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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STPS40L40CT STMicroelectronics STPS40L40CT -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS40 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 20A 530 MV @ 20 A 800 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo)
STPS80H100TV STMicroelectronics STPS80H100TV 21.5100
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STPS80 Schottky ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 40A 780 MV @ 40 A 20 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
STTA12006TV1 STMicroelectronics STTA12006TV1 -
RFQ
 ECAD 9853 0.00000000 Stmicroelectónica TurboSwitch ™ Tubo Obsoleto Monte del Chasis Isotop STTA120 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 60A 1.75 V @ 60 A 80 ns 200 µA @ 480 V
STTA1206G-TR STMicroelectronics STTA1206G-TR -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Stmicroelectónica TurboSwitch ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTA120 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.75 V @ 12 A 55 ns 100 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 12A -
STTA812D STMicroelectronics Stta812d -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Stmicroelectónica TurboSwitch ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 STTA812 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.2 v @ 8 a 100 ns 100 µA @ 1200 V 150 ° C (Máximo) 8A -
STTH112RL STMicroelectronics STTH112RL 0.6400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial STTH112 Estándar Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 1A -
STTH12R06D STMicroelectronics STTH12R06D 2.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STTH12 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 12 a 45 ns 45 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 12A -
STTH15R06D STMicroelectronics STTH15R06D 1.9700
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STTH15 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 15 a 50 ns 60 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 15A -
STTH20003TV1 STMicroelectronics STTH20003TV1 29.3000
RFQ
 ECAD 9475 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STTH20003 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 300 V 100A 1.2 V @ 100 A 90 ns 200 µA @ 300 V 150 ° C (Máximo)
STTH30R03CW STMicroelectronics STTH30R03CW 3.1900
RFQ
 ECAD 7781 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STTH30 Estándar TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 15A 1.9 V @ 15 A 35 ns 20 µA @ 300 V 175 ° C (Máximo)
STGB6NC60HDT4 STMicroelectronics Stgb6nc60hdt4 1.4200
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb6 Estándar 56 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STGF14NC60KD STMicroelectronics STGF14NC60KD 1.7900
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF14 Estándar 28 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5115-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 11 A 50 A 2.5V @ 15V, 7a 82 µJ (Encendido), 155 µJ (apaguado) 34.4 NC 22.5ns/116ns
STPS10L25G-TR STMicroelectronics STPS10L25G-TR 2.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stps10 Schottky D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 25 V 460 MV @ 10 A 800 µA @ 25 V 150 ° C (Máximo) 10A -
STTH3012D STMicroelectronics STTH3012D 3.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 STTH3012 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5155-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.25 V @ 30 A 115 ns 20 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 30A -
STTH6010W STMicroelectronics STTH6010W 5.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero DO-247-2 (clientes Potenciales Rectos) STTH6010 Estándar DO-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5160-5 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 60 A 115 ns 20 µA @ 1000 V 175 ° C (Máximo) 60A -
STTH802B-TR STMicroelectronics STTH802B-TR 1.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STTH802 Estándar Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 8 a 30 ns 6 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 8A -
STTH802FP STMicroelectronics STTH802FP 1.5200
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada STTH802 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5285-5 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 8 a 30 ns 6 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 8A -
PD55003S-E STMicroelectronics PD55003S-E 11.8100
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55003 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2.5a 50 Ma 3W 17dB - 12.5 V
STP25NM60N STMicroelectronics Stp25nm60n -
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp25n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5020-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 160W (TC)
STPS200170TV1 STMicroelectronics STPS200170TV1 29.4400
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo Monte del Chasis Isotop STPS200170 Schottky ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5022-5 EAR99 8541.10.0070 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 170 V 100A 830 MV @ 100 A 200 µA @ 170 V 150 ° C (Máximo)
BAT54KFILM STMicroelectronics Bat54kfilm 0.4800
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAT54 Schottky Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 900 MV @ 100 Ma 5 ns 1 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 300mA 10pf @ 1v, 1 MHz
STGW35HF60WD STMicroelectronics STGW35HF60WD -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW35 Estándar 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10073-5 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V 50 ns - 600 V 60 A 150 A 2.5V @ 15V, 20a 290 µJ (Encendido), 185 µJ (apagado) 140 NC 30ns/175ns
STP21N65M5 STMicroelectronics STP21N65M5 5.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP21 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 125W (TC)
STP32N65M5 STMicroelectronics Stp32n65m5 6.5500
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp32n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10079-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 119mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 25V 3320 pf @ 100 V - 150W (TC)
STTH20LCD06CT STMicroelectronics STTH20LCD06CT -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STTH2 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 10A 2 V @ 10 A 50 ns 1 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo)
PD85006-E STMicroelectronics PD85006-E -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD85006 870MHz Ldmos 10 pozo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2A 200 MA 6W 17dB - 13.6 V
STB22NM60N STMicroelectronics Stb22nm60n -
RFQ
 ECAD 4343 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB22 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 220mohm @ 8a, 10v 4V @ 100 µA 44 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 50 V - 125W (TC)
STL73D-AP STMicroelectronics STL73D-AP -
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta de Corte (CT) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Stl73 1.5 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1.5 A - NPN 1V @ 250 Ma, 1a 10 @ 600mA, 3V -
STP22NM60N STMicroelectronics STP22NM60N 4.0200
RFQ
 ECAD 962 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 220mohm @ 8a, 10v 4V @ 100 µA 44 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 50 V - 125W (TC)
STGIPS10K60A STMicroelectronics Stgips10k60a -
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Stmicroelectónica Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 25 Potencias (0.993 ", 25.23 mm) IGBT Stgips10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10404-5 EAR99 8541.29.0095 11 3 fase 10 A 600 V 2500VDC
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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