- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de Semiconducores discretos (5680)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJK03B9DPA-00#J53 | 0.5100 |  | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 10.6mohm @ 15a, 10v | - | 7.4 NC @ 4.5 V | 1110 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP90N04VDG-E1-AY | 1.6800 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 4mohm @ 45a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0364DPA-00#J0 | 0.6500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Wpak (3) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 35A (TA) | 7.8mohm @ 17.5a, 10v | - | 10 NC @ 4.5 V | 1600 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HVC355BTRF | 0.1700 | | 38 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 2-UFP | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | 2.95pf @ 4V, 1MHz | Soltero | 15 V | 2.2 | C1/C4 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ355-T1-AZ | 1.0000 | | 5104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | To-243AA | Mosfet (Óxido de metal) | SC-62 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 350mohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | 12.2 NC @ 10 V | 300 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NE3515S02-T1D-A | 0.6700 | | 654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-smd, planos de cables | 12 GHz | HFET | S02 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88 Ma | 10 Ma | 14dbm | 12.5dB | 0.3dB | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3634-Z-E1-AZ | 1.0000 | | 5005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (MP-3Z) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 6a (TC) | 600mohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 1MA | 9 NC @ 10 V | 270 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2751GR-E1-AT | 0.9700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | UPA2751 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-PSOP | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9a, 8a | 15.5mohm @ 4.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21NC @ 10V | 1040pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP80N04PDG-E1B-AY | 1.8400 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK03B7DPA-00#J53 | 0.5500 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 7.8mohm @ 15a, 10v | - | 11 NC @ 4.5 V | 1670 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0379DPA-00#J5A | 1.4800 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50A (TA) | 2.3mohm @ 25A, 10V | - | 37 NC @ 4.5 V | 5150 pf @ 10 V | - | 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK03B9DPA-00#J5A | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 10.6mohm @ 15a, 10v | - | 7.4 NC @ 4.5 V | 1110 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0395DPA-00#J5A | 0.5100 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 7.7mohm @ 15a, 10v | - | 11 NC @ 4.5 V | 1670 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK0396DPA-00#J53 | 0.6800 | | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 9mohm @ 15a, 10v | - | 9 NC @ 4.5 V | 1330 pf @ 10 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR10CM-12LB#B01 | 2.2200 | | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | Soltero | Estándar | 600 V | 10 A | 1.5 V | 100A @ 60Hz | 30 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2463T1Q-E1-AX | 0.3800 | | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Huson (2.7x2) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TA) | 20mohm @ 3a, 10v | - | 7 NC @ 4 V | 680 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2521T1H-T2-AT | 0.7200 | | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | 8-VSOF | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 16.5mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.6 NC @ 5 V | 780 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RKD700KL#R1 | 0.1000 | | 6483 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RKD700 | Schottky | 2-EFP | - | No Aplicable | EAR99 | 0000.00.0000 | 277 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 430 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 50mera | 2.8pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1978-T1B-A | 1.0000 | | 7314 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200MW | SOT23-3 (TO-236) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10dB | 12V | 50mera | PNP | 20 @ 15 mapa, 10v | 5.5 GHz | 2db @ 1ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2810T1L-E1-AY | 1.0100 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13a (TA) | 12mohm @ 13a, 10v | 2.5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | 1860 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4227-T1-A | 0.3300 | | 102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 150MW | Sot-323 | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12dB | 10V | 65mA | NPN | 40 @ 7MA, 3V | 7GHz | 1.4db @ 1ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3814-AZ | 1.5200 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 8.7mohm @ 30a, 10v | - | 95 NC @ 10 V | 5450 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N04NLG-S18-AY | - | | 7048 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | 175 ° C | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 82a (TC) | 4.2mohm @ 41a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 9000 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 143W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP80N04MLG-S18-AY | 1.8400 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.8mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KGF20N035D | - | | 5959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | KGF20 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 559-KGF20N035DTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KGF20N05D | - | | 5698 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-Uflga, CSP | KGF20 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 559-KGF20N05DTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 5.5V | 20A (TJ) | 1.6mohm @ 10a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 6.7nc @ 4.5V | 865pf @ 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N04MLG-S18-AY | 2.3500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 900 | N-canal | 40 V | 82a (TC) | 4.2mohm @ 41a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | 9 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA1807GR-9JG-E1-A | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 10mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 19 NC @ 10 V | 1000 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NE3521M04-T2-A | 0.2100 | | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-smd, planos de cables | 20GHz | Gaas HJ-Fet | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | N-canal | 70 Ma | 6 MA | - | 11db | 0.85dB | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1818GR-9JG-E1-A | 0.8000 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 15.2mohm @ 5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 20 NC @ 4 V | 2200 pf @ 10 V | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)