SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Corriente - Salida Máxima Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Voltaje - Ruptura Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Real - ruptura
STP65NF06 STMicroelectronics STP65NF06 -
RFQ
 ECAD 9642 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp65n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 60A (TC) 10V 14mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 110W (TC)
STD4NK50ZT4 STMicroelectronics Std4nk50zt4 1.3300
RFQ
 ECAD 7886 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std4 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 310 pf @ 25 V - 45W (TC)
T410-600T STMicroelectronics T410-600T 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T410 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 4 A 1.3 V 30a, 31a 10 Ma
TMMDB3 STMicroelectronics TMMDB3 0.6000
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) DO-213AA TMMDB3 Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 2 A 28 ~ 36V 50 µA
BYW80FP-200 STMicroelectronics BYW80FP-200 -
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Byw80 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4187-5 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 15 a 35 ns 10 µA @ 200 V 150 ° C (Máximo) 10A -
STFW8N120K5 STMicroelectronics STFW8N120K5 4.6847
RFQ
 ECAD 8979 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO STFW8 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 N-canal 1200 V 6a (TC) 10V 2ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 100 µA 13.7 NC @ 10 V ± 30V 505 pf @ 100 V - 48W (TC)
P0111MA2AL3 STMicroelectronics P0111MA2Al3 -
RFQ
 ECAD 9426 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales P0111 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV 7a, 8a 25 µA 1.95 V 500 mA 10 µA Puerta sensible
STL57N65M5 STMicroelectronics Stl57n65m5 11.4800
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl57 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 4.3a (TA), 22.5a (TC) 10V 69mohm @ 20a, 10v 5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 100 V - 2.8W (TA), 189W (TC)
STP52P3LLH6 STMicroelectronics STP52P3LLH6 1.8100
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ H6 Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 STP52 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 30 V 52a (TC) 4.5V, 10V - - - - 70W (TC)
BAT54WFILMY STMicroelectronics BAT54WFILMY 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Q Automotriz Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12133-2 EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 900 MV @ 100 Ma 5 ns 1 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 300mA 10pf @ 1v, 1 MHz
STPS40H100CW STMicroelectronics STPS40H100CW 2.9400
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STPS40 Schottky TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 730 MV @ 20 A 10 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo)
STTH6112TV2 STMicroelectronics STTH6112TV2 -
RFQ
 ECAD 4899 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto Monte del Chasis Isotop STTH61 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 30A 2.25 V @ 30 A 115 ns 20 µA @ 1200 V 150 ° C (Máximo)
BD912 STMicroelectronics BD912 1.5900
RFQ
 ECAD 870 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD912 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 15 A 1mera PNP 3V @ 2.5a, 10a 15 @ 5a, 4V 3MHz
STP110N10F7 STMicroelectronics STP110N10F7 2.8300
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP110 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13551-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 110A (TC) 10V 7mohm @ 55a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 50 V - 150W (TC)
STPS1L40M STMicroelectronics Stps1l40m 0.6000
RFQ
 ECAD 1948 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA Stps1 Schottky Stmite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 460 MV @ 1 A 63 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A -
STPS16150CT STMicroelectronics STPS16150CT 2.5700
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 STPS16150 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 8A 920 MV @ 8 A 3 µA @ 150 V 175 ° C (Máximo)
BUX98A STMicroelectronics Bux98a -
RFQ
 ECAD 1533 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis A 3 Bux98 250 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 450 V 30 A 2mera NPN 5V @ 5a, 24a - -
2N3904 STMicroelectronics 2N3904 -
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2n39 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2.500 40 V 200 MA - NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 270MHz
T410-600H STMicroelectronics T410-600H 1.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA T410 TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 4 A 1.3 V 30a, 31a 10 Ma
X00619MN5AL2 STMicroelectronics X00619mn5al2 0.8300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA X00619 SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 5 Ma 600 V 800 Ma 800 MV 9a, 10a 200 µA 1.35 V 500 mA 1 µA Puerta sensible
STGW60H65DFB STMicroelectronics Stgw60h65dfb 6.0200
RFQ
 ECAD 8405 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW60 Estándar 375 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 5ohm, 15V 60 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 240 A 2V @ 15V, 60A 1.09mj (Encendido), 626 µJ (apagado) 306 NC 51ns/160ns
STP5NB40 STMicroelectronics STP5NB40 -
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp5n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 4.7a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.3a, 10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 405 pf @ 25 V - 80W (TC)
PD54008L-E STMicroelectronics PD54008L-E 5.4450
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 25 V 8Powervdfn PD54008 500MHz Ldmos Powerflat ™ (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 5A 200 MA 8W 15dB - 7.5 V
T1650H-6T STMicroelectronics T1650H-6T 1.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 T1650 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 75 Ma Alternista - Snubberless 600 V 16 A 1 V 160a, 168a 50 Ma
ACS102-6TA-TR STMicroelectronics ACS102-6TA-TR 0.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics ACS ™ Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales ACS102 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 20 Ma Alternista - Snubberless 600 V 200 MA 900 MV 7.3a, 7.6a 5 Ma
BU931P STMicroelectronics Bu931p 4.7900
RFQ
 ECAD 541 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 BU931 135 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400 V 15 A 100 µA NPN - Darlington 1.8V @ 250 Ma, 10a 300 @ 5a, 10v -
STTH30AC06SP STMicroelectronics STTH30AC06SP -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 Stmicroelectronics ECOPACK® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 STTH30 Estándar Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 300 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.95 V @ 30 A 60 ns 20 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 30A -
FERD30H100STS STMicroelectronics Ferd30h100sts 1.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Ferd30 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 745 MV @ 30 A 130 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 30A -
STTH810FP STMicroelectronics STTH810FP 2.5000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paquete completo, Pestaña aislada STTH810 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 2 V @ 8 A 85 ns 5 µA @ 1000 V 175 ° C (Máximo) 8A -
T835H-6G-TR STMicroelectronics T835H-6G-TR 1.2100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T835 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 600 V 8 A 1 V 80a, 84a 35 Ma
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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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