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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STP4NK60Z STMicroelectronics STP4NK60Z 1.7200
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4NK60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 70W (TC)
ACST10-7ST STMicroelectronics ACST10-7ST 2.6300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ACST10 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Lógica - Puerta sensible 700 V 10 A 1 V 100a, 105a 10 Ma
STB16NF25 STMicroelectronics STB16NF25 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16n Mosfet (Óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 14.5A (TC) 4mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V 4490 pf @ 12 V - -
STE45NK80ZD STMicroelectronics Ste45nk80zd -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Stmicroelectronics Superfredmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste45 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 800 V 45a (TC) 10V 130mohm @ 22.5a, 10V 4.5V @ 150 µA 781 NC @ 10 V ± 30V 26000 pf @ 25 V - 600W (TC)
BUL128-K STMicroelectronics Bul128-k -
RFQ
 ECAD 9546 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul128 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 400 V 4 A 200 µA NPN 500mv @ 1a, 4a 14 @ 2a, 5v -
STTH60AC06CW STMicroelectronics STTH60AC06CW 3.8500
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 STTH60 Estándar To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13993-5 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 1.75 v @ 30 a 40 ns 10 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo)
STPS30L45CFP STMicroelectronics STPS30L45CFP 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stps30 Schottky Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 550 MV @ 15 A 400 µA @ 45 V 150 ° C (Máximo)
ACST4-7SB STMicroelectronics ACST4-7SB -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ACST4 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 75 Soltero 35 Ma Estándar 700 V 4 A 1.1 V 30a, 33a 25 Ma
STD60NH03L-1 STMicroelectronics Std60nh03l-1 -
RFQ
 ECAD 1231 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std60n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 1V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
TN815-800H STMicroelectronics TN815-800H 0.4373
RFQ
 ECAD 7785 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA TN815 Ipak (un 251) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3.000 40 Ma 800 V 8 A 1.3 V 70a, 73a 15 Ma 1.6 V 5 A 5 µA Recuperación
TIP36C STMicroelectronics TIP36C 2.5900
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP36 125 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 100 V 25 A 1mera PNP 4V @ 5a, 25a 10 @ 15a, 4V 3MHz
FERD20H100STS STMicroelectronics Ferd20h100sts 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Ferd20 Ferd (Diodo de Rectificador de Efecto de Campo) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 705 MV @ 20 A 140 µA @ 100 V 175 ° C (Máximo) 20A -
STTH12R06G-TR STMicroelectronics STTH12R06G-TR 2.5900
RFQ
 ECAD 1926 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STTH12 Estándar D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.9 v @ 12 a 45 ns 45 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 12A -
STTH1R02A STMicroelectronics STTH1R02A 0.4700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA STTH1 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 1.5a -
STN4NF20L STMicroelectronics Stn4nf20l 0.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn4nf20 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1A (TC) 5V, 10V 1.5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
BTW68-200RG STMicroelectronics BTW68-200RG -
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Top-3 BTW68 Top3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 30 75 Ma 200 V 30 A 1.5 V 400a, 420a 50 Ma 2.1 V 19 A 20 µA Recuperación
BTB10-600BRG STMicroelectronics BTB10-600BRG 1.1900
RFQ
 ECAD 187 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Btb10 Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Estándar 600 V 10 A 1.3 V 100a, 105a 50 Ma
STBV45G STMicroelectronics Stbv45g -
RFQ
 ECAD 8087 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STBV45 950 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 400 V 750 Ma 250 µA NPN 1.5V @ 135MA, 400 mA 5 @ 400mA, 5V -
TYN606RG STMicroelectronics Tyn606rg 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 Tyn606 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4485-5 EAR99 8541.30.0080 50 30 Ma 600 V 6 A 1.5 V 70a, 73a 15 Ma 1.6 V 3.8 A 10 µA Recuperación
STB42N65M5 STMicroelectronics STB42N65M5 12.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb42 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
TN1205H-6G-TR STMicroelectronics TN1205H-6G-TR 1.2700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TN1205 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 20 Ma 600 V 12 A 1.3 V 120a, 126a 5 Ma 1.6 V 7.6 A 5 µA Recuperación
STPS120MF STMicroelectronics STPS120MF 0.5800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-222AA STPS120 Schottky Stmite plano descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 490 MV @ 1 A 3.9 µA @ 20 V 150 ° C (Máximo) 1A -
STPS3H100AFY STMicroelectronics Stps3h100afy 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®1 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Stps3 Schottky Sod128flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 760 MV @ 3 A 1.5 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 3A -
PD57002 STMicroelectronics PD57002 -
RFQ
 ECAD 6237 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57002 960MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 250 Ma 10 Ma 2W 15dB - 28 V
PD54003-E STMicroelectronics PD54003-E 8.0223
RFQ
 ECAD 3284 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 25 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD54003 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 50 Ma 3W 12dB - 7.5 V
STPS20M120STN STMicroelectronics Stps20m120stn -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 STPS20 Schottky Un 220b lleva a Estrechos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 840 MV @ 20 A 275 µA @ 120 V 150 ° C (Máximo) 20A -
2STA1694 STMicroelectronics 2STA1694 -
RFQ
 ECAD 9608 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2sta 80 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 120 V 8 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 300mA, 3A 70 @ 3a, 4v 20MHz
TN5015H-6I STMicroelectronics TN5015H-6I 2.1800
RFQ
 ECAD 678 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TN5015 Un 220b aislado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17606 EAR99 8541.30.0080 50 60 Ma 600 V 50 A 1.3 V 493a, 450a 15 Ma 1.65 V 30 A 10 µA Recuperación
BTA10-600BWRG STMicroelectronics BTA10-600BWRG 1.7700
RFQ
 ECAD 302 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA10 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 600 V 10 A 1.3 V 100a, 105a 50 Ma
STD100N10F7 STMicroelectronics Std100n10f7 2.8800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std100 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 4369 pf @ 50 V - 120W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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