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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STW45NM50FD STMicroelectronics Stw45nm50fd -
RFQ
 ECAD 2801 0.00000000 Stmicroelectónica Fdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw45n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 45a (TC) 10V 100mohm @ 22.5a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 417W (TC)
BYW99W-200 STMicroelectronics BYW99W-200 -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-247-3 Byw99 Estándar TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 850 MV @ 12 A 40 ns 20 µA @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
ACST1235-8FP STMicroelectronics ACST1235-8FP 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica ACS ™/ASD® Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero ACST1235 Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Estándar 800 V 12 A 1 V 100a, 105a 35 Ma
MMBT2907A STMicroelectronics Mmbt2907a -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
2N7002 STMicroelectronics 2N7002 -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N70 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 2 NC @ 5 V ± 18V 43 pf @ 25 V - 350MW (TC)
STP3NK50Z STMicroelectronics Stp3nk50z 0.8100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp3nk50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 2.3a (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 45W (TC)
STL3NM60N STMicroelectronics Stl3nm60n 2.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl3nm60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13351-2 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 650MA (TA), 2.2A (TC) 10V 1.8ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 9.5 NC @ 10 V ± 25V 188 pf @ 50 V - 2W (TA), 22W (TC)
STTH10LCD06FP STMicroelectronics STTH10LCD06FP 1.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero STTH10 Estándar Un 220FPAC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12353 EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 10 A 50 ns 5 µA @ 600 V 175 ° C (Máximo) 10A -
STF15N60M2-EP STMicroelectronics STF15N60M2-EP 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 378mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 100 V - 25W (TC)
T830-8FP STMicroelectronics T830-8FP 1.7500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tubo La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero T830 Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 800 V 8 A 1.3 V 80a, 84a 30 Ma
STY60NK30Z STMicroelectronics Sty60nk30z 12.7300
RFQ
 ECAD 380 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty60 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 300 V 60A (TC) 10V 45mohm @ 30a, 10v 4.5V @ 100 µA 220 NC @ 10 V ± 30V 7200 pf @ 25 V - 450W (TC)
BTA06-600TRG STMicroelectronics BTA06-600TRG 1.6600
RFQ
 ECAD 685 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA06 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 6 A 1.3 V 60a, 63a 5 Ma
ST13003-K STMicroelectronics ST13003-K 0.8600
RFQ
 ECAD 882 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1.5 A 1mera NPN 1.5V @ 500mA, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
ACST1010-7T STMicroelectronics ACST1010-7T 1.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica ACS ™/ASD® Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ACST1010 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 30 Ma Lógica - Puerta sensible 700 V 10 A 1 V 100a, 105a 10 Ma
T1635T-8G-TR STMicroelectronics T1635T-8G-TR 1.2000
RFQ
 ECAD 4954 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T1635 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18389-1 EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 45 Ma Alternista - Snubberless 800 V 16 A 1.3 V 120a, 126a 35 Ma
STP20NM50 STMicroelectronics STP20NM50 5.9600
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1480 pf @ 25 V - 192W (TC)
STTH3006TPI STMicroelectronics STTH3006TPI -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Top-3 aislado STTH30 Estándar Top-3i descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 600 V 30A 3.6 V @ 30 A 45 ns 40 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo)
BTA16-600SWRG STMicroelectronics BTA16-600SWRG 2.1700
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA16 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 10 Ma
BAT20JFILM STMicroelectronics Bat20jfilm 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Bate20 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 23 V 620 MV @ 1 A 12 µA @ 15 V 150 ° C (Máximo) 1A 30pf @ 5V, 1 MHz
STP6NB90 STMicroelectronics STP6NB90 -
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp6n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 2ohm @ 3a, 10v 5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 135W (TC)
TS820-700T STMicroelectronics TS820-700T -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 TS820 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 5 Ma 700 V 8 A 800 MV 70a, 73a 200 µA 1.6 V 5 A 5 µA Puerta sensible
BDX53C STMicroelectronics Bdx53c 1.3000
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BDX53 60 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 8 A 500 µA NPN - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
STU2N95K5 STMicroelectronics Stu2n95k5 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu2n95 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 950 V 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 10 NC @ 10 V 30V 105 pf @ 100 V - 45W (TC)
STGIPS10C60T-H STMicroelectronics Stgips10c60t-h -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Stmicroelectónica Sllimm ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 25 Potencias (0.993 ", 25.23 mm) IGBT Stgips10 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 11 3 fase 10 A 600 V 2500 VRMS
STW10N95K5 STMicroelectronics Stw10n95k5 4.4900
RFQ
 ECAD 2095 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Pisotón Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 630 pf @ 100 V - 130W (TC)
T3035H-6G STMicroelectronics T3035H-6G 2.6000
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T3035 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17286 EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 60 Ma Alternista - Snubberless 600 V 30 A 1 V 270a, 284a 35 Ma
STI13005-1 STMicroelectronics STI13005-1 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA STI1300 30 W TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 400 V 3 A 1mera NPN 5V @ 750MA, 3A 8 @ 2a, 5v -
STF12NM60N STMicroelectronics STF12NM60N -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 410mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 30.5 NC @ 10 V ± 25V 960 pf @ 50 V - 25W (TC)
BU931 STMicroelectronics BU931 -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 BU931 175 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 400 V 15 A 100 µA NPN - Darlington 1.8V @ 250 Ma, 10a 300 @ 5a, 10v -
BTA16-600BW STMicroelectronics BTA16-600BW -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTA16 Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 250 Soltero 50 Ma Alternista - Snubberless 600 V 16 A 1.3 V 160a, 168a 50 Ma
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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