SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Current - Hold (IH) (Max) Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BD910 STMicroelectronics BD910 -
RFQ
ECAD 9546 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD910 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 15 A 1mera PNP 3V @ 2.5a, 10a 15 @ 5a, 4V 3MHz
STF11N50M2 STMicroelectronics STF11N50M2 1.3900
RFQ
ECAD 391 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ ii plus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 530mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 25V 395 pf @ 100 V - 25W (TC)
BYW99PI-200RG STMicroelectronics Byw99pi-200rg -
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Top-3 aislado Byw99 Estándar Top-3i descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 850 MV @ 12 A 40 ns 20 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
STPSC20H12CWL STMicroelectronics STPSC20H12CWL 11.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica ECOPACK® Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Stpsc20 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17246 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 25A 1.5 V @ 10 A 0 ns 60 µA @ 1200 V -40 ° C ~ 175 ° C
STL12N60M2 STMicroelectronics Stl12n60m2 1.8100
RFQ
ECAD 5999 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl12 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) HV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6.5a (TC) 10V 495mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 52W (TC)
STD6N80K5 STMicroelectronics Std6n80k5 2.2700
RFQ
ECAD 7017 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 7.5 NC @ 10 V 30V 255 pf @ 100 V - 85W (TC)
STPSC10H065D STMicroelectronics STPSC10H065D 4.2700
RFQ
ECAD 9575 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Stpsc10 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.75 v @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V -40 ° C ~ 175 ° C 10A 480pf @ 0V, 1MHz
STTH3L06 STMicroelectronics STTH3L06 0.8600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial STTH3 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 85 ns 3 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 3A -
T835-800B-TR STMicroelectronics T835-800B-TR 1.7700
RFQ
ECAD 2258 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 T835 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 800 V 8 A 1.3 V 80a, 84a 35 Ma
STP2N105K5 STMicroelectronics STP2N105K5 -
RFQ
ECAD 9238 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2N105 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1050 V 1.5a (TC) 10V 8ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 115 pf @ 100 V - 60W (TC)
STGIF5CH60TS-L STMicroelectronics Stgif5ch60ts-l 9.6587
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 Stmicroelectónica Sllimm ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.134 ", 28.80 mm) IGBT Stgif5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16115-5 EAR99 8541.29.0095 13 Inversor de 3 fase 8 A 600 V 1500 VRMS
BTB06-700BWRG STMicroelectronics BTB06-700BWRG -
RFQ
ECAD 1083 0.00000000 Stmicroelectónica * Tubo Obsoleto BTB06 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000
STPSA42 STMicroelectronics STPSA42 -
RFQ
ECAD 9749 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STPSA42 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
SCTWA20N120 STMicroelectronics Sctwa20n120 17.7900
RFQ
ECAD 570 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sctwa20 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) HIP247 ™ Larges Largos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -1138-sctwa20n120 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 20A (TC) 20V 239mohm @ 10a, 20V 3.5V @ 1MA (typ) 45 NC @ 20 V +25V, -10V 650 pf @ 400 V - 175W (TC)
STL33N65M2 STMicroelectronics Stl33n65m2 -
RFQ
ECAD 4929 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl33 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 154mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 41.5 NC @ 10 V ± 25V 1790 pf @ 100 V - 150W (TC)
STD65N55F3 STMicroelectronics Std65n55f3 2.4000
RFQ
ECAD 2135 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 32a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STPS15M80CFP STMicroelectronics STPS15M80CFP -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STPS15 Schottky Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 7.5a 725 MV @ 7.5 A 25 µA @ 80 V 175 ° C (Máximo)
STPS20M60CT STMicroelectronics STPS20M60CT 1.6200
RFQ
ECAD 413 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 570 MV @ 10 A 65 µA @ 60 V 150 ° C (Máximo)
BAS69KFILM STMicroelectronics Bas69kFilm -
RFQ
ECAD 1969 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAS69 Schottky Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 15 V 570 MV @ 10 Ma 230 na @ 15 V 150 ° C (Máximo) 10 Ma 1PF @ 0V, 1MHz
STU3LN62K3 STMicroelectronics Stu3ln62k3 -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu3l Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 620 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 386 pf @ 50 V - 45W (TC)
STY30NK90Z STMicroelectronics Sty30nk90z -
RFQ
ECAD 1562 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty30n Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4431-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 26a (TC) 10V 260mohm @ 14a, 10v 4.5V @ 150 µA 490 NC @ 10 V ± 30V 12000 pf @ 25 V - 450W (TC)
STWA45N65M5 STMicroelectronics Stwa45n65m5 8.8800
RFQ
ECAD 349 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa45 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 78mohm @ 17.5a, 10v 5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 25V 3470 pf @ 100 V - 210W (TC)
STD7N65M2 STMicroelectronics Std7n65m2 1.7100
RFQ
ECAD 73 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7n65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 25V 270 pf @ 100 V - 60W (TC)
1N5711 STMicroelectronics 1N5711 0.3600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Do-204AH, do-35, axial 1N5711 Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 15 Ma 430 MW 2pf @ 0V, 1 MHz Schottky - Single 70V -
STL45N10F7AG STMicroelectronics Stl45n10f7ag 1.6500
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl45 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 18a (TC) 10V 24mohm @ 9a, 10v 4.5V @ 250 µA 19.5 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 50 V - 72W (TC)
STTH8ST06DI STMicroelectronics Stth8st06di 2.3200
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 AISLADO, A-220AC STTH8 Estándar To20AC INS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.4 v @ 8 a 17 ns 6 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C 8A -
STW150NF55 STMicroelectronics STW150NF55 -
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw150 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 55 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 20V 4400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STW46NF30 STMicroelectronics Stw46nf30 4.1300
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw46 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13595-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 42a (TC) 10V 75mohm @ 17a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB45N60DM2AG STMicroelectronics STB45N60DM2AG 6.5000
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB45 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 34a (TC) 10V 90mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STB45N50DM2AG STMicroelectronics STB45N50DM2AG 6.6500
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB45 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16134-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 35A (TC) 10V 84mohm @ 17.5a, 10v 5V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 25V 2600 pf @ 100 V - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock