SIC
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Productos de Semiconducores discretos (6390)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STF16NF25 STMicroelectronics STF16NF25 2.3200
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF16 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 235mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 25W (TC)
STD150NH02LT4 STMicroelectronics Std150nh02lt4 -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 150A (TC) 5V, 10V 3.5mohm @ 75a, 10v 1.8V @ 250 µA 93 NC @ 10 V ± 20V 4450 pf @ 15 V - 125W (TC)
STD2NM60T4 STMicroelectronics Std2nm60t4 -
RFQ
 ECAD 5050 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std2n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 3.2ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 8.4 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 46W (TC)
STD2NK70Z-1 STMicroelectronics STD2NK70Z-1 -
RFQ
 ECAD 8571 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std2n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 1.6a (TC) 10V 7ohm @ 800 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 11.4 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 45W (TC)
STFH10N60M2 STMicroelectronics STFH10N60M2 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stfh10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FPAB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 46 N-canal 600 V 7.5a (TC) 10V 600mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 13.5 NC @ 10 V ± 25V 400 pf @ 100 V - 25W (TC)
T835-8G-TR STMicroelectronics T835-8G-TR 0.4958
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T835 D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2,000 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 800 V 8 A 1.2 V 80a, 84a 35 Ma
STL16N1VH5 STMicroelectronics Stl16n1vh5 -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl16 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 12 V 16a (TC) 2.5V, 4.5V 3mohm @ 8a, 4.5V 500mV @ 250 µA (min) 26.5 NC @ 4.5 V ± 8V 2085 pf @ 12 V - 2W (TA), 50W (TC)
STN3NF06 STMicroelectronics STN3NF06 1.0700
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 4A (TC) 10V 100mohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
STIB1560DM2T-LZ STMicroelectronics Stib1560dm2t-lz 14.6345
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 Stmicroelectónica Sllimm - 2DO Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 26 Potencias (1.146 ", 29.10 mm) Mosfet Stib1560 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stib1560dm2t-lz EAR99 8542.39.0001 156 Inversor de 3 fase 17 A 600 V 1500 VRMS
STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP 3.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 25 V - 35W (TC)
T2050H-6G STMicroelectronics T2050H-6G 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab T2050 D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17284 EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 75 Ma Alternista - Snubberless 600 V 20 A 1 V 200a, 210a 50 Ma
P0109DA 1AA3 STMicroelectronics P0109DA 1AA3 -
RFQ
 ECAD 2920 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) P0109 Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 5 Ma 400 V 800 Ma 800 MV 7a, 8a 200 µA 1.95 V 500 mA 10 µA Puerta sensible
STF18N65M5 STMicroelectronics STF18N65M5 -
RFQ
 ECAD 1871 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 220mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1240 pf @ 100 V - 25W (TC)
STS9P3LLH6 STMicroelectronics Sts9p3llh6 -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ H6 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS9P Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 9a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2615 pf @ 25 V - 2.7W (TA)
STB18NF25 STMicroelectronics STB18NF25 1.8300
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB18 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 17a (TC) 10V 165mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA 29.5 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 25 V - 110W (TC)
MJD361T4-A STMicroelectronics MJD361T4-A 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD36 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 60 V 3 A 20 µA (ICBO) PNP 900mv @ 150 mm, 3a 60 @ 1a, 4v -
BTB08-600CWRG STMicroelectronics BTB08-600CWRG 1.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Snubberless ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BTB08 Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 50 Soltero 35 Ma Alternista - Snubberless 600 V 8 A 1.3 V 80a, 84a 35 Ma
PD55008-E STMicroelectronics PD55008-E 16.7700
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55008 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 150 Ma 8W 17dB - 12.5 V
STB18N55M5 STMicroelectronics STB18N55M5 -
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb18n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 550 V 16a (TC) 10V 192mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1260 pf @ 100 V - 110W (TC)
SCT10N120 STMicroelectronics SCT10N120 11.7900
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT10 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Hip247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16597-5 EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 1200 V 12a (TC) 20V 690mohm @ 6a, 20V 3.5V @ 250 µA 22 NC @ 20 V +25V, -10V 290 pf @ 400 V - 150W (TC)
STP20NM60FD STMicroelectronics STP20NM60FD 6.5100
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 Stmicroelectónica Fdmesh ™ Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 192W (TC)
STB30NM50N STMicroelectronics Stb30nm50n -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb30n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 27a (TC) 10V 115mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 250 µA 94 NC @ 10 V ± 25V 2740 pf @ 50 V - 190W (TC)
STPS5H100SFY STMicroelectronics Stps5h100sfy 0.8500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Stps5 Schottky TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 8 µA @ 100 V -40 ° C ~ 175 ° C 5A -
BYT12P-1000 STMicroelectronics Byt12p-1000 -
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Byt12 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 12 a 155 ns 50 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 12A -
STL19N60M2 STMicroelectronics Stl19n60m2 1.3035
RFQ
 ECAD 6010 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl19 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V ± 25V 791 pf @ 100 V - 90W (TC)
STGFW30NC60V STMicroelectronics STGFW30NC60V 6.4500
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO STGFW30 Estándar 80 W Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 390v, 20a, 3.3ohm, 15V - 600 V 36 A 100 A 2.5V @ 15V, 20a 220 µJ (Encendido), 330 µJ (apaguado) 100 NC 31ns/100ns
STTH102A STMicroelectronics STTH102A 0.4200
RFQ
 ECAD 145 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA STTH102 Estándar SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 970 MV @ 1 A 20 ns 1 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 1A -
BAS70-08SFILM STMicroelectronics BAS70-08SFILM -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BAS70 Schottky SOT-323-6L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 10 µA @ 70 V 150 ° C (Máximo)
ACST4-7SB-TR STMicroelectronics ACST4-7SB-TR -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ACST4 Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2.500 Soltero 35 Ma Estándar 700 V 4 A 1.1 V 30a, 33a 25 Ma
STD3NK50ZT4 STMicroelectronics Std3nk50zt4 1.2800
RFQ
 ECAD 3409 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3nk50 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 2.3a (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 280 pf @ 25 V - 45W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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