121 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 5 A 500 µA NPN - Darlington 4V @ 20 mm, 5a 1000 @ 3a, 3V -
STTH802G STMicroelectronics STTH802G 0.9700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH802 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 8 a 30 ns 6 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 8A -
MJE350 STMicroelectronics MJE350 0.7300
RFQ
 ECAD 634 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE350 20.8 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP - 30 @ 50mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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